PI超快速Qspeed H系列二極管可替代碳化硅元件
PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當的效率和電壓降額性能，同時具有硅二極管的價格優(yōu)勢和供應保證。
新款二極管設計用于滿足現代應用日益增長的功率要求，適合1.6kW至11kW的連續(xù)導通模式(CCM) PFC升壓應用。在使用高功率CPU和GPU的服務器、電信、網絡設備和工業(yè)電源中，它們可輕松滿足80%的擊穿電壓降額要求。
650V Qspeed二極管的反向恢復電荷與SiC二極管相當，因此在3.4kW電池充電器應用中的系統(tǒng)效率與后者幾乎相同?；旌螾iN-Schottky二極管技術使其具有軟的反向恢復電流特性，可降低EMI和峰值反向電壓應力，從而無需使用緩沖器。
交錯式CCM升壓PFC
新款Qspeed二極管采用行業(yè)標準TO-220AC封裝，具有2.5kV的絕緣能力及優(yōu)異的導熱性能。它們可以直接用來替代同等性能的SiC二極管。
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原文標題：650V Qspeed硅二極管可替代碳化硅元件，適用AI服務器、電信、網絡設備和工業(yè)應用
文章出處：【微信號：Power_Integrations，微信公眾號：PI電源芯片】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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工商網監(jiān)
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