來源：電子工程世界

SiC（碳化硅），已經成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見，SiC這一市場在汽車領域頗有潛力。

不過，近幾年國內SiC MOSFET發(fā)展飛速，誕生了眾多產品，同時陸續(xù)過車規(guī)，讓人眼花繚亂。所以我們邀請到了眾多工程師，分享自己曾經接觸過，或者從其他廠商中聽到過的SiC產品，并且分享自己對于MOSFET選型時的一些心得，看看有沒有心中的那一顆。

備受好評的汽車SiC產品

基本半導體的碳化硅MOSFET B2M系列產品備受工程師好評，它是一款可用于新能源汽車電機控制器的國產SiC產品。其具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發(fā)，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。比如，典型型號B2M065120H，其Vds為1200V，Id（Tc=25°C）為47A，典型Rdson為65mΩ@Vgs=18V，Rth（jc）為0.6K/W，Qs（Gate to Source Charg）為18nC，Qsd（Gate to Drain Charge）為30nC，Qg（Total Gate Charge）為60nC。

據工程師評價，基本半導體的產品目前在國內滲透率非常高。其中，汽車級SiC功率模塊產線已實現全面量產，目前年產能達25萬只。

比肩國際的光伏、UPS SiC產品

泰科天潤的1200V 80mΩ SiC MOSFET也受到了EEWorld工程師的推薦，該產品具有更低的導通電阻，更低的開關損耗，更高的開關頻率，更高的工作溫度， Vth典型值超過3V。應用場景包括，光伏、OBC、UPS及電機驅動等。據工程師評論，泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業(yè)解決方案。目前泰科天潤的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的產品已經投入批量生產，產品質量完全可以比肩國際同行業(yè)的先進水平。產能方面，泰科天潤湖南6寸晶圓線已累計完成超３萬片流片和銷售，此外北京8寸晶圓線已開工建設，2025年可實現通線投產。

自產自用的SiC產品

比亞迪在新能源時代無疑逐漸成為王者，而在SiC方面，其表現也非常強勁，甚至有著“車圈Wolfspeed”的稱號。從產品上面來看，工程師們都非常推薦比亞迪半導體的碳化硅MOSFET BSKE040S120。據介紹，比亞迪SiC功率器件包含單管和功率模組兩種封裝形式。單管產品應用于新能源汽車DC-DC轉換模組及AC-DC雙向逆變模組；模塊產品應用于新能源汽車使電機驅動控制器體積大幅縮小，整車性能在現有基礎上大幅提升。今年，比亞迪宣稱，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠，該工廠將會在今年下半年投產，產能規(guī)模全球第一，是第二名的十倍。同時，在今年5月還公布，全新一代SiC功率模塊采用了“全球首創(chuàng)”的疊層激光焊技術。取代了傳統的螺栓連接工藝，從而使得他們HPD模塊的雜散電感大幅降低75%，電控最高效率達99.86%，過流能力提高了10%，實現碳化硅功率模塊性能全面躍升。

我國SiC MOSFET正在極速上車

我國SiC MOSFET增速和成長非常明顯，同時在汽車領域也取得了重大的進展：

2023年7月10日，派恩杰宣布1700V/1Ω SiC MOSFET產品已成功應用于國內知名能源汽車企業(yè)的主驅逆變器輔助電源項目，并收獲該知名新能源車企訂單。

2023年7月10日，納芯微宣布了他們的SiC MOSFET產品，全系列具有1200V的耐壓能力。該系列產品包括四種規(guī)格的Rdson（Vgs=18V），分別為14/22/40/60mΩ，并計劃經過全面的車規(guī)級認證，以確保完全符合汽車級應用的需求。

2023年10月，國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了AEC-Q101車規(guī)級認證并通過高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。

2024年3月8日，瞻芯電子宣布開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。

2024年3月，蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT近日順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB。

2024年12月，昕感科技面向新能源領域推出一款重量級SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0），實現了業(yè)界領先的超低導通電阻規(guī)格1200V/7mΩ。新品基于車規(guī)級工藝平臺，兼容18V柵壓驅動。

此外，在溝槽型SiC上，國內也有著新突破。今年9月，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷經四年自主研發(fā)，成功突破了溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造的關鍵技術，標志著我國在這一領域實現了首次重大突破。

審核編輯 黃宇