碳化硅成本下降：6英寸晶圓量產(chǎn)推動(dòng)SiC器件價(jià)格年降15%-20%，2025年國(guó)產(chǎn)SiC方案成本優(yōu)于硅基方案和進(jìn)口器件。

政策與標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)

高效能要求：中國(guó)“雙碳”目標(biāo)及歐洲CE認(rèn)證強(qiáng)制要求逆變器效率≥98%，傳統(tǒng)方案難以達(dá)標(biāo)；

高電壓系統(tǒng)升級(jí)：1500V組串成為光伏電站標(biāo)配，老款兩電平方案無(wú)法滿(mǎn)足新一代系統(tǒng)需求。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

基本半導(dǎo)體提供從芯片到模塊的全套解決方案，支持定制化設(shè)計(jì)，BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以?xún)?nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

結(jié)論

BASiC基本半導(dǎo)體B3M013C120Z與B3D80120H2組合而成的1500V地面電站大組串MPPT升壓方案，憑借高效率、高可靠性、高功率密度及成本優(yōu)勢(shì)，正在快速取代老舊的2000V耐壓器件的兩電平MPPT升壓方案。其飛跨電容三電平設(shè)計(jì)不僅契合1500V光伏系統(tǒng)需求，更引領(lǐng)行業(yè)向高頻化、緊湊化、智能+化方向發(fā)展。隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成熟與政策支持，該方案將成為全球光伏逆變器的主流選擇，推動(dòng)新能源發(fā)電效率邁向新高度。

審核編輯 黃宇