絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術對于高功率應用中的高效率至關重要，特別是在阻斷電壓超過600V的情況下。

可再生能源領域，如光伏(PV)和儲能系統(tǒng)(ESS)，在應對全球變暖方面取得了顯著增長，推動了對功率半導體的需求。對高功率等級逆變器的需求正在增加。工程師必須在有限的空間內(nèi)設計高功率系統(tǒng)，這就需要IGBT模塊在保持既定封裝尺寸的同時提供更高的輸出功率。2014/35/EU低電壓指令允許“低電壓”應用中直流電壓水平高達1500V。1200V級IGBT功率模塊在這些系統(tǒng)中至關重要，因為可以開發(fā)出3L-ANPC(三電平主動中性點鉗位)拓撲，以滿足高達1500V的直流鏈接電壓要求。

每個功率模塊的功率密度提升被視為實現(xiàn)更高輸出電流的重要目標，尤其是在需要3L-ANPC拓撲的高功率太陽能或儲能轉(zhuǎn)換器中，這會對冷卻所需的成本產(chǎn)生影響。因此，有必要減少電氣損耗以優(yōu)化效率，并改善散熱以在不發(fā)生過熱的情況下以更高的功率水平運行，從而確?？煽啃院托阅?。

性能估算與設計目標

圖1展示了在LV100封裝中考慮3L-ANPC拓撲的第七代1200A/1200V額定IGBT產(chǎn)品的計算導通損耗與開關損耗的歸一化比率。在圖中，導通損耗和開關損耗分別稱為DC和SW。

損耗主要由直流功率損耗主導。這在IGBT和二極管以及所有設備(外部、內(nèi)部和中性)中都是如此。此外，外部設備的開通開關功率損耗比率尤其明顯。因此，針對IGBT直流功率損耗、二極管直流功率損耗和開通開關功率損耗的有針對性減少，對于降低系統(tǒng)內(nèi)的總功率損耗至關重要。

減少這些特定的功率損耗能夠顯著提升整個系統(tǒng)的效率。IGBT和二極管中的高直流功率損耗率表明，這些組件的優(yōu)化可能帶來顯著的性能提升。同樣，解決外部設備的高開通開關功率損耗也能進一步降低總功率耗散，提高模塊的操作效率和可靠性。

第八代芯片技術——關鍵特性

三菱電機的第八代IGBT芯片主要采用了分裂假負載(SDA)柵結構和控制電荷載流子等離子層(CPL)結構。本文對此先進技術進行了詳細描述。

圖2展示了第七代和第八代涉及SDA和CPL的示意橫截面圖。

在IGBT模塊中，通過高速開關可以減少開通開關功率損耗，但這會導致高反向恢復dv/dt，從而產(chǎn)生電磁干擾(EMI)并給電機絕緣造成壓力。

為了解決這個問題，通常會增加柵電阻(RG)，但這也會增加開關功率損耗。因此，在不增加RG的情況下降低反向恢復dv/dt是至關重要的。

第八代使用SDA溝槽代替假負載溝槽。在SDA溝槽中，上電極連接到發(fā)射極，下電極連接到柵極。此外，CPL結構應用于背面緩沖層。

圖3描繪了兩代間發(fā)射極電流(IE)對反向恢復dv/dt的依賴關系。SDA結構在不影響柵-發(fā)射極電容(CGE)的情況下增加柵-集電極電容(CGC)，有效地在低電流下減少恢復dv/dt，而不影響高電流。這點至關重要，因為反向恢復dv/dt通常在低集電極電流時最高。

減少芯片厚度可以降低直流和開關功率損耗，但這必須與擊穿電壓考慮相平衡。在高di/dt關斷操作中，過量的VCE瞬態(tài)電壓可能會損毀IGBT。抑制關斷VCE瞬態(tài)電壓是降低芯片厚度并實現(xiàn)高di/dt操作的關鍵。

第八代IGBT采用了具有控制電荷載流子等離子層(CPL)結構的優(yōu)化背面緩沖層。CPL結構通過管理關斷過程中電荷載流子的分布，提高關斷的柔和性，從而減少峰值VCE瞬態(tài)電壓和振蕩。圖4表明，帶有CPL的IGBT將關斷VCE瞬態(tài)電壓抑制在1200V額定值以下，而沒有CPL的IGBT則觀察到了尖銳的瞬態(tài)電壓。

這一改進設計允許更高的di/dt關斷操作，減少芯片厚度，從而降低功率損耗，使第八代IGBT更高效可靠。

接下來，將進行基準測試，以量化第八代芯片及其先進技術(包括SDA柵結構和CPL)的優(yōu)勢。

第八代芯片技術——性能基準測試

圖5展示了芯片面積及結-殼體熱阻(Rth(j-c))的標準化比較。第八代1200V級芯片針對LV100封裝芯片安裝面積進行了優(yōu)化。通過將IGBT芯片面積增加39%與第七代相比，第八代IGBT顯著降低了Rth(j-c)和直流功率損耗。

第八代二極管在損耗折衷和芯片厚度上進行了優(yōu)化，其芯片面積也比前代大18%。這一擴展減少了Rth(j-c)和直流功率損耗。此外，LV100封裝的內(nèi)部設計經(jīng)過優(yōu)化，以最大化第八代IGBT模塊的芯片安裝面積。

因此，圖6展示了IGBT模塊的載頻(fc)與輸出電流(Iout)之間的關系。橫軸表示fc，縱軸顯示Iout的運行值。結果表明，第八代IGBT模塊的輸出功率相比傳統(tǒng)模塊可增加約25%?；蛘撸瑢τ谙嗤妮敵龉β?，載頻可從2.7kHz提高至4.4kHz。

IGBT芯片的先進技術

第八代IGBT芯片利用了先進的技術，如分裂假負載柵結構和控制電荷載流子等離子層結構，代表了Si IGBT芯片技術的重大飛躍。這些創(chuàng)新提升了功率密度，減少了開關和直流功率損耗，并改善了熱性能。

可再生能源領域，特別是光伏(PV)和儲能系統(tǒng)(ESS)，推動了對高效率功率半導體的需求增加。在這些應用中，1200V級IGBT模塊至關重要，能夠在保持傳統(tǒng)封裝尺寸的同時提供更高的輸出功率。第八代芯片通過優(yōu)化芯片厚度、增強背面緩沖層設計和擴大LV100封裝內(nèi)的芯片面積實現(xiàn)了這一點。

測試表明，第八代IGBT模塊顯著降低了開關損耗，并改善了熱性能，相比于前幾代，IGBT芯片面積增加了39%，二極管芯片面積增加了18%，這導致結-殼體熱阻(Rth(j-c))和直流功率損耗的降低。此外，這些模塊實現(xiàn)了大約25%更多的輸出功率，并通過優(yōu)化冷卻和系統(tǒng)設計進一步改善潛力。

第八代IGBT模塊在效率、可靠性和功率密度方面提供了顯著的進步，使其在快速增長的可再生能源市場中的高功率應用中更具優(yōu)勢。