幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開(kāi)關(guān)類管子（IGBT、三極管、MOSFET等）不用于串聯(lián)結(jié)構(gòu)以解決單只耐壓不足的問(wèn)題。

原因是：在希望開(kāi)關(guān)管同步導(dǎo)通的時(shí)候，實(shí)際工作中，兩個(gè)的完全同步是做不到的，這種微小的差異會(huì)導(dǎo)致的潛在隱患是一只導(dǎo)通，另一只尚未導(dǎo)通時(shí)，全部的耐壓會(huì)施加到一只管子上去，反而容易導(dǎo)致器件的損壞，這在可靠性模型上其實(shí)是容易帶來(lái)問(wèn)題的串聯(lián)模型，并不是我們從功能設(shè)計(jì)理解上的兩只一起分壓實(shí)現(xiàn)的并聯(lián)模型。

通過(guò)兩只繼電器并聯(lián)提供較大電流，繼電器的觸點(diǎn)的同步性也是難以保證的，這樣，啟動(dòng)初期，一直剛導(dǎo)通，另一只還未導(dǎo)通，易引起繼電器觸點(diǎn)粘連。

電容的串聯(lián)是因?yàn)殡娙莸娜葜嫡`差較大，串聯(lián)使用時(shí)，其上的分壓會(huì)偏差比較大，所以，最好在每支電容的兩端并上一只電阻（兩只阻值的比值大小與電容的容值比例大小相同，且阻值不要太小，以免靜態(tài)電流大導(dǎo)致靜態(tài)功耗高）