91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC市場激烈,萬年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

萬年芯微電子 ? 2024-12-20 16:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2024年進(jìn)入尾聲,中國碳化硅(SiC)卻迎來一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)市高投入、高研發(fā)、高設(shè)備投入的行業(yè),江西萬年芯微電子認(rèn)為,沒有形成足夠規(guī)模的企業(yè)很難堅(jiān)持下去,最終市場篩出的,將是真正靠技術(shù)站穩(wěn)腳跟的企業(yè)。

wKgZPGdlLYWAAMLpAAV5tJkUm1U881.png圖片源于電力電子技術(shù)與應(yīng)用公眾號(hào)

卷價(jià)格,卷市場,碳化硅狂卷成風(fēng)

2021至2023年間,中國碳化硅產(chǎn)業(yè)在新能源市場的推動(dòng)下迎來了繁榮,彼時(shí)大量新玩家涌現(xiàn),產(chǎn)能迅速擴(kuò)張。然而,盡管下游市場如電動(dòng)汽車持續(xù)增長,其訂單量仍不足以消化產(chǎn)能,導(dǎo)致國內(nèi)碳化硅產(chǎn)品價(jià)格迅速下降,部分產(chǎn)品降價(jià)超過50%。

產(chǎn)品價(jià)格走低,但碳化硅器件的成本卻降不下來。國內(nèi)碳化硅企業(yè)在襯底和外延方面的成本過高,已經(jīng)占據(jù)了整個(gè)器件成本的70%,而器件設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)僅占30%。同一級(jí)別下SiC MOSFET的價(jià)格比硅基IGBT高4倍,高昂的成本限制了SiC MOSFET的應(yīng)用。

除了產(chǎn)能過剩與高昂成本,國內(nèi)碳化硅企業(yè)還要面臨愈演愈烈的市場競爭。

國際大廠如意法半導(dǎo)體、英飛凌等占據(jù)主要市場份額,同時(shí)碳化硅還需與硅基、氮化鎵半導(dǎo)體材料競爭市場份額。國內(nèi)碳化硅相關(guān)廠家數(shù)量已超過百家,市場競爭愈發(fā)激烈。

此外,國產(chǎn)碳化硅企業(yè)遭遇的困境還包括,融資難度增加、資本市場向頭部集中、中小企業(yè)融資困難等。

對(duì)此,萬年芯認(rèn)為,碳化硅行業(yè)壁壘高、投入高,且市場開拓周期長,小規(guī)模的企業(yè)無法進(jìn)行長期的市場開拓,難以獲得客戶認(rèn)可,導(dǎo)致未來發(fā)展道路充滿不確定性,資金實(shí)力不足的企業(yè)可能會(huì)逐漸退出市場。

講科研,講布局,萬年芯講求細(xì)作

眼見他起高樓,眼見他宴賓客,然而表面的喧囂終將褪去,只有科技實(shí)力才能沉淀。

預(yù)計(jì)未來5年,技術(shù)創(chuàng)新將成為碳化硅行業(yè)競爭的核心,產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展和多元化應(yīng)用領(lǐng)域拓展將成為行業(yè)的主要趨勢。在低空經(jīng)濟(jì)、新能源汽車、5G通信、光伏并網(wǎng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,碳化硅晶圓、器件的需求將持續(xù)增長,推動(dòng)市場規(guī)模擴(kuò)大。

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年,目前已獲得國內(nèi)專利134項(xiàng),是國家專精特新“小巨人”企業(yè)。作為國內(nèi)知名芯片封測及碳化硅功率器件廠商,萬年芯明確提出國內(nèi)碳化硅企業(yè)的當(dāng)務(wù)之急是加大研發(fā)投入,突破技術(shù)瓶頸。目前萬年芯旗下的碳化硅產(chǎn)品線包括SiCPIM功率器件、SiCIPM智能模塊和碳化硅MOS等。

SiCPIM功率器件系列,電壓1200~3300V,電流 300~1000A,最大額定功率240kW。該產(chǎn)品優(yōu)勢在于具有高耐壓、高可靠性、低損耗以及可高頻、高溫操作等優(yōu)越性能,可應(yīng)用于低空無人機(jī)、充電樁、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

而SiC IPM智能模塊系列,電壓 650~1200V,功率300~7500W,適合于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各種逆變電源,在低空無人機(jī)上應(yīng)用同樣優(yōu)勢明顯。產(chǎn)品優(yōu)勢在于其采用全新技術(shù)取替 IGBT IPM應(yīng)用,使無人機(jī)在重量上、體積上都會(huì)相應(yīng)減少,性能更加安全可靠。

在碳化硅市場的大浪淘沙中,依靠上述產(chǎn)品硬核實(shí)力,萬年芯有足夠的把握走得更遠(yuǎn)。同時(shí),萬年芯還將積極開拓市場,尤其是新能源汽車、低空無人機(jī)、充電樁、變頻家電、逆變電源等新興領(lǐng)域,以消化產(chǎn)能并增加訂單。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4337

    瀏覽量

    263133
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3729

    瀏覽量

    69458
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52382
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,
    的頭像 發(fā)表于 12-14 07:32 ?1569次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的c研究報(bào)告

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?403次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>市場</b>報(bào)告:國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件<b class='flag-5'>在</b>全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲(chǔ)能<b class='flag-5'>領(lǐng)域</b>的戰(zhàn)略突破

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?983次閱讀

    簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1657次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?1028次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其<b class='flag-5'>在</b>電力電子<b class='flag-5'>領(lǐng)域</b>的應(yīng)用

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?1279次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1184次閱讀

    碳化硅功率器件汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:32 ?1252次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1075次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?889次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    碳化硅SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?966次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    SiC碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

    SiC碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢和市場驅(qū)動(dòng)因素: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)Si
    的頭像 發(fā)表于 04-30 14:30 ?1177次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>(<b class='flag-5'>碳化硅</b>)模塊設(shè)計(jì)方案<b class='flag-5'>在</b>工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

    除了安森美CREE等還有哪些美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

    客戶群體覆蓋汽車、工業(yè)及能源領(lǐng)域。雖然部分客戶未在搜索結(jié)果中明確列出,但其2024財(cái)報(bào)顯示碳化硅業(yè)務(wù)疲軟。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 04-14 05:58 ?1102次閱讀

    麥科信光隔離探頭碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    碳化硅SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅M
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1903次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A