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隔離式數(shù)字輸入接收器ISO1212浪涌防護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-03-28 17:11 ? 次閱讀
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本文主要是針對隔離式數(shù)字輸入接收器ISO1212的浪涌防護方案,采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護器件對芯片進行浪涌防護,保護設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害,確保設(shè)備的安全性。

一、ISO1212介紹

ISO1212器件是隔離式24V至60V數(shù)字輸入接收器,符合IEC61131-2 1類、2類和3類特性標(biāo)準(zhǔn)。此器件可以在可編程邏輯控制器(PLC)、電機控制、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和其他工業(yè)應(yīng)用中實現(xiàn)9V至300V直流和交流數(shù)字輸入模塊。不同于具有分立式、不精確電流限制電路的傳統(tǒng)光耦合器解決方案,ISO1212器件提供具有精確電流限制的簡單低功耗解決方案,可實現(xiàn)緊湊型和高密度I/O模塊的設(shè)計。這些器件不需要現(xiàn)場側(cè)電源,可配置為拉電流或灌電流輸入。

二、TDS器件介紹

TDS(平緩鉗位浪涌抑制器)具有精準(zhǔn)且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護。當(dāng) EOS 事件來臨時,瞬態(tài)電壓攀升至超過集成精密觸發(fā)器所設(shè)定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發(fā)電路精確的開啟內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管,有效的將瞬態(tài)高壓與大電流安全釋放到地。由于TDS的內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管具有極低的導(dǎo)通電阻,其鉗位電壓在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)幾乎是恒定的。

在選擇浪涌防護器件時,許多工程師會優(yōu)先選擇TVS二極管,實際上大電流TDS芯片在成本和性能、面積上比TVS更具優(yōu)勢。TDS器件的優(yōu)勢如下:

在提供相同保護的情況下,TDS耗散浪涌能量較小,能通過自身特性將過壓與過流事件高效泄放到地,從而避免增加自身熱損耗。

TDS器件體積小巧,結(jié)構(gòu)緊湊,為硬件工程師設(shè)計高度集成型解決方案提供了更優(yōu)選擇。如果應(yīng)用需要超過單個TDS器件所能提供的特定鉗位電壓, 可以將多個TDS器件串聯(lián),提供了更多的靈活性。

TDS器件的鉗位電壓通常比傳統(tǒng)TVS保護設(shè)備的鉗位電壓低30%,減少了系統(tǒng)的電氣應(yīng)力,可以更好的保護后端IC,也為系統(tǒng)中的其他組件創(chuàng)造了更大的安全余量。

TDS器件在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)擁有幾乎恒定的鉗位電壓。傳統(tǒng)TVS二極管的箝位電壓隨著峰值脈沖電流的增加而增加,而TDS器件的鉗位電壓在最大峰值脈沖電流之前幾乎保持不變。

TDS器件的鉗位電壓在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,而傳統(tǒng)TVS二極管的鉗位電壓隨溫度變化。TDS器件擁有卓越的耐用性,在工作規(guī)格內(nèi)性能不會下降,仍能保證低漏電和高鉗位電壓。

三、應(yīng)用方案

wKgZPGfmZU-AEHj5AAEAv5SKSwU218.png圖1?應(yīng)用方案

上圖部分詳細(xì)介紹了使用數(shù)字輸入接收器ISO1212設(shè)計電壓等級為24-V或48-V的二進制輸入。這是一個帶集成電源的隔離數(shù)字輸入接收器,簡化了整個系統(tǒng)設(shè)計。24-V輸入端使用由兩個工作電壓為33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR反向串聯(lián)形成的雙向瞬態(tài)抑制器來防止過電壓和瞬態(tài);48-V輸入端由兩個工作電壓為55V的浪涌抑制器反向串聯(lián)形成的雙向瞬態(tài)抑制器來防止過電壓和瞬態(tài),工作電壓為55V的器件是由一個工作電壓33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR和一個工作電壓22V的浪涌抑制器ESTVS2200DRVR正向串聯(lián)而成。

ESTVS2200DRVR和ESTVS3300DRVR是湖南靜芯新推出的TDS平緩浪涌抑制器,均符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護,采用小型 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引腳封裝。其中ESTVS2200DRVR通常用于保護工作電壓為20V、22V、24V的系統(tǒng),器件的觸發(fā)電壓典型值為25.6V,額定瞬態(tài)峰值脈沖電流可達70A(tp=8/20μs),鉗位電壓VC為30V以內(nèi);ESTVS3300DRVR通常用于保護工作電壓為28V、33V、36V的系統(tǒng)。觸發(fā)電壓為38.7V,額定瞬態(tài)峰值脈沖電流可達50A(tp=8/20μs),鉗位電壓VC為40V以內(nèi)。

四、器件電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM -0.5 22 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mAfrom VDD/IO to GND 24.6 25.6 26.6 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=22Vfrom VDD/IO to GND 0.5 60 nA
Forward Voltage VF IT=1mA from GND to VDD/IO 0.25 0.5 0.7 V
Forward Clamp Voltage VFC IPP=10A; tp=8/20μs 1 2.7 5 V
Clamping Voltage VC IPP=10A; tp=8/20us 25.6 26.1 V
IPP=20A; tp=8/20us 26 26.5 V
IPP=40A; tp=8/20us 26.4 26.9 V
IPP=70A; tp=8/20us 27.6 28.1 V
Dynamic Resistance RDYN tp=8/20us 35
Junction Capacitance CJ VR=22V; f=1MHz T=25℃ 115 pF

表1 ESTVS2200DRVR電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM -0.5 33 36 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mAfrom VDD/IO to GND 38 38.7 39.4 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=33Vfrom VDD/IO to GND 0.5 100 nA
Forward Voltage VF IT=1mAfrom GND to VDD/IO 0.517 V
Clamping Voltage VC IPP=24A; tp=8/20us 38.2 38.7 V
IPP=35A; tp=8/20us 38.2 38.7 V
IPP=50A; tp=8/20us 38.6 39.1 V
Dynamic Resistance RDYN tp=8/20us 30
Junction Capacitance CJ VR=25V; f=1MHz T=25℃ 113 pF

表2ESTVS3300DRVR電氣特性表

五、總結(jié)與結(jié)論

ISO1212作為常用的數(shù)字輸入接收器,浪涌防護十分關(guān)鍵。靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護特性,可以廣泛應(yīng)用于USB/雷電接口工業(yè)機器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器、IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網(wǎng)供電(PoE)等領(lǐng)域,可為系統(tǒng)提供更全面以及更可靠的保護。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等型號,歡迎客戶前來咨詢選購。


審核編輯 黃宇

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