在特拉華州舉行的四方領(lǐng)導(dǎo)人峰會(huì)之際，美國(guó)與印度攜手深化了半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作，共同推出了一系列旨在促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與供應(yīng)鏈韌性的重要舉措。9月21日，白宮發(fā)布的官方聲明揭示了美國(guó)總統(tǒng)拜登與印度總理莫迪達(dá)成的關(guān)鍵協(xié)議，宣布將合作建立一座先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工廠，專注于傳感、通信及電力電子產(chǎn)品的前沿生產(chǎn)。

這座新工廠將聚焦于紅外線、氮化鎵及碳化硅等高科技半導(dǎo)體材料的制造，并獲得了印度半導(dǎo)體領(lǐng)域代表團(tuán)、Bharat Semi、3rdiTech公司以及美國(guó)太空軍等強(qiáng)大戰(zhàn)略伙伴的技術(shù)與資金支持。此舉旨在強(qiáng)化國(guó)家安全，推動(dòng)下一代電信技術(shù)及綠色能源應(yīng)用的革新與發(fā)展。

雙方領(lǐng)導(dǎo)人在聯(lián)合聲明中高度評(píng)價(jià)了為構(gòu)建可靠且安全的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈所作的努力，特別提到了印度設(shè)立的格芯加爾各答“全球能力中心”，該中心致力于芯片制造技術(shù)的研發(fā)，旨在加速零排放與低排放汽車、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、人工智能及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的進(jìn)步。同時(shí)，雙方還探討了格芯與印度長(zhǎng)期制造合作的潛力，期待為兩國(guó)創(chuàng)造更多高質(zhì)量就業(yè)崗位。

此外，兩國(guó)政府還宣布了美國(guó)國(guó)務(wù)院與印度半導(dǎo)體代表團(tuán)建立新戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的消息，并與國(guó)際技術(shù)安全與創(chuàng)新（ITSI）基金保持戰(zhàn)略協(xié)同，以進(jìn)一步鞏固雙方在半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的合作基礎(chǔ)。

聲明還強(qiáng)調(diào)了雙方在增強(qiáng)汽車市場(chǎng)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性方面的合作成果，包括福特汽車公司計(jì)劃利用其在印度的欽奈工廠進(jìn)行出口業(yè)務(wù)的積極意向。

為了促進(jìn)學(xué)術(shù)與科研交流，拜登與莫迪還宣布了在未來(lái)五年內(nèi)將投入超過(guò)9000萬(wàn)美元資金支持美印全球挑戰(zhàn)研究所，旨在加深兩國(guó)大學(xué)與研究機(jī)構(gòu)之間的合作，推動(dòng)高影響力研究項(xiàng)目的發(fā)展。同時(shí)，雙方還慶祝了美印先進(jìn)材料研發(fā)論壇的成立，標(biāo)志著兩國(guó)在科研合作領(lǐng)域的又一重要里程碑。

在人工智能、量子技術(shù)及其他前沿科技領(lǐng)域，雙方領(lǐng)導(dǎo)人也強(qiáng)調(diào)了日益增強(qiáng)的合作態(tài)勢(shì)，并提及了美印量子協(xié)調(diào)機(jī)制會(huì)議的召開(kāi)及通過(guò)美印科技捐贈(zèng)基金（IUSSTF）為兩國(guó)在AI與量子領(lǐng)域的研究提供新獎(jiǎng)勵(lì)的舉措。特別地，IBM與印度政府簽署的諒解備忘錄，標(biāo)志著雙方在AI創(chuàng)新與半導(dǎo)體研究方面的深度合作邁入新階段。

最后，雙方領(lǐng)導(dǎo)人對(duì)當(dāng)前在5G部署及下一代電信技術(shù)方面的緊密合作表示贊賞，并提及了美國(guó)國(guó)際開(kāi)發(fā)署投資700萬(wàn)美元與印度機(jī)構(gòu)合作擴(kuò)大亞洲Open RAN學(xué)院的合作項(xiàng)目，彰顯了雙方在推動(dòng)全球電信技術(shù)發(fā)展的共同愿景與努力。