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揭秘Intel 10nm工藝,晶體管密度是三星10nm工藝的兩倍

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-06-15 15:53 ? 次閱讀
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作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”,英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?0nm制程已經(jīng)跳票三年之久,每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布,眾人翹首以待10nm的到來,可英特爾還是給用戶潑冷水,繼續(xù)跳票10nm工藝。

對(duì)于很多用戶而言,都在疑問為何英特爾一直跳票10nm呢?因?yàn)橄啾绕鹜诘呐_(tái)積電、三星等廠商,10nm工藝早已經(jīng)量產(chǎn)上市,并已推出蘋果A11、Exynos 9810等芯片,而作為PC領(lǐng)域中的大哥人物,為何英特爾跟不上潮流的發(fā)展呢?而今天,外媒TechInsight就給出了一份滿意的答復(fù)。

目前,Intel 10nm處理器已經(jīng)小批量出貨,已知產(chǎn)品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U,由聯(lián)想IdeaPad 330筆記本首發(fā)。

TechInsight分析了這顆處理器,獲得了一些驚人的發(fā)現(xiàn),直接證實(shí)了Intel新工藝的先進(jìn)性。

分析發(fā)現(xiàn),Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術(shù),晶體管密度達(dá)到了每平方毫米1.008億個(gè)(符合官方宣稱),是目前14nm的足足2.7倍!

作為對(duì)比,三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個(gè),僅相當(dāng)于Intel的一半多,7nm則是每平方毫米1.0123億個(gè),勉強(qiáng)高過Intel 10nm。

至于臺(tái)積電、GF兩家的7nm,晶體管密度比三星還要低一些。

換言之,僅晶體管集成度而言,Intel 10nm的確和對(duì)手的7nm站在同一檔次上,甚至還要更好!

另外,Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm,最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm,同樣遠(yuǎn)勝對(duì)手。

事實(shí)上與現(xiàn)有其他10nm以及未來的7nm相比,Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標(biāo)。

Intel 10nm的其他亮點(diǎn)還有:

-BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru),后者是一種貴金屬
-BEOL后端和接觸位上首次使用自對(duì)齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)
-6.2-Track高密度庫實(shí)現(xiàn)超級(jí)縮放(Hyperscaling)
-Cell級(jí)別的COAG(Contact on active gate)技術(shù)

當(dāng)然了,技術(shù)指標(biāo)再先進(jìn),最終也要轉(zhuǎn)換成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品才算數(shù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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