概述
HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用無引腳3 mm × 3 mm塑料表貼封裝。該放大器的工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信號增益，1.8 dB的噪聲系數(shù)，28 dBm的輸出IP3，采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。

16 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。HMC902LP3E還具有隔直輸入/輸出，內(nèi)部匹配50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電和C頻段甚小孔徑終端(VSAT)應(yīng)用。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對點(diǎn)無線電
• 點(diǎn)對多點(diǎn)無線電
• 軍事和太空
• 測試儀器儀表

特性

• 低噪聲系數(shù)：1.8 dB（典型值）
• 高增益：19.5 dB
• 高P1dB輸出功率：16 dBm（典型值）
• 單電源：3.5 V (80 mA)
• 輸出IP3：28 dBm
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低靜態(tài)漏極控制(IDQ)。
• 3 mm × 3 mm、16引腳芯片級(LFCSP)封裝：9 mm2

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

操作理論
HMC902LP3E是一個GaAs，MMIC，pHEMT，LNA。TheHMC902L。P3E放大器使用兩個串聯(lián)增益級。放大器的基本原理圖如圖21所示，它構(gòu)成了工作頻率范圍為5 GHz至11 GHz的aLNA，具有出色的噪聲系數(shù)性能。

HMC902LP3E具有單端輸入和輸出端口，阻抗在5 GHz至11 GHz頻率范圍內(nèi)標(biāo)稱值等于50歐姆。因此，該器件可以直接插入50 歐姆系統(tǒng)，無需阻抗匹配電路，這也意味著多個HMC902LP3E放大器可以背靠背級聯(lián)，無需外部匹配電路。
輸入和輸出阻抗相對于溫度和電源電壓的變化足夠穩(wěn)定，不需要阻抗匹配補(bǔ)償。為確保穩(wěn)定工作，必須為封裝接地焊盤提供極低電感的接地連接。為實現(xiàn)HMC902LP3E的最佳性能并防止器件損壞，請勿超過絕對最大額定值。