這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)大幅減小基底面尺寸。集成的 10kΩ 箝位電阻器 （RC） 允許柵極電壓 （VGS） 在高于 –6V 的最大內(nèi)部柵極氧化值 （VGS） 上運(yùn)行，具體取決于占空比。當(dāng) VGS 增加到 –6V 以上時(shí)，通過二極管的柵極泄漏 （IGSS） 會(huì)增加。
*附件：CSD25501F3 –20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 低導(dǎo)通電阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 0.7 毫米 × 0.6 毫米
• 低調(diào)
  • 最大高度 0.22 毫米
• 集成 ESD 保護(hù)二極管
• 無鉛和無鹵素
• 符合 RoHS 規(guī)范

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特點(diǎn)

• ?低導(dǎo)通電阻?：64mΩ（V GS = –4.5V）
• ?超低柵極電荷?：Q g = 1.02nC（V GS = –4.5V）
• ?超小封裝?：0.7mm × 0.6mm LGA封裝，最大高度0.22mm
• ?集成ESD保護(hù)二極管?
• ?無鉛和無鹵素?
• ?RoHS合規(guī)?

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?負(fù)載開關(guān)應(yīng)用?
• ?電池應(yīng)用?
• ?手持和移動(dòng)設(shè)備?

3. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：V DS = –20V
• ?最大柵源電壓?：V GS = –20V
• ?連續(xù)漏極電流?：I D = –3.6A
• ?脈沖漏極電流?：I DM = –13.6A（脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1%）
• ?功率耗散?：P D = 500mW
• ?閾值電壓?：V GS(th) = –0.75V

4. 熱信息

• ?熱阻?：
  • R θJA = 90°C/W（安裝在FR4材料上，1in2銅面積）
  • R θJA = 255°C/W（安裝在FR4材料上，最小銅面積）

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：LGA（Land Grid Array）
• ?尺寸?：0.7mm × 0.6mm × 0.22mm（最大高度）

6. 柵極電荷與電容

• ?柵極總電荷?：Q g = 1.02nC（V GS = –4.5V）
• ?柵極到漏極電荷?：Q gd = 0.09nC
• ?輸入電容?：C iss = 295pF（V GS = 0V, V DS = –10V, f = 100kHz）
• ?輸出電容?：C oss = 70pF
• ?反向傳輸電容?：C rss = 4.1pF

7. 開關(guān)特性

• ?開啟延遲時(shí)間?：t d(on) = 474ns（V DS = –10V, V GS = –4.5V, I DS = –0.4A）
• ?上升時(shí)間?：t r = 428ns
• ?關(guān)斷延遲時(shí)間?：t d(off) = 1154ns
• ?下降時(shí)間?：t f = 945ns

8. 二極管特性

• ?二極管正向電壓?：V SD = –0.73V至–0.95V（I SD = –0.4A, V GS = 0V）
• ?反向恢復(fù)電荷?：Q rr = 3.0nC（V DS = –10V, I F = –0.4A, di/dt = 200A/μs）
• ?反向恢復(fù)時(shí)間?：t rr = 7.4ns

9. 安全操作區(qū)域

• 提供了最大漏極電流與溫度的關(guān)系圖，以及最大安全操作區(qū)域圖。

CSD25501F3是一款專為手持和移動(dòng)設(shè)備優(yōu)化的P溝道MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和超小封裝等特點(diǎn)，適用于負(fù)載開關(guān)和電池應(yīng)用等領(lǐng)域。