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國產(chǎn)AI芯片破局:國產(chǎn)TCB設(shè)備首次完成CoWoS封裝工藝測試

焦點訊 ? 來源:焦點訊 ? 作者:焦點訊 ? 2025-03-14 11:09 ? 次閱讀
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DeepSeek的突破性進展,讓中國在AI產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域似乎迅速縮小了和美國的差距,然而整個國產(chǎn)大模型的運行仍高度依賴英偉達的芯片支持。盡管國產(chǎn)GPU設(shè)計能力迅速提升,但隨著臺積電對中國大陸的供應(yīng)限制,高端GPU的國產(chǎn)化制造成為中國AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵挑戰(zhàn),尤其是CoWoS先進封裝制程的自主化尤為緊迫,目前中國大陸產(chǎn)能極少,且完全依賴進口設(shè)備,這一瓶頸嚴重制約著國產(chǎn)AI發(fā)展進程。在此背景下,普萊信智能開發(fā)的Loong系列TCB設(shè)備,通過與客戶的緊密合作,率先完成了國產(chǎn)AI芯片的CoWoS-L測試打樣,實現(xiàn)了國產(chǎn)TCB設(shè)備在AI芯片CoWoS封裝領(lǐng)域的首次突破。

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CoWoS封裝——AI芯片高密度集成的基石

隨著AI大模型、自動駕駛、高性能計算(HPC)的爆發(fā)式增長,傳統(tǒng)芯片封裝技術(shù)已無法滿足算力密度和能效比的需求。臺積電推出的CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)技術(shù),通過將邏輯芯片、高帶寬內(nèi)存(HBM)、硅中介層等異構(gòu)元件三維堆疊集成,成為AI芯片的“終極封裝方案”。其核心優(yōu)勢在于:

1、超高密度互聯(lián):利用硅中介層實現(xiàn)微米級TSV(硅通孔)互連,布線密度較傳統(tǒng)2D

封裝提升10倍以上,突破數(shù)據(jù)傳輸瓶頸;

2、極致能效比:HBM與GPU/ASIC芯片的“近存計算”架構(gòu),將數(shù)據(jù)傳輸功耗降低50%,顯著提升能效比;

3、卓越異構(gòu)集成能力:突破傳統(tǒng)封裝限制,支持多芯片、多工藝節(jié)點(如7nm邏輯芯片+40nm硅中介層)混合封裝,為芯片設(shè)計提供更大自由度。

TCB設(shè)備——CoWoS封裝的心臟與技術(shù)制高點

在CoWoS封裝流程中,熱壓鍵合(Thermal Compression Bonding, TCB)是決定良率與性能的核心環(huán)節(jié)。其作用包括:

1、精準連接:以微米級精度將芯片與中介層或基板對準,通過熱壓實現(xiàn)銅柱凸點(Cu Pillar)的共晶鍵合;

2、熱應(yīng)力控制:在高溫高壓下平衡芯片翹曲,避免微裂紋或界面分層;

3、多層堆疊:支持HBM與邏輯芯片的多次鍵合,確保信號完整性。

應(yīng)用于CoWoS封裝的熱壓鍵合(TCB)設(shè)備,精度要求極高,通常不低于±1.5μm,甚至新一代的TCB設(shè)備,精度要求達到亞微米,要在這種對溫度、壓力嚴格控制環(huán)境下,實現(xiàn)穩(wěn)定的精度和力控,全球現(xiàn)在只有國際少數(shù)幾家半導體設(shè)備巨頭能生產(chǎn)TCB設(shè)備,如新加坡ASM Pacific、美國Kulicke & Soffa,韓國Hanmi等。同時,隨著AI芯片尺寸增大(如英偉達GB200芯片達130×90mm),設(shè)備需支持更大鍵合面積、更高精度及多芯片同步對準,及對無助焊劑封裝的要求,F(xiàn)luxless的鍵合與自適應(yīng)翹曲補償技術(shù)成為未來趨勢。

全球CoWoS市場爆發(fā)式增長,中國需求激增與產(chǎn)能瓶頸并存

據(jù)Yole Développement預測,2023年全球CoWoS封裝市場規(guī)模已突破35億美元,未來三年將以年均42%的復合增長率快速擴張,預計2026年市場規(guī)模將超100億美元。其中,AI芯片貢獻超70%需求——僅英偉達H100/H200、AMD MI300X等旗艦產(chǎn)品,單顆芯片即需1-2片CoWoS中介層,而2024年全球AI芯片出貨量預計達150萬顆,拉動CoWoS產(chǎn)能缺口持續(xù)擴大。

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中國作為全球AI芯片第二大市場,CoWoS封裝需求正急速攀升:華為昇騰910B、寒武紀思元590、壁仞B(yǎng)R100等國產(chǎn)AI芯片已進入CoWoS量產(chǎn)階段,單顆芯片中介層需求達2-4片;互聯(lián)網(wǎng)巨頭(如百度、阿里)自研AI芯片亦加速導入CoWoS。

據(jù)測算,2024年中國大陸CoWoS封裝市場規(guī)模將達8億美元,2026年有望突破25億美元,年增長率超70%。但核心瓶頸在于包括TCB設(shè)備在內(nèi)的關(guān)鍵設(shè)備100%依賴進口,且美國可能將高端TCB設(shè)備納入對華半導體設(shè)備禁令,導致產(chǎn)能擴張計劃面臨“無米之炊”風險。

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美國禁令倒逼國產(chǎn)化,TCB設(shè)備成AI芯片制造破局關(guān)鍵

美國商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)已將CoWoS相關(guān)技術(shù)列為“重點關(guān)注領(lǐng)域”,若對TCB設(shè)備實施出口管制,中國大陸先進封裝產(chǎn)線或?qū)⑾萑胪?。例如:ASM Pacific已暫停向部分中國客戶供應(yīng)TCB系列設(shè)備;Besi的LAB設(shè)備對中國客戶實施“逐案審查”。在此背景下,TCB設(shè)備國產(chǎn)化不僅是商業(yè)需求,更是AI芯片供應(yīng)鏈安全的生死線。

3月26-28日,SEMICON China展會期間,普萊信(展位號:N1-1285)將攜TCB熱壓鍵合機Loong(國產(chǎn)唯一HBM/CoWoS鍵合設(shè)備)、巨量轉(zhuǎn)移式板級封裝設(shè)備XBonder Pro、高速夾焊系統(tǒng)Clip Bonder、多功能超高精度機DA403等亮相。

審核編輯 黃宇

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