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電壓放大器在差分激光干涉納米位移測(cè)量方法研究中的應(yīng)用

測(cè)試技術(shù)分享 ? 來源:測(cè)試技術(shù)分享 ? 作者:測(cè)試技術(shù)分享 ? 2025-03-19 10:56 ? 次閱讀
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實(shí)驗(yàn)名稱:改進(jìn)后的PGC解調(diào)算法位移測(cè)量實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模候?yàn)證改進(jìn)后的PGC解調(diào)算法在實(shí)際應(yīng)用中對(duì)由相位延遲及調(diào)制深度引入的非線性誤差的抑制效果。

測(cè)試設(shè)備:電壓放大器、函數(shù)發(fā)生器、穩(wěn)頻激光器、電光相位調(diào)制器、探測(cè)器等。

實(shí)驗(yàn)過程:

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圖1:基于EOM調(diào)制的正弦相位調(diào)制干涉儀原理圖及實(shí)驗(yàn)裝置圖

搭建了基于EOM調(diào)制的正弦相位調(diào)制干涉儀如圖1所示,光源部分的He-Ne穩(wěn)頻激光器型號(hào)為XL-80,輸出光的波長為632.990577nm,光路結(jié)構(gòu)中使用的四分之一波片QWP、分束立方體BS、角錐棱鏡M1和M2、電光相位調(diào)制器EOM及探測(cè)器PD,固定測(cè)量鏡M2的導(dǎo)軌,該導(dǎo)軌總運(yùn)動(dòng)范圍為15μm,單向重復(fù)定位精度為1nm,位移分辨率為0.05nm。

實(shí)驗(yàn)中,正弦調(diào)制信號(hào)FPGA開發(fā)板產(chǎn)生并通過DAC模塊輸出,經(jīng)過一級(jí)運(yùn)放放大后再經(jīng)過高壓放大器放大(放大20倍),最終連接至EOM進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。通過調(diào)整正弦調(diào)制信號(hào)的初相位及幅值,可以控制實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)中的相位延遲及調(diào)制深度。函數(shù)發(fā)生器輸出正弦信號(hào)至P-753.1CD導(dǎo)軌Analogin輸入端,控制導(dǎo)軌在1000nm范圍內(nèi)進(jìn)行正弦運(yùn)動(dòng),頻率為350Hz。分別在三種不同的相位延遲及調(diào)制深度情況下進(jìn)行相位解調(diào)(1.調(diào)制深度2.63rad、相位延遲0°;2.調(diào)制深度2.63rad、相位延遲80°;3.調(diào)制深度2.23rad、相位延遲0°)。作為對(duì)比,在相同相位延遲、調(diào)制深度下同時(shí)使用PGC-Arctan算法進(jìn)行相位解調(diào)。同時(shí)記錄改進(jìn)后PGC相位解調(diào)算法與PGC-Arctan解調(diào)算法的測(cè)量結(jié)果。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

圖2和表1為不同相位延遲及調(diào)制深度下的正弦位移實(shí)驗(yàn)結(jié)果。其中,圖2(a)、圖2(c)和圖2(e)展示了兩種算法解調(diào)位移的形狀受相位延遲及調(diào)制深度的影響情況;圖2(b)、圖2(d)和圖2(f)為兩種算法解調(diào)位移的FFT分析,F(xiàn)FT使用的窗函數(shù)為漢寧窗,圖中700Hz、1050Hz等處對(duì)應(yīng)的2階至8階諧波分量可以體現(xiàn)解調(diào)結(jié)果中非線性誤差的大小。將兩種算法的THD和SINAD在表4.1中進(jìn)行了統(tǒng)計(jì),從實(shí)驗(yàn)結(jié)果中可以看出,當(dāng)調(diào)制深度為2.63rad、相位延遲為0°時(shí),兩種算法的非線性誤差均低于1nm,解調(diào)位移的形狀都為理想的正弦。當(dāng)相位延遲為0°、調(diào)制深度變?yōu)?.23rad時(shí),PGC-Arctan算法的解調(diào)位移的形狀受到影響,非線性誤差也大于5nm,此時(shí)THD升高至1.171%,SINAD降低至38.54dB。當(dāng)調(diào)制深度為2.63rad、相位延遲變?yōu)?0°時(shí),PGC-Arctan算法的解調(diào)位移的形狀也明顯受到影響,非線性誤差超過了10nm,此時(shí)THD升高至4.618%,SINAD降低至26.71dB。而在三種情況下,改進(jìn)后的PGC解調(diào)算法的解調(diào)位移始終為理想的正弦,且THD均低于0.12%、SINAD均高于58dB,表明改進(jìn)后的PGC解調(diào)算法的解調(diào)結(jié)果不受相位延遲及調(diào)制深度的影響。

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圖2:不同相位延遲及調(diào)制深度下的正弦位移實(shí)驗(yàn)結(jié)果

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表1:解調(diào)位移的FFT分析結(jié)果

電壓放大器推薦:ATA-2082

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圖:ATA-2082高壓放大器指標(biāo)參數(shù)

本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布,更多案例及產(chǎn)品詳情請(qǐng)持續(xù)關(guān)注我們。西安安泰電子Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產(chǎn)品線,且具有相當(dāng)規(guī)模的儀器設(shè)備供應(yīng)商,樣機(jī)都支持免費(fèi)試用。電壓放大器https://www.aigtek.com/products/bk-dyfdq.html

審核編輯 黃宇

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    安泰<b class='flag-5'>電壓放大器</b><b class='flag-5'>在</b>正弦相位調(diào)制<b class='flag-5'>激光</b><b class='flag-5'>干涉</b><b class='flag-5'>納米</b><b class='flag-5'>位移</b><b class='flag-5'>測(cè)量</b>系統(tǒng)<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

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