回到2024年6月20日，IPO重啟，上交所、深交所各受理一家IPO，之后，IPO受理又陷入暫停階段，時隔100天的2024年9月30日，上交所新受理一家IPO——武漢新芯。 武漢新芯是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體特色工藝晶圓代工企業(yè)，在特色存儲領(lǐng)域，公司是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，擁有業(yè)界領(lǐng)先的代碼型閃存技術(shù)。在數(shù)模混合領(lǐng)域，公司具備 CMOS 圖像傳感器全流程工藝，技術(shù)平臺布局完整、技術(shù)實力領(lǐng)先，55nm RF-SOI 工藝平臺已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，器件性能國內(nèi)領(lǐng)先。在三維集成領(lǐng)域，公司擁有國際領(lǐng)先的硅通孔、混合鍵合等核心技術(shù)。

據(jù)招股說明書，武漢新芯前身新芯有限設(shè)立于 2006 年4 月21 日，系由湖北科投以貨幣認(rèn)繳出資，設(shè)立時注冊資本為 160,000.00 萬元。截止本次提交材料，新芯的股東分布如下圖所示。

據(jù)介紹，武漢新芯是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體特色工藝晶圓代工企業(yè)，聚焦于特色存儲、數(shù)模混合和三維集成等業(yè)務(wù)領(lǐng)域，可提供基于多種技術(shù)節(jié)點、不同工藝平臺的各類半導(dǎo)體產(chǎn)品晶圓代工。公司以特色存儲業(yè)務(wù)為支撐、以三維集成技術(shù)為牽引，各項業(yè)務(wù)平臺深化協(xié)同，持續(xù)進(jìn)行技術(shù)迭代。未來，公司致力于成為三維時代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引領(lǐng)者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導(dǎo)體高端應(yīng)用。

如上圖所示，我們可以看到新芯過去幾個季度的營收。從下圖我，我們則能看到該公司不同工藝平臺的營業(yè)收入。

新芯表示，在特色存儲領(lǐng)域，公司是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，擁有業(yè)界領(lǐng)先的代碼型閃存技術(shù)。在數(shù)?；旌项I(lǐng)域，公司具備 CMOS 圖像傳感器全流程工藝，技術(shù)平臺布局完整、技術(shù)實力領(lǐng)先，55nm RF-SOI 工藝平臺已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，器件性能國內(nèi)領(lǐng)先。在三維集成領(lǐng)域，公司擁有國際領(lǐng)先的硅通孔、混合鍵合等核心技術(shù)。 具體而言，公司是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體特色工藝晶圓代工企業(yè)，聚焦于特色存儲、數(shù)?；旌虾腿S集成等業(yè)務(wù)領(lǐng)域，可提供基于多種技術(shù)節(jié)點、不同工藝平臺的各類半導(dǎo)體產(chǎn)品晶圓代工。

在特色存儲領(lǐng)域，公司是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，擁有業(yè)界領(lǐng)先的代碼型閃存技術(shù)，制造工藝涵蓋浮柵（Floating Gate，又稱 ETOX）型與電荷俘獲（Charge Trap，又稱SONOS）型兩種主流結(jié)構(gòu)。公司在浮柵工藝上制程節(jié)點涵蓋65nm 到50nm，其中50nm 技術(shù)平臺具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的存儲密度；在電荷俘獲工藝方面為客戶一代碼型閃存（產(chǎn)品A）全球唯一晶圓代工供應(yīng)商。 在數(shù)模混合領(lǐng)域，公司具備 CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝，擁有多年穩(wěn)定量產(chǎn)的 BSI 工藝和堆棧式工藝，技術(shù)平臺布局完整、技術(shù)實力領(lǐng)先；公司12 英寸RF-SOI 工藝平臺已經(jīng)實現(xiàn)55nm 產(chǎn)品量產(chǎn)，射頻器件性能國內(nèi)領(lǐng)先，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等無線通訊領(lǐng)域。

在三維集成領(lǐng)域，公司擁有國際領(lǐng)先的硅通孔、混合鍵合等核心技術(shù)，公司雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構(gòu)集成以及硅轉(zhuǎn)接板技術(shù)應(yīng)用不斷拓展。

截至2024 年3 月末，公司共擁有兩座12 英寸晶圓廠。在報告期內(nèi)，公司以特色存儲業(yè)務(wù)為支撐、以三維集成技術(shù)為牽引，各項業(yè)務(wù)平臺深化協(xié)同，持續(xù)進(jìn)行技術(shù)迭代。 目前，公司多項技術(shù)及產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、計算機(jī)等下游領(lǐng)域，與各細(xì)分行業(yè)頭部廠商形成了穩(wěn)定、良好的合作關(guān)系。未來，公司致力于成為三維時代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導(dǎo)體高端應(yīng)用。

公司是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash 制造廠商，近十余年來持續(xù)深耕NOR Flash 領(lǐng)域。截至 2024 年3 月底，公司 12 英寸NOR Flash 晶圓累計出貨量已經(jīng)超過130 萬片。
NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片，具有讀取速度快、可靠性強(qiáng)、可芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）等特點，在中低容量應(yīng)用以及需要用低功耗完成內(nèi)部指令執(zhí)行、系統(tǒng)數(shù)據(jù)交換等功能的產(chǎn)品上具備性能和成本上的優(yōu)勢，因此廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、消費(fèi)電子（智能家居、TWS 耳機(jī)、穿戴式設(shè)備、路由器、機(jī)頂盒等）、汽車電子（高級駕駛輔助系統(tǒng)、車窗控制、儀表盤）、工業(yè)控制（智能電表、機(jī)械控制）、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。
目前， NOR Flash 主要包括基于浮柵技術(shù)的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術(shù)的SONOS 型兩類主流基礎(chǔ)工藝結(jié)構(gòu)。ETOX 型 NOR Flash 工藝結(jié)構(gòu)方面，公司技術(shù)節(jié)點涵蓋 65nm 到 50nm，其中自主研發(fā)的50nm 技術(shù)平臺具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術(shù)研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化”項目曾獲得湖北省科技進(jìn)步一等獎。 報告期內(nèi)，公司與客戶二、客戶三等行業(yè)頭部客戶保持穩(wěn)定合作關(guān)系，為客戶提供各技術(shù)節(jié)點下各類ETOX 型NOR Flash 晶圓代工。
公司自有品牌NOR Flash 產(chǎn)品采用ETOX 型工藝結(jié)構(gòu)，擦寫速度與耐受性、數(shù)據(jù)保持等可靠性與特性指標(biāo)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。報告期內(nèi)，公司主要以經(jīng)銷模式銷售NOR Flash 產(chǎn)品，與行業(yè)頭部電子元器件分銷商形成了穩(wěn)定合作關(guān)系，主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計算機(jī)、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 SONOS 型 NOR Flash 工藝結(jié)構(gòu)方面，公司系客戶一代碼型閃存（產(chǎn)品A）全球唯一晶圓代工供應(yīng)商。產(chǎn)品A 主要應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)控制領(lǐng)域。 報告期內(nèi)，公司在特色存儲領(lǐng)域亦提供 MCU 產(chǎn)品的晶圓代工。MCU 又稱單片微型計算機(jī)，系將 CPU 的頻率與規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將 Flash、ADC、計數(shù)器等模塊集成到同一顆芯片，從而為不同的應(yīng)用場合提供組合控制。
公司擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 55nm ESF3 架構(gòu)1MCU 工藝，其中超低功耗 MCU 平臺已穩(wěn)定量產(chǎn)、高性能 MCU 平臺已完成研發(fā)。報告期內(nèi)，公司 MCU 領(lǐng)域客戶主要包括恒爍股份等，所代工 MCU 產(chǎn)品應(yīng)用場景由消費(fèi)電子逐步推進(jìn)至工業(yè)控制及汽車電子領(lǐng)域。 公司在數(shù)?；旌项I(lǐng)域主要提供 CIS、RF-SOI 等產(chǎn)品晶圓代工。

公司具備CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝， 包括以 55nm 邏輯工藝為基礎(chǔ)開發(fā)的CIS 像素（Pixel）工藝以及背照式、堆棧式產(chǎn)品所需的 BSI、鍵合工藝等，可為客戶提供各類 CIS 產(chǎn)品的晶圓代工。

CIS 是一種利用光電轉(zhuǎn)換技術(shù)原理所制造的圖像傳感元件，根據(jù)消費(fèi)、車載、工業(yè)等不同應(yīng)用場景的感光能力、動態(tài)范圍、圖像分辨率等需求，像素單元尺寸從數(shù)微米到 0.5 微米，像素數(shù)量從數(shù)百萬到億級不等。根據(jù)工藝架構(gòu)不同，CIS主要分為前照式、背照式和堆棧式2三類，其中背照式和堆棧式已成為中高端 CIS產(chǎn)品主流結(jié)構(gòu)。

CIS 晶圓代工方面，公司技術(shù)平臺布局完整，技術(shù)實力領(lǐng)先，擁有覆蓋 0.7微米及以上的像素工藝能力、多年穩(wěn)定量產(chǎn)的 BSI 工藝和鍵合工藝，量子效率、動態(tài)范圍、暗電流、噪聲、白點等工藝相關(guān)關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

報告期內(nèi)，公司與客戶四、客戶五等行業(yè)頭部客戶保持穩(wěn)定合作關(guān)系，所提供晶圓代工的CIS 產(chǎn)品已廣泛覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、醫(yī)療、汽車等各項應(yīng)用領(lǐng)域。

來到RF-SOI方面，報告期內(nèi)，公司在數(shù)?；旌项I(lǐng)域亦提供 RF-SOI 產(chǎn)品的晶圓代工，擁有 55nm絕緣體上硅工藝完整知識產(chǎn)權(quán)。RF-SOI 晶圓代工是公司未來在數(shù)?；旌项I(lǐng)域重點發(fā)展的方向，亦是公司 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項目的重要建設(shè)部分。

RF-SOI 是一類使用部分耗盡的絕緣體上硅工藝生產(chǎn)的射頻前端芯片，可集成射頻開關(guān)、低噪聲放大器、天線調(diào)諧器、功率放大器等器件，具有更低插入損耗、更高增益的性能優(yōu)勢，支持 5G、毫米波通信。

公司自主開發(fā)的 55nm RF-SOI 技術(shù)國內(nèi)領(lǐng)先，已實現(xiàn) 55nm RF-SOI 產(chǎn)品量產(chǎn)。同時，公司已經(jīng)啟動下一代 40nm 工藝技術(shù)研發(fā)。報告期內(nèi)，公司已與 RF-SOI領(lǐng)域多家國內(nèi)頭部設(shè)計公司客戶開展合作，提供晶圓代工的RF-SOI 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等無線通訊領(lǐng)域。 此外，公司還具有國際領(lǐng)先的晶圓級三維集成技術(shù)。報告期內(nèi)，公司三維集成業(yè)務(wù)主要系按照工藝架構(gòu)進(jìn)行劃分，已成功構(gòu)建雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構(gòu)集成和 2.5D（硅轉(zhuǎn)接板 Interposer）四大工藝平臺，應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域各類產(chǎn)品的晶圓代工。

公司三維集成領(lǐng)域各項細(xì)分工藝平臺具體情況如下：

（1）雙晶圓堆疊平臺：該平臺將兩片晶圓的介質(zhì)層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式形成金屬互連，在有效減小芯片面積的同時大量增加 I/O 數(shù)量，達(dá)到增加傳輸帶寬、降低延時及系統(tǒng)功耗的優(yōu)點，目前支持業(yè)界最小的混合鍵合連接孔距（HB pitch）。
（2）多晶圓堆疊平臺：該平臺通過無凸點（Bumpless）工藝實現(xiàn)多片晶圓的銅-銅直接、超高密度互連，其互連尺寸遠(yuǎn)小于微凸塊封裝等方式，可顯著提升傳輸帶寬，且對散熱更加友好、有利于降低功耗。
（3）芯片-晶圓異構(gòu)集成平臺：該平臺可實現(xiàn)不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間直接鍵合，極大提升系統(tǒng)集成的靈活自由度，公司建成了中國大陸首條完全自主可控的三維異構(gòu)集成工藝產(chǎn)線，正與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)深度合作進(jìn)行產(chǎn)品驗證。
（4）2.5D（硅轉(zhuǎn)接板 Interposer）平臺：該平臺提供具有靈活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容、多層金屬重布線層等技術(shù)優(yōu)勢的硅轉(zhuǎn)接板，可與 2.5D 封裝工藝相結(jié)合，為集成系統(tǒng)提供亞微米級精度銅互連，顯著減小系統(tǒng)延遲、插損及功耗等，目前已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)。

三維集成領(lǐng)域是公司未來發(fā)展的重點方向，也是公司 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項目的主要組成部分。公司致力于成為三維時代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引領(lǐng)者，預(yù)計未來三維集成業(yè)務(wù)占比將逐步提升。

從下圖，我們可以看到新芯的產(chǎn)能和銷售情況。

按照業(yè)務(wù)類型，報告期內(nèi)，公司主營業(yè)務(wù)收入主要來源于晶圓代工收入，各期晶圓代工收入分別為 185,383.99 萬元、258,247.24 萬元、254,631.25 萬元和66,897.38 萬元，占比分別為 63.27%、77.45%、67.08%和73.33%。公司主要向客戶提供 12 英寸特色工藝晶圓代工，按照不同工藝平臺，公司向客戶提供特色存儲、數(shù)模混合和三維集成領(lǐng)域多種類別半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶圓代工。


自有品牌業(yè)務(wù)主要系公司經(jīng)營的自有品牌 NOR Flash 產(chǎn)品。報告期內(nèi)，公司自有品牌業(yè)務(wù)收入分別為 98,433.01 萬元、60,815.51 萬元、61,475.75 萬元和14,587.67 萬元，占比分別為 33.60%、18.24%、16.20%和 15.99%。2022 年，公司自有品牌業(yè)務(wù)收入下滑，主要系受到下游消費(fèi)市場需求增長放緩影響。

此外，公司還為客戶提供研發(fā)流片、技術(shù)授權(quán)、光掩膜版等其他配套業(yè)務(wù)。報告期內(nèi)，公司其他配套業(yè)務(wù)收入分別為9,174.61 萬元、 14,368.92 萬元、 63,472.62萬元和9,741.39 萬元，占比分別為3.13%、 4.31%、 16.72%和 10.68%。2023 年度，公司其他配套業(yè)務(wù)收入增長較快，主要系 2023 年確認(rèn)了對于公司二的技術(shù)授權(quán)收入。此外，公司提供的研發(fā)流片、光掩膜版等收入亦有所增加。

公司主營業(yè)務(wù)按照工藝平臺可劃分為特色存儲、數(shù)?；旌稀⑷S集成及其他領(lǐng)域。

報告期內(nèi)，公司特色存儲工藝平臺實現(xiàn)的收入分別為 217,755.45 萬元、244,965.03 萬元、 257,026.62 萬元和59,148.63 萬元，占比分別為74.32%、 73.47%、67.71%和64.84%。公司在特色存儲領(lǐng)域主要提供 NOR Flash、MCU 等產(chǎn)品的晶圓代工，此外，還經(jīng)營自有品牌 NOR Flash 產(chǎn)品。
報告期內(nèi)，公司數(shù)?；旌瞎に嚻脚_實現(xiàn)的收入分別為 57,271.20 萬元、67,142.22 萬元、 76,898.96 萬元和26,328.63 萬元，占比分別為 19.55%、 20.14%、20.26%和28.86%。數(shù)?；旌鲜枪局攸c發(fā)展方向，主要提供 CIS、RF-SOI 等產(chǎn)品晶圓代工。公司結(jié)合客戶需求逐漸將產(chǎn)品與技術(shù)向高端 CIS 領(lǐng)域延拓，同時RF-SOI 的需求量及供應(yīng)量也逐步增加。

報告期內(nèi)，公司三維集成工藝平臺實現(xiàn)的收入分別為 15,828.22 萬元、21,116.78 萬元、 17,225.98 萬元和5,749.17 萬元，占比分別為 5.40%、 6.33%、 4.54%和 6.30%。三維集成亦是公司未來重點發(fā)展的方向。根據(jù) Yole 統(tǒng)計，預(yù)計2023-2028 年，全球三維集成技術(shù)制造市場規(guī)模年均復(fù)合增長率約 34.45%，公司將持續(xù)深耕該平臺技術(shù)創(chuàng)新及市場開拓，助力公司營業(yè)收入穩(wěn)步增長。

據(jù)招股說明書，公司實際募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額計劃投入以下項目：

本次募集資金投資項目為 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項目、特色技術(shù)迭代及研發(fā)配套項目，項目實施主體均為發(fā)行人。公司募集資金項目符合國家有關(guān)產(chǎn)業(yè)政策和公司發(fā)展戰(zhàn)略，與公司主營業(yè)務(wù)、生產(chǎn)經(jīng)營規(guī)模、財務(wù)狀況、技術(shù)條件、管理能力、發(fā)展目標(biāo)相匹配。 本次募集資金到位及募投項目的實施，將在公司三維集成與數(shù)模混合業(yè)務(wù)領(lǐng)域現(xiàn)有領(lǐng)先工藝、技術(shù)與量產(chǎn)經(jīng)驗的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模，增強(qiáng)核心業(yè)務(wù)領(lǐng)域研發(fā)實力，從而更好地滿足市場需求，提高公司在晶圓代工行業(yè)的市場地位和核心競爭力，全面提升公司的生產(chǎn)能力、研發(fā)能力和盈利能力，實現(xiàn)公司的可持續(xù)發(fā)展。 武漢新芯強(qiáng)調(diào)，公司愿景成為三維時代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引領(lǐng)者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導(dǎo)體高端應(yīng)用。本次募集資金投資項目的確定依據(jù)如下：

本次募集資金相關(guān)投資項目，是公司實現(xiàn)既定戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)的重要舉措，是公司在晶圓代工領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)差異化、多元化發(fā)展的必由路徑，亦可與公司正在執(zhí)行的建設(shè)項目實現(xiàn)有序銜接。

本次募集資金投資項目順利實施后，將有利于公司搶抓三維集成與 SOI 產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)關(guān)鍵期，集中優(yōu)勢力量解決國內(nèi)三維集成、SOI 代工產(chǎn)能供給不足的難題，實現(xiàn)現(xiàn)有優(yōu)勢工藝技術(shù)的持續(xù)升級迭代，拓展客戶產(chǎn)品應(yīng)用的深度和廣度，同時加大對產(chǎn)業(yè)鏈上下游的帶動力度、完善構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)。 武漢新芯最后說，半導(dǎo)體行業(yè)具有資金密集、技術(shù)密集、人才密集的特點，是支撐國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展的基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體特色工藝晶圓代工企業(yè)，著眼于國家對半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略性發(fā)展規(guī)劃，公司明確了“致力于卓越的半導(dǎo)體技術(shù)與制造，為民族產(chǎn)業(yè)提升科技實力，為股東實現(xiàn)投資回報，為員工贏得美好生活”的重要使命。公司未來愿景定位于“成為三維時代半導(dǎo)體先進(jìn)制造引領(lǐng)者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導(dǎo)體高端應(yīng)用”。

來源：芯視點