視頻監(jiān)控系統(tǒng)從最初的模擬視頻監(jiān)控發(fā)展到如今與AI智能技術(shù)和物聯(lián)網(wǎng)整合，其內(nèi)部硬件與外部接口也發(fā)生的很大的改變和更新迭代。由于監(jiān)控攝像頭外部的接口類型眾多，同時監(jiān)控攝像頭大多擺放于戶外環(huán)境，較容易遇到ESD/EOS能量干擾，因此在進(jìn)行電路ESD防護(hù)設(shè)計時，應(yīng)選擇具有ESD/EOS耐受能力的防護(hù)元件，否則當(dāng)外部ESD/EOS能量干擾到系統(tǒng)時，監(jiān)控攝像頭系統(tǒng)就可能遭到破壞。

本應(yīng)用方案從監(jiān)控攝像頭各種類型的接口出發(fā)，以晶揚電子相應(yīng)規(guī)格的ESD保護(hù)器件為不同的模塊和應(yīng)用場景提供豐富的ESD保護(hù)應(yīng)用方案。主要采用的ESD保護(hù)芯片型號為TS1211LB、TS0301VE、TT0301NB、TT0521SB、TS0511LE、TT0514TL、TT3304SP、TT0314TP。

TS1211LB

（1）如下圖1為TS1211LB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表1為TS1211LB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TS1211LB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的，它具有一個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為12V，即反向電壓12V，加于TS1211LB上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為13.3V，即25°C時，所加的反向電壓在13.3V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為19V@5A，即在流過的峰值電流為5A其兩端電壓可以鉗位在19V；Cj為70pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖1 TS1211LB內(nèi)部電路示意圖

圖1 TS1211LB內(nèi)部電路示意圖

TS0301VE

（2）如下圖2為TS0301VE保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表4為TS0301VE保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TS0301VE主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的，它具有一個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加于TS0301VE上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為3.5V，即25°C時，所加的反向電壓在3.5V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為7V@2A，即在流過的峰值電流為2A其兩端電壓可以鉗位在7V；Cj為2pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖2 TS0301VE內(nèi)部電路示意圖

表2 TS0301VE主要性能參數(shù)

TT0301NB

（3）如下圖3為TT0301NB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表3為TT0301NB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TT0301NB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的，它具有一個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加于TT0301NB上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為5.2V，即25°C時，所加的反向電壓在5.2V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為7V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在7V；Cj為16pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖3TT0301NB內(nèi)部電路示意圖

表3 TT0301NB主要性能參數(shù)

TT0521SB

（4）如下圖4為TT0521SB保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表4為TT0521SB保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TT0521SB主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的，它具有一個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為12V，即反向電壓5V加于TT0521SB上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為0.35pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖4TT0521SB內(nèi)部電路示意圖

表4 TT0521SB主要性能參數(shù)

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TS0511LE

（5）如下圖5為TS0511LE保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表5為TS0511LE保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TS0511LE主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管組成的，它具有一個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為12V，即反向電壓5V加于TS0511LE上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為150pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖5TS0511LE內(nèi)部電路示意圖

表5 TS0511LE主要性能參數(shù)

TT0514TL

（6）如下圖6為TT0514TL保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表6為TT0514TL保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TT0514TL主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的，它具有四個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為12V，即反向電壓5V加于TT0514TL上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為6V，即25°C時，所加的反向電壓在6V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為12V@1A，即在流過的峰值電流為1A其兩端電壓可以鉗位在12V；Cj為0.6pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。

圖6TT0514TL內(nèi)部電路示意圖

表6 TT0514TL主要性能參數(shù)

TT3304SP

（7）如下圖7為TT3304SP保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表7為TT3304SP保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TT3304SP主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的，它具有4個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加于TT3304SP上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為6.5V，即25°C時，所加的反向電壓在6.5V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為8V@6A，即在流過的峰值電流為6A其兩端電壓可以鉗位在8V；Cj為0.18pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。該款產(chǎn)品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護(hù)IC，最低容值達(dá)到0.18pf，可以滿足高速傳輸?shù)囊蟆?/p>

圖7TT3304SP內(nèi)部電路示意圖

表7 TT3304SP主要性能參數(shù)

實測TLP 曲線如下：

圖8TT3304SP實測TLP曲線

TT0314TP

（8）如下圖9為TT0314TP保護(hù)芯片內(nèi)部電路示意圖。下表8為TT0314TP保護(hù)芯片主要性能參數(shù)。從中可以看出，TT0314TP主要是由具有一定的ESD保護(hù)電壓額定值的二極管陣列組成的，它具有4個通道數(shù)，VRWM（最大連續(xù)工作的脈沖電壓）為3.3V，即反向電壓3.3V加于TT0314TP上時，二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài)；VBR（最小的雪崩電壓）為4V，即25°C時，所加的反向電壓在4V之前，保護(hù)的二極管陣列不導(dǎo)通；VC@Ipp（鉗位電壓@脈沖電流）為8V@2.5A，即在流過的峰值電流為2.5A其兩端電壓可以鉗位在8V；Cj為0.6pF，該電容是二極管陣列的寄生電容。該款產(chǎn)品是是一款DFN2510-10L的小封裝四路陣列型的ESD保護(hù)IC，最低容值達(dá)到0.6pf，可以滿足高速傳輸?shù)囊蟆?/p>

圖9TT0314TP內(nèi)部電路示意圖

表8 TT0314TP主要性能參數(shù)

實測TLP 曲線如下：

圖10TT0314TP實測TLP曲線