來源：北京半導(dǎo)體協(xié)會(huì)

2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了先前的低迷之后，開始呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。根據(jù)SEMI報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體制造材料2023年市場(chǎng)規(guī)模約166億美元。雖然下游市場(chǎng)在2023年略顯疲軟，但已于2024年開始逐漸回暖，代工廠稼動(dòng)率也逐步提升，帶動(dòng)全球半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)擴(kuò)大。并且，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)能向國內(nèi)遷徙，新晶圓廠項(xiàng)目的啟動(dòng)和技術(shù)升級(jí)，也利好本土半導(dǎo)體材料，帶動(dòng)需求逐漸復(fù)蘇。

SEMI全球營銷長(zhǎng)暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵時(shí)刻，擴(kuò)產(chǎn)投資正在推動(dòng)先進(jìn)與主流技術(shù)的發(fā)展，以滿足全球產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的需求。他指出，生成式AI與高效能運(yùn)算正在推動(dòng)先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)器領(lǐng)域的進(jìn)步，而主流制程則繼續(xù)支撐汽車、物聯(lián)網(wǎng)和功率電子類別等關(guān)鍵應(yīng)用。

鑒于美國、日本及荷蘭聯(lián)合對(duì)中國大陸實(shí)施的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口制裁，中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的產(chǎn)能擴(kuò)張速度有所放緩。而成熟制程的擴(kuò)產(chǎn)仍占據(jù)主流地位，為國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商切入提供機(jī)遇。

材料國產(chǎn)化率仍在進(jìn)一步提升

2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的年增長(zhǎng)率將達(dá)到6.6%，每月3360萬片晶圓，而主流制程產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)6%的增長(zhǎng)，達(dá)到每月1500萬片。相較于先進(jìn)制程，成熟制程的工藝制程節(jié)點(diǎn)較低，對(duì)半導(dǎo)體材料的工藝需求處于中等水平，這為國產(chǎn)半導(dǎo)體材料廠商提供了難得的契機(jī)，有望借此機(jī)會(huì)推動(dòng)其產(chǎn)品進(jìn)入供應(yīng)鏈體系。

半導(dǎo)體材料多而雜，目前國產(chǎn)化率仍偏低，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，CMP拋光材料、光刻膠和電子氣體等是國內(nèi)薄弱及“卡脖子”環(huán)節(jié)，國產(chǎn)化率不足30%，市場(chǎng)空間仍舊廣闊。

其中，2022年硅片國產(chǎn)化率僅為9%，至2024年8英寸硅片國產(chǎn)化率達(dá)55%，但12英寸硅片國產(chǎn)化率相對(duì)較低，為10%。8英寸硅材料在車規(guī)級(jí)、電子消費(fèi)品等領(lǐng)域市場(chǎng)需求相對(duì)穩(wěn)定，12英寸硅片廣泛應(yīng)用于邏輯與存儲(chǔ)芯片等制造領(lǐng)域。AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)的發(fā)展，極大地推動(dòng)了12英寸硅材料的需求。信越化學(xué)表示，在AI需求推動(dòng)下，12英寸產(chǎn)品出貨量自2024年7月以后逐步增加。

光掩膜則開始向晶圓廠商自產(chǎn)為主轉(zhuǎn)變。28nm及以下的先進(jìn)制程晶圓制造工藝復(fù)雜且難度大，用于芯片制造的掩模版涉及晶圓制造廠的重要工藝機(jī)密，自制掩模版可防止技術(shù)泄露，如英特爾、三星、臺(tái)積電、中芯國際等先進(jìn)制程晶圓制造廠商的掩模版均主要由自制掩模版部門提供。對(duì)于大規(guī)模晶圓廠商，長(zhǎng)期來看，自產(chǎn)光掩?？蓽p少采購中間環(huán)節(jié)成本，且能更好地與自身生產(chǎn)流程匹配，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

整體光刻膠高端國產(chǎn)化率約10%，由于市場(chǎng)規(guī)模和利潤率都偏小，商業(yè)模式上依舊困難。從產(chǎn)品細(xì)分來看，半導(dǎo)體端g/i線光刻膠國產(chǎn)化率為30%，krf光刻膠國產(chǎn)化率為10%，arf光刻膠國產(chǎn)化率為2%，euv光刻膠還處于研發(fā)階段。雖然國內(nèi)光刻膠企業(yè)數(shù)量眾多，但規(guī)模普遍較小，缺乏整合和協(xié)同，這不利于形成規(guī)模效應(yīng)，降低成本，提高競(jìng)爭(zhēng)力。

濺射靶材當(dāng)前的國產(chǎn)化程度已經(jīng)非常高，江豐電子作為具備國際競(jìng)爭(zhēng)力的超高純靶材供應(yīng)商，產(chǎn)品全面覆蓋先進(jìn)制程、成熟制程和特色工藝領(lǐng)域，其在晶圓制造靶材領(lǐng)域市占率達(dá)到38%。

產(chǎn)能擴(kuò)張、存儲(chǔ)芯片升級(jí)和先進(jìn)制程推動(dòng)也影響著CMP拋光材料的需求。如14nm以下邏輯芯片工藝要求的關(guān)鍵CMP工藝將達(dá)到20步以上，7nm及以下邏輯芯片工藝中CMP拋光步驟可能達(dá)到30步，使用拋光液種類接近30種，存儲(chǔ)芯片由2D NAND向3D NAND演進(jìn)，也推動(dòng)CMP工藝步驟近乎翻倍。

全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)在經(jīng)歷2023年下滑后，2024年開始恢復(fù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2028年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）為5.6%。2024年中國封裝材料市場(chǎng)規(guī)模約490億元，同比增長(zhǎng)0.9%

2025年，封裝材料朝著更小、更薄、更高性能的方向發(fā)展，如為滿足2.5D、3D、先進(jìn)半導(dǎo)體封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)，對(duì)介電材料等封裝材料在低介電常數(shù)、CTE匹配、機(jī)械特性等方面提出了更高要求。我國在引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲等方面也均實(shí)現(xiàn)了較高的國產(chǎn)替代率。

并購頻發(fā)，硅片廠商領(lǐng)銜

2024年以來，有7家半導(dǎo)體材料公司發(fā)起并購，其中3家為上游硅片廠商，分別是立昂微、TCL中環(huán)，和有研硅；2家為半導(dǎo)體制造設(shè)備提供原材料，為中巨芯和艾森股份；另外2家是提供半導(dǎo)體封裝原材料的公司，華威電子起先和德邦科技接洽并購，宣告失敗后轉(zhuǎn)向華海誠科，目前華海誠科定增收購華威電子70%股權(quán)正在進(jìn)展中。

2024年11月2日，有研硅擬收購DGT70%股權(quán)（日企），DGT主要從事刻蝕設(shè)備用部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，有研硅生產(chǎn)的刻蝕設(shè)備用硅材料是DGT生產(chǎn)刻蝕設(shè)備部件的主要原料，已達(dá)成轉(zhuǎn)讓意向；11月27日，TCL中環(huán)收購Maxeon旗下相關(guān)公司股權(quán)及資產(chǎn)，Maxeon擁有多項(xiàng)電池和組件專利技術(shù)、品牌和渠道優(yōu)勢(shì)，此次交易能整合海外制造和渠道資源，提升TCL中環(huán)全球化業(yè)務(wù)運(yùn)營能力；12月3日，立昂微子公司以1.47億元收購嘉興康晶公司16.65%股權(quán)，屬于擴(kuò)充產(chǎn)品線類型，涉及功率器件領(lǐng)域，已通過股東大會(huì)。

中巨芯在2024年收購半導(dǎo)體高純石英材料制造商Heraeus Conamic UK Limited 100%股權(quán)，Heraeus Conamic UK Limited的產(chǎn)品涵蓋天然熔融石英和合成熔融石英等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體刻蝕工藝和光學(xué)應(yīng)用；艾森股份公告計(jì)劃以自有資金通過其新加坡全資子公司INOFINE PTE. LTD.收購馬來西亞INOFINE公司（全稱為 INOFINE CHEMICALS SDN BHD）的80%股權(quán)，雙方在濕電子化學(xué)品業(yè)務(wù)上的融合，可實(shí)現(xiàn)技術(shù)、產(chǎn)品等方面的協(xié)同。

華海誠科與華威電子分居半導(dǎo)體環(huán)氧塑封料國內(nèi)廠商出貨量第二與第一位，收購?fù)瓿珊?，新公司在半?dǎo)體環(huán)氧模塑料領(lǐng)域的年產(chǎn)銷量有望突破25,000噸，穩(wěn)居國內(nèi)廠商龍頭地位，并躍居全球第二位，使得行業(yè)集中度進(jìn)一步提升。

2025年初，也已有大瑞科技、陽谷華泰、羅博特科等材料公司陸續(xù)發(fā)生收購行為。不同企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的不同環(huán)節(jié)或技術(shù)領(lǐng)域各有優(yōu)勢(shì)，通過收購可以實(shí)現(xiàn)技術(shù)資源的整合，發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)，加速技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)，提升整體技術(shù)水平。

我國限制關(guān)鍵半導(dǎo)體原材料出口反制制裁

中國對(duì)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制正在對(duì)供應(yīng)鏈造成沖擊，歐美開始擔(dān)心先進(jìn)芯片和光學(xué)硬件可能出現(xiàn)的短缺。

據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局稱，中國生產(chǎn)了全球98%的鎵和60%的鍺。自去年7月以來，我國為了應(yīng)對(duì)美國出口制裁，保護(hù)國家安全和利益，對(duì)這些礦物實(shí)施了出口限制，導(dǎo)致它們?cè)跉W洲的價(jià)格在過去一年里上漲了近一倍。

鎵和鍺對(duì)于半導(dǎo)體應(yīng)用、軍事和通訊設(shè)備至關(guān)重要。它們是生產(chǎn)先進(jìn)微處理器、光纖產(chǎn)品和夜視鏡的必備材料，因此我國政府持續(xù)實(shí)施的出口限制可能會(huì)阻礙這些產(chǎn)品的生產(chǎn)。

與此同時(shí)，我國政府近期宣布了新的銻出口限制。銻用于制造穿甲彈、夜視鏡和精密光學(xué)元件。

此前，中國政府已對(duì)石墨和稀土提取和分離技術(shù)實(shí)施出口管制。根據(jù)規(guī)定，每批貨物都需要獲得批準(zhǔn)，整個(gè)過程需要30到80天，而且存在不確定性，因此簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)合同并不切實(shí)際。申請(qǐng)必須明確買方和預(yù)期用途。

半導(dǎo)體材料行業(yè)消息人士的話稱，我國正利用這些限制來追趕美國和其他半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先者。鑒于目前的全球形勢(shì)和中美關(guān)系，當(dāng)局似乎并沒有放松出口管制的動(dòng)機(jī)。

展望總結(jié)

總的來說，隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇，晶圓廠稼動(dòng)率提高，各類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子等對(duì)半導(dǎo)體元件需求持續(xù)旺盛，進(jìn)而帶動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求增長(zhǎng)。特別是 AI芯片的爆發(fā)性增長(zhǎng)，對(duì)高性能半導(dǎo)體材料的需求更為迫切。我國對(duì)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的出口管制，使全球半導(dǎo)體材料供應(yīng)格局發(fā)生變化，部分材料供應(yīng)趨緊，一些企業(yè)會(huì)通過尋找多元供應(yīng)渠道、加大自身研發(fā)生產(chǎn)力度等方式來保障供應(yīng)。

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。一方面，國際巨頭企業(yè)憑借技術(shù)、品牌和市場(chǎng)份額優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)在高端市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位；另一方面，中國、韓國等國家和地區(qū)的企業(yè)不斷加大研發(fā)投入和產(chǎn)能擴(kuò)張，在中低端市場(chǎng)和部分高端領(lǐng)域與國際企業(yè)展開競(jìng)爭(zhēng)。

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審核編輯 黃宇