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      簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路，看Rds和Rg電阻損耗

      貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈 ? 來源：互聯(lián)網(wǎng) ? 作者：佚名 ? 2017-10-31 15:43 ? 次閱讀
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      簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路

      MOSFET開通（turn on）過程

      MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗

      Diode損耗——肖特基不計(jì)反向恢復(fù)損耗

      L/C損耗

      IC損耗

      小結(jié)

      綜合上述分析可知，影響效率的因素主要有Rds（on），開關(guān)頻率，有效值電流。

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      • MOSFET
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      • 電阻損耗
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      原文標(biāo)題：影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素竟是這幾點(diǎn)......

      文章出處：【微信號(hào)：Mouser-Community，微信公眾號(hào)：貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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        發(fā)表于 12-23 06:15

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        發(fā)表于 12-02 06:00

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        的頭像 發(fā)表于 11-24 16:30 ?882次閱讀

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        發(fā)表于 11-19 06:35

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        的頭像 發(fā)表于 09-27 10:17 ?1111次閱讀
        基于仁懋<b class='flag-5'>MOSFET</b>的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>電路</b>：柵極<b class='flag-5'>電阻</b>選型與VGS波形優(yōu)化

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        的頭像 發(fā)表于 09-12 17:14 ?1249次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 06-18 17:44 ?4839次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2504次閱讀
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        發(fā)表于 04-23 11:25

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        發(fā)表于 03-27 14:48

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        發(fā)表于 03-25 13:43

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        發(fā)表于 03-24 15:03