91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-09-03 08:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

d4f3d796-6987-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

英飛凌最新推出的600V CoolMOS 8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發(fā)展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。

CoolMOS 8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術,旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關電源(SMPS)的CoolMOS 7產(chǎn)品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGaN和CoolSiC寬禁帶半導體技術的有力補充。

CoolMOS 8的創(chuàng)新之處在于,該系列所有器件中都集成了快速體二極管,使得設計人員能將該系列產(chǎn)品用于目標應用中的所有主要拓撲。

產(chǎn)品特點

世界一流的RDS(on)*A

集成快速體二極管

出色的換流堅固性

先進的互連技術

7mΩ開始,漸進式產(chǎn)品組合

包括頂部冷卻封裝系列

應用價值

效率比C7提高0.1%,比P7提高0.17%

易于使用和快速設計

低振蕩傾向

Rth降低14-42%

簡化的產(chǎn)品組合

系統(tǒng)級創(chuàng)新

應用領域

服務器、通信電源

超級固態(tài)開關解決方案(繼電器、斷路器)

電動汽車充電、太陽能和儲能系統(tǒng)

UPS

工業(yè)電源SMPS

照明

住宅空調PFC、冰箱壓縮機

充電器/適配器

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2518

    瀏覽量

    142908
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    9675

    瀏覽量

    233628
  • MOS
    MOS
    +關注

    關注

    32

    文章

    1742

    瀏覽量

    100749
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    2EDL05x06xx系列 600V半橋門驅動器帶集成自舉二極管(BSD)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《2EDL05x06xx系列 600V半橋門驅動器帶集成自舉二極管(BSD)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-05 17:11 ?1次下載

    英飛凌CoolMOS? 8為長城電源的電源技術系統(tǒng)性能優(yōu)化樹立了新標桿

    ?,正在推動服務器電源管理領域的創(chuàng)新,助力打造能夠滿足數(shù)據(jù)中心嚴苛要求的高性能電源解決方案。英飛凌的600V CoolMOS? 8高壓超結(SJM
    的頭像 發(fā)表于 01-16 17:14 ?686次閱讀

    SLM2181CA-DG解析600V高低邊門極驅動器的核心優(yōu)勢

    一、概述:高性能半橋驅動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,具備獨立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
    發(fā)表于 11-21 08:35

    SLM21814CJ-DG 600V高低邊門極驅動器解析與應用探討

    一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅動器,專為驅動MOSFET和IGBT設計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅動電流以及全電壓范圍內的浮動通道
    發(fā)表于 11-20 08:47

    ?Vishay Gen 5 600V/1200V 超快恢復整流器技術解析與應用指南

    Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導通和低開關損耗完美結合在一起。該整流器設計用于提高高頻轉換器和軟開關或諧振設計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離,有助于構建常見散熱片和緊湊
    的頭像 發(fā)表于 11-14 17:12 ?1485次閱讀
    ?Vishay Gen 5 <b class='flag-5'>600V</b>/1200<b class='flag-5'>V</b> 超快恢復整流器技術解析與應用指南

    SiLM2285 600V/4A高可靠性半橋門極驅動器

    600V、4A/4A 半橋門極驅動SiLM2285,超強抗干擾、高效驅動、高邊直驅設計三大核心優(yōu)勢,解決工業(yè)開關電源、電機拖動、新能源逆變及儲能設備中的驅動難題,實現(xiàn)對高壓、高功率MOSFET
    發(fā)表于 10-21 09:09

    SiLM2234 600V半橋門極驅動器,集成自舉二極管助力高可靠性電機驅動

    SiLM2234 600V半橋門極驅動器,支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力,專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅動設計,內部集成自舉二極管,顯著簡化外部電路設計,具備優(yōu)異的抗負向
    發(fā)表于 09-11 08:34

    SLM2184SCA-13GTR 600V耐壓、3.3V邏輯兼容的高壓半橋驅動芯片

    : SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度(SOP8小封裝)、高壓能力(600V)、強勁的驅動電流(950mA) 以及內置的智能保護功能(死區(qū)時間、UVLO、關斷引腳)。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅動系統(tǒng)提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184
    發(fā)表于 08-26 09:15

    SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186半橋驅動解決方案

    代替IR2186,為600V以下的MOSFET和IGBT應用提供高性價比的單芯片驅動方案。核心優(yōu)勢:高壓驅動與可靠保護的完美結合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強大的系統(tǒng)保護
    發(fā)表于 08-23 09:36

    SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A半橋驅動,直擊高壓高功率應用痛點

    600V/4A/4A半橋門極驅動器(SOP8封裝),正是為解決這些難題而生,為工業(yè)與新能源應用提供高效、可靠的驅動解決方案。核心技術突破,直擊行業(yè)痛點: 超強抗干擾能力: 卓越的抗負向瞬態(tài)電壓與dV/dt
    發(fā)表于 08-08 08:46

    SLM21867CA-DG高性能600V高低邊門極驅動器兼容代替IRS21867S

    :SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅動器,專為驅動半橋或類似拓撲中的高邊和低邊開關而設計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S,且封裝同為緊湊的SOP8
    發(fā)表于 07-29 08:46

    新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業(yè)技術和
    的頭像 發(fā)表于 07-04 17:09 ?1220次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>CoolMOS</b>? <b class='flag-5'>8</b>超結 (<b class='flag-5'>SJ</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    BDR6307B 600V高壓半橋驅動芯片中文手冊

    ? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅動芯片,內部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅動電路,用來驅動雙 N型 MOS 半橋
    發(fā)表于 05-27 17:21 ?1次下載

    HPD2606X 600V半橋柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

    內容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩(wěn)定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態(tài)負電壓能力、寬門
    發(fā)表于 05-19 11:33 ?0次下載

    新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

    新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列600V等級中提供15A、20A和30A三個型號,
    的頭像 發(fā)表于 04-01 17:34 ?1819次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CIPOS? Mini IPM <b class='flag-5'>600V</b> 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7