高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求，羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能，為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案。本文將重點(diǎn)介紹羅姆的MOSFET系列產(chǎn)品，帶您了解其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用場景，更多信息您可點(diǎn)擊文內(nèi)相關(guān)鏈接查看。

羅姆MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的特點(diǎn)，其產(chǎn)品線覆蓋小信號器件至800V高耐壓規(guī)格，廣泛適用于電源、電機(jī)等多元化應(yīng)用場景。同時(shí)，MOSFET是汽車電動化的必需品，羅姆的車載MOSFET是符合車載可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的高可靠性產(chǎn)品，并且封裝陣容豐富，可靈活滿足各種車載系統(tǒng)的需求。

車載MOSFET

該系列提供可用于各種應(yīng)用的可高速開關(guān)的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。而且封裝產(chǎn)品陣容豐富，可以適應(yīng)小型化、大電流化的趨勢，靈活滿足客戶的要求。還將通過開發(fā)新工藝結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)速度。

產(chǎn)品推薦

車載Nch MOSFET

產(chǎn)品特點(diǎn)

車載Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐壓分別為40V、60V和100V，均通過采用split gate實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行。所有型號的產(chǎn)品均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，并確保高可靠性。

封裝有適用于不同應(yīng)用的3種形式。小型封裝DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）非常適用于高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等安裝面積較小的應(yīng)用。另外還有已被廣泛用于車載電源等應(yīng)用的TO-252（DPAK）封裝（6.6mm×10.0mm）。DFN2020Y7LSAA封裝的引腳采用的是可潤濕側(cè)翼（Wettable Flank）成型技術(shù)，TO-252封裝的引腳采用的是鷗翼型結(jié)構(gòu)，安裝可靠性都非常高。

產(chǎn)品陣容

190-800V功率MOSFET

羅姆額定電壓為600-800V的功率MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)，兼具高速開關(guān)與低導(dǎo)通電阻的卓越性能，能降低應(yīng)用過程中的能耗損失。該系列精心打造了低噪聲規(guī)格和高速開關(guān)規(guī)格兩類產(chǎn)品，可依據(jù)客戶的具體需求精準(zhǔn)推薦。

在電源應(yīng)用領(lǐng)域，如PC、服務(wù)器、充電器及照明等設(shè)備的PFC電路，低噪聲規(guī)格和高速開關(guān)規(guī)格產(chǎn)品都是理想之選。專為電機(jī)及逆變器節(jié)能化量身定制的PrestoMOS系列產(chǎn)品，內(nèi)置運(yùn)用羅姆專利技術(shù)制成的快速二極管。此系列適配空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)等家電，以及太陽能發(fā)電等領(lǐng)域所使用的電機(jī)及逆變器電路，同時(shí)也適用于圖騰柱型PFC電路和LLC電路，能有效提升能源利用效率。對于LED照明和工業(yè)用途，羅姆特別推薦使用800V規(guī)格的產(chǎn)品，以滿足其對高電壓和高性能的嚴(yán)苛要求。

產(chǎn)品推薦

采用SOT-223-3小型封裝的

600V耐壓Super Junction MOSFET

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 與以往TO-252封裝（6.60mm × 10.00mm × 2.30mm）的產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的面積減少約31%，厚度減少約27%，有助于實(shí)現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外，該產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案（焊盤圖案），因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

2. 五款產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機(jī)應(yīng)用，各有不同的特點(diǎn)。

適用于小型電源的有3款型號，“R6004END4”具有低噪聲的特點(diǎn)，適用于需要采取降噪措施的應(yīng)用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關(guān)的特點(diǎn)，適用于需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復(fù)時(shí)間（trr）并大大降低了開關(guān)損耗，屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品，非常適用于電機(jī)應(yīng)用。

產(chǎn)品陣容

12-150V MOSFET

該系列涵蓋N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。這些產(chǎn)品均具備低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)速度的卓越特性，能有效提升系統(tǒng)效率與響應(yīng)速度。從小信號處理所需的 MOSFET，到滿足大功率需求的功率MOSFET，該系列構(gòu)建起了完備的產(chǎn)品矩陣，可廣泛適用于各類應(yīng)用場景。另外羅姆還為各位工程師提供產(chǎn)品選型手冊及網(wǎng)頁，您可點(diǎn)擊查看。

- PchMOS專用選型指南

- 電機(jī)用新產(chǎn)品規(guī)格書數(shù)據(jù)下載頁面

產(chǎn)品推薦

100V耐壓雙MOSFET

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻（Ron） （Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低達(dá)56%，非常有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。

2. 通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應(yīng)用設(shè)備進(jìn)一步節(jié)省空間。

產(chǎn)品陣容

Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 該產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron），相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。

2. 通過改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)，Qgd（柵-漏電荷，通常與導(dǎo)通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系）也比以往產(chǎn)品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較）。這可以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，非常有助于各種應(yīng)用產(chǎn)品的高效率工作。

產(chǎn)品陣容

羅姆的MOSFET系列產(chǎn)品憑借其顯著的技術(shù)特性、豐富多元的產(chǎn)品陣容以及在車載領(lǐng)域穩(wěn)定可靠的表現(xiàn)，為電子行業(yè)提供了廣泛且適配性強(qiáng)的解決方案。