MPW流片

上海工研院(SITRI) 聯(lián)合中國科學院上海微系統(tǒng)所、中國科學院半導體研究所、上海交通大學等國內(nèi)硅基光電子領域知名研究機構，建立硅基光電子器件工藝平臺，擁有近5000平米潔凈室，具備90nm高精度光刻、晶體外延、介質薄膜生長、干法及濕法刻蝕、摻雜、金屬互連和在線工藝檢測等成套關鍵工藝能力，可以通過MPW、定制化流片、聯(lián)合研發(fā)等多種方式為各類高校、科研院所和企業(yè)提供服務，滿足客戶研發(fā)、中試、封裝等多樣化需求。

經(jīng)過多年沉淀積累，上海工研院硅光平臺的服務能力持續(xù)穩(wěn)定提升，日趨成熟，獲得了行業(yè)的高度認可。2023年，90納米硅基光電子技術入選《2023年上海市科技進步報告》，并在2024年入選中國光學工程學會“硅基光電子三年優(yōu)秀成果展”。隨著強烈的市場需求，為確保每一位合作伙伴都能及時把握住研發(fā)創(chuàng)新的先機，我們正積極調配資源，優(yōu)化流程，確保在2025年為客戶提供更加緊湊、高效的流片周期。

在此，我們誠摯邀請各界同仁，無論是致力于前沿探索的學術團隊，還是追求技術創(chuàng)新的企業(yè)伙伴，盡早規(guī)劃，把握時機，加入我們的流片計劃。2025年，讓我們攜手并進，在硅基光電子的廣闊天地中，共同書寫屬于未來的輝煌篇章！

90nm SOI無源工藝

目前，SOI無源集成工藝流片的最小工藝節(jié)點為90nm，具備三步硅刻蝕、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關鍵工藝能力，可實現(xiàn)各種高性能的硅光無源器件。

180nm SiN無源工藝

SiNonSOI無源集成工藝流片，Si的最小工藝節(jié)點為90nm，SiN的最小工藝節(jié)點為200nm，具備了三步硅刻蝕、LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連以及深硅刻蝕等關鍵工藝能力。該工藝結合了氮化硅和SOI平臺的優(yōu)點，能夠實現(xiàn)高性能的硅光子和氮化硅無源器件。