30V 30A雙N溝道MOSFET

納祥科技NX7011采用先進的溝槽技術，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的 MOSFET且漏源導通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應用。

在性能上，NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。

NX7011主要特性

NX7011的主要特性有以下幾個：

●30V，30A

●RDS(ON) =7.3m? (Typ.) @ VGS = 10V

●RDS(ON)=9.8m? (Typ.) @ VGS = 4.5V

●先進的溝槽技術

●提供先進的RDS(ON)

NX7011芯片亮點

NX7011采用小型化封裝，導通電阻低，電路性能優(yōu)良。

① 小型化封裝

NX7011采用PDFN3*3小型化封裝，有助于節(jié)省PCB設計空間。NX7011還具備良好的電氣性能與熱性能，通用性和兼容性強。

② 低漏源導通電阻

在柵極電壓為 10V 時，NX7011的漏極與源極之間呈現(xiàn)的典型導通電阻為 7.3 m? ，能夠減少功率損耗，簡化散熱要求，增強電路性能。

NX7011應用領域

因其性能特質，NX7011應用范圍廣泛，特別適用于需要高電流處理和大功率控制的場合，如無線充，電動工具、液晶電視、電動自行車、安防、電機?等領域中。