Hello，大家好，今天我們來聊聊，先進封裝中RDL工藝。

RDL：Re-Distribution Layer，稱之為重布線層。是先進封裝的關(guān)鍵互連工藝之一，目的是將多個芯片集成到單個封裝中。先在介電層頂部創(chuàng)建圖案化金屬層，然后將IC的輸入/輸出（I/O）重新分配到新位置。新位置通常位于芯片邊緣，可以使用標準表面貼裝技術(shù)（SMT）將 IC連接到印刷電路板（PCB）。 RDL工藝使得設(shè)計人員能夠以緊湊且高效的方式放置芯片，從而減少器件的整體占地面積。

資料來源：Lam Research

晶圓級金屬重布線制程在IC上涂布一層絕緣保護層，再以曝光顯影的方式定義新的導(dǎo)線圖案，然后利用電鍍技術(shù)制作新的金屬線路，以連接原來的芯片引腳和新的凸點，達到芯片引腳重新分布的目的。重布線層的金屬線路以電鍍銅材料為主，根據(jù)需要也可以在銅線路上鍍鎳金或者鎳鈀金材料，相關(guān)核心材料包括光刻膠、電鍍液、靶材、刻蝕液等。

資料來源：LB Semicon

先進封裝的四要素包括RDL（再分布層技術(shù)）、TSV（硅通孔）、 Bump（凸塊）、 Wafer（晶圓）。

資料來源：SiP與先進封裝技術(shù)

重布線層（RDL）在延伸和互連XY平面方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。在扇入晶圓級封裝（FIWLP）和扇出晶圓級封裝（FOWLP）等先進封裝中，RDL 為核心關(guān)鍵工藝。 使得封裝廠能夠在扇出封裝技術(shù)方面與晶圓代工廠展開競爭。通過RDL，IO Pad可以制成FIWLP 或FOWLP 中不同類型的晶圓級封裝。在FIWLP中，凸塊全部生長在芯片上，芯片和焊盤之間的連接主要依靠RDL的金屬線。封裝后，IC的尺寸幾乎與芯片面積相同。在FOWLP中，凸塊可以生長在芯片外，封裝后的IC比芯片面積大（1.2倍）。

以2.5D先進封裝的代表臺積電的InFO為例，InFO在載體上使用一個或多個裸芯粒，然后將其嵌入到模塑料的重構(gòu)晶圓中。并在晶圓上制造 RDL 互連和介電層， 這是“芯片優(yōu)先”的工藝流程。單芯片 InFO 提供高凸點數(shù)量，RDL 線從芯片區(qū)域向外延伸，形成“扇出”拓撲。