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觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

h1654155954.3333 ? 來源:h1654155954.3333 ? 作者:h1654155954.3333 ? 2024-11-15 15:14 ? 次閱讀
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觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

觸控技術(shù)是一種通過觸摸屏幕或其它觸摸表面來實現(xiàn)人機交互的技術(shù),隨著科技的不斷發(fā)展,觸控屏已經(jīng)成為手機、車機、IOT交互等現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分。

最早的觸摸屏是電阻式,它由兩層導電材料構(gòu)成,當用戶觸摸屏幕時,兩層導電材料會接觸,從而改變電阻值,從而實現(xiàn)位置的檢測。電阻式屏幕具有成本、技術(shù)低等優(yōu)勢,缺點是只能單點觸摸,連續(xù)滑動很容易出現(xiàn)斷點;電容式觸摸屏有自容式、互容式等等方式,目前觸目所及大部分就是互容式觸摸屏,電容式觸摸屏外形可塑性強,比如窄邊框、無邊框、折疊屏等,目前消費產(chǎn)品大都是采用電容屏。

觸摸屏的優(yōu)勢在于直觀的操作方式,由于它們可以通過直接與圖標和按鈕接觸來進行輸入,所以對不熟悉的用戶來說很容易理解并且易于使用。觸摸面板還允許將顯示器和輸入組合到一塊硬件中(圖1),從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化和簡單化。這些觸摸屏內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要核心是一個用于處理計算的IC芯片,電路基板上另有一層特定圖案的透明電極模組,面板的最表面則覆蓋著絕緣玻璃或塑料蓋。當手指接近表面時,多個電極之間的電容量會同時發(fā)生變化,可以通過測量這些電流之間的比率來精確識別接觸的位置(圖2)。

wKgZoWc29NiAeRECAABZVUcSwZQ212.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖1.電容屏結(jié)構(gòu)

wKgaoWc29NmAEfh9AAD9Hu1AgGw112.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖2.觸摸電路基板檢測電路

現(xiàn)今,觸摸屏已被廣泛應用于各種移動型產(chǎn)品中,但如與有線/無線充電器或其他負載連接時因插拔所導致的ESD/EOS噪聲,這期間將可能通過設(shè)備物理層耦合傳感器,而對觸摸的準確性和穩(wěn)定性造成影響。以手機產(chǎn)品為例,不完善的邊緣布局或天線設(shè)計,甚至是未完整考慮防護的接口設(shè)備,這些都已被證明是ESD/EOS的重大來源。觸摸處理器采用深納米技術(shù)CMOS工藝,同樣的芯片面積可以放更多的晶體管,好處是提升產(chǎn)品運算性能,但在器件級ESD耐受度的趨勢卻是越來越弱(器件級HBM通常要求通過2kV)。處理器中每個IO都有內(nèi)嵌ESD電路,且這些IO ESD cell的最大允許電流及電導(Admittance)與它們的尺寸成正比,但受IO電容和芯片尺寸的限制IO cell無法任意完成設(shè)計,受限的設(shè)計導致進入深納米技術(shù)的觸摸處理器對ESD越來越敏感。當產(chǎn)品受到外界ESD轟擊時,IO ESD cell鉗位電壓會隨ESD電流的增大而上升,當ESD能量過大時,鉗位電壓可能升高到IC內(nèi)部最大允許電壓以上從而造成誤動作或當機;嚴重者(工廠ESD測試標準:接觸放電±8kV/空氣放電±15kV),將直接擊穿IC內(nèi)部ESD保護電路后,能量繼續(xù)傳導到內(nèi)部電路,造成多次損壞。

另一方面,通常TVS保護器件制程在幾百納米,TVS瞬間可以泄放ESD的能力直接與芯片面積成正比,且其耐受度遠優(yōu)于IC內(nèi)嵌ESD防護設(shè)計。所以,進行系統(tǒng)級靜電放電抗擾度設(shè)計時建議在IC外部增加TVS,此時ESD電流會先通過外部TVS泄放,IC內(nèi)部損壞的可能性則大大降低(圖3和圖4)。

wKgZoWc29NmAPZ-OAADfRS_B2K0323.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖3.ESD最佳泄放路徑

wKgaoWc29NqAPnczAAERMAU2n1U961.png觸摸屏Touch IC ESD/EOS防護方案及TVS選型

圖4.Touch FPC TVS防護設(shè)計

隨著手機、平板、智慧穿戴待機時長要求,電池容量希望可以做的更大,產(chǎn)品內(nèi)部沒有足夠的空間擺放更多器件,小封裝TVS優(yōu)勢便能體現(xiàn)出來,晶焱科技推薦0201(0.6mm×0.3mm)封裝以滿足PCB空間需求和廠內(nèi)ESD測試要求。如表1,針對通信接口SPI/IIC推薦AZ5A23-01F和AZ5B85-01B,均滿足ESD Level 4測試要求。另外,晶焱科技與Touch IC廠商配合,在觸摸處理器量產(chǎn)前便完成參考設(shè)計電路的驗證,以提供最好的技術(shù)支持來滿足客戶對ESD/EOS設(shè)計要求。

Location
Part No.
VRWM (V)
Package
C (pF)
Vc_ESD
@8kV(V)
Vc_Surge
@5A(V)
ESD Air
(kV)
ESD Contact
(kV)
Lightning
8/20μs (A)
IIC/SPI
AZ5A23-01F
3.3
DFN0603P2Y
11
8
7
20
20
5
IIC
AZ5B85-01B
5 CSP0603P2Y
0.5 11 N/A 16
16 4
Power ≤ 5V
AZ5A85-01B
5 CSP0603P2Y
31 6 6
25 25 16
Power ≤ 3.3V
AZ5A83-01B
3.3 CSP0603P2Y
52.5 5 4.5
25 25 16

表1. Touch FPC接口ESD/EOS防護方案

未來幾年,智慧手機采用的電容式觸摸屏仍將是該領(lǐng)域的主導技術(shù),紅外、光、聲波等觸覺傳感器技術(shù)將緊隨其后。無論采用哪種技術(shù)實現(xiàn)人機交互應用,接口芯片都需要在設(shè)計初期考慮ESD/EOS問題,以降低生產(chǎn)過程或終端客戶使用過程中的不良比率,避免返修成本及商譽損失。

提供原廠技術(shù)支持和方案應用075582542001,82574660謝謝惠顧~

審核編輯 黃宇

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