這支來自奧地利林茨大學、倫敦大學學院、蘇黎世聯(lián)邦理工學院和瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院的國際團隊將現(xiàn)有成熟的顯微技術——掃描微波顯微鏡（Scanning Microwave Microscopy, SMM）運用到對硅芯片中人工摻入雜質的檢測當中，整個成像過程不會對芯片產生任何損害（半導體中會被摻入雜質來增強其導電和光學性質）。

磷-硅材料成像

研究者使用掃描微波顯微鏡掃描樣本，具體探測了硅晶表層下成一定規(guī)律排列的磷原子的電學性質。在這一方法下，研究者成功檢測了在表面4-15納米之下的1900-4200個緊密排列的原子。

當然，諸如二次離子質譜分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）之類的技術也可以用于檢測半導體中人工參入的雜質，但是掃描微波顯微鏡的主要優(yōu)勢是，它不會對樣本有任何損壞。

在 IEEE Spectrum 的一個郵件采訪中，本實驗的領導者、奧地利林茨大學的 Georg Gramse 表示：

SMM和VNA對材料的測量結果

Gramse最后說：