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長電科技“封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置”專利獲授權(quán)

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2025-01-24 12:58 ? 次閱讀
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天眼查顯示,江蘇長電科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置”的專利,授權(quán)公告號為CN115101434B,授權(quán)公告日為2024年12月10日,申請日為2022年7月21日。

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本發(fā)明揭示了一種封裝結(jié)構(gòu)制作方法和芯片防翹曲裝置,所述制作方法包括步驟:提供一測試基板和測試堆疊芯片組,形成測試封裝結(jié)構(gòu);將測試封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行回流焊工藝;測試回流焊工藝后測試封裝結(jié)構(gòu)的焊接性能;當(dāng)所述焊接性能失效時,提供一芯片防翹曲裝置和與所述測試封裝結(jié)構(gòu)相同的產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),將產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)固定裝載于所述芯片防翹曲裝置內(nèi),再進(jìn)行回流焊工藝。能夠很有效防止抑制下部芯片在回流焊工藝過程中產(chǎn)生較大程度的翹曲,減小上部芯片和下部芯片之間的焊接失效的風(fēng)險,改善3D封裝焊接質(zhì)量。

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審核編輯 黃宇

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