近日，美國再次發(fā)布對華半導(dǎo)體出口管制措施，而中國多家行業(yè)協(xié)會開始呼吁中企審慎采購美國芯片。在國產(chǎn)化疊加政策支持背景下，高端射頻芯片的替換環(huán)境日趨成熟。與此同時，智能電動汽車以及智能可穿戴設(shè)備、智能家居等新興消費(fèi)電子產(chǎn)品快速發(fā)展，也對射頻芯片提出了旺盛需求。

左藍(lán)微電子此次推出基于PESAW工藝的1612尺寸(1.6x1.2x0.6mm)Band20TX+20/28RX和Band28F兩款高性能、小尺寸雙工器，是移動通信領(lǐng)域的重要補(bǔ)充，非常適合智能手機(jī)、平板電腦、微基站等應(yīng)用場景，能夠?yàn)槿諠u小型化的終端客戶設(shè)計(jì)提供更靈活的選擇，確保終端整體更加緊湊。

高性能1612 Band20TX+20/28RX雙工器

PESAW高性能1612 Band20TX+20/28RX雙工器具有優(yōu)異的帶內(nèi)帶外性能，TX帶內(nèi)插損典型值僅有0.9dB，RX帶內(nèi)插損典型值為1.2dB（國外主流廠商該頻段產(chǎn)品TX和RX插損典型值一般在1.4dB和1.8dB），在TX頻率段和RX頻率段的隔離度典型值都達(dá)到58dB，TX的二倍頻抑制更是達(dá)到65dB，輸入功率達(dá)到30dBm@5000h，55℃。

高性能1612 Band28F雙工器

PESAW高性能1612 Band28F雙工器TX帶內(nèi)插損典型值1.2dB，RX帶內(nèi)插損典型值僅有1.1dB（國外主流廠商該頻段產(chǎn)品TX和RX插損典型值一般在1.5dB），在TX頻率段和RX頻率段的隔離度典型值分別為59dB和57dB，TX的二倍頻抑制達(dá)到37dB，輸入功率達(dá)到30dBm@5000h，55℃。

此次發(fā)布的上述兩款高性能、小尺寸雙工器綜合性能表現(xiàn)出色，各項(xiàng)指標(biāo)皆可比肩國際一流產(chǎn)品。

近年來，我國5G技術(shù)及信號覆蓋速度處于全球領(lǐng)先地位，5G和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展讓射頻器件的需求更具多樣化與挑戰(zhàn)性。左藍(lán)微電子致力于通過技術(shù)創(chuàng)新幫助終端設(shè)備制造商突破射頻性能的瓶頸，同時降低整體解決方案的功耗與成本。這兩款雙工器的發(fā)布，是左藍(lán)微電子在射頻濾波器領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的又一力證。

此次兩款高性能、小尺寸雙工器的推出，不僅進(jìn)一步鞏固了左藍(lán)微電子在射頻濾波器領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位，同時也為行業(yè)合作伙伴提供了更加靈活、可靠的解決方案，助力移動通信與物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)的高質(zhì)量發(fā)展。

在過去幾年里，“國產(chǎn)替代”已經(jīng)成為一個高頻詞匯。此次行業(yè)協(xié)會呼吁中國企業(yè)謹(jǐn)慎選擇美國芯片，本質(zhì)上更是呼吁中國企業(yè)加強(qiáng)芯片技術(shù)自研和突破。左藍(lán)微電子也將持續(xù)加大研發(fā)投入，與高校及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴深度合作，共同推進(jìn)射頻技術(shù)的國產(chǎn)化進(jìn)程。