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國產內存即將到來_可業(yè)內卻判DDR死刑

電子工程師 ? 2018-04-05 15:47 ? 次閱讀
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早在2017年,國內公司進軍內存產業(yè)的消息便一直甚囂塵上,其中的代表便是紫光公司,擁有國家政策與資金的扶持之下,終于做出了重要的突破。在今年上半年,憑借英飛凌、奇夢達的基礎在DDR3內存上取得了突破,下半年更會推出主流的DDR4內存芯片。似乎中國已經要趕上國外主流水準,但是業(yè)內卻傳出DDR內存已經過時,新的內存即將取代,這無疑給國內的DDR內存制造廠商當頭一棒。

DDR內存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)。最早是由三星提出,由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內存規(guī)格,并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。如今已經成為21世紀主流的內存規(guī)范。

目前世界上主要有3位DRAM領域的大佬,三星、SK海力士以及鎂光,這三家占據了市場上95%的份額,國內的廠商也是希望能夠打破這種局面,讓自己的產品在世界上占有一席之地。

目前來說,市面上主流的內存依然是DDR4,并且DDR5已經蓄勢待發(fā),即將進入市場,但即使是這樣,DDR內存帶寬的提升速度依然跟不上時代的腳步,因此有業(yè)界人士提出DDR內存即將淘汰的看法。

HBM的崛起

取代者為帶寬更高的HBM內存,2020年就會上市HBM 3內存,2024年則有望生產出HBM 4內存,屆時帶寬可達8TB/s,單插槽容量可達512GB。

對于DDR內存,可能大家都還有所了解,但是對于HBM內存,也只有那些熱衷于DIY組裝的玩家才會知曉。目前市面上只有HBM 2內存,核心容量可達8Gb,通過TSV技術可以實現(xiàn)每個CPU支持64GB HBM2內存,每路插槽的帶寬可達2TB/s,而到了HBM 4時代,每個CPU支持的容量可達512GB,帶寬超過8TB/s。

相比目前AMD的RPYC處理器,其支持8通道DDR4內存,最高容量能達到2TB,但是帶寬只有150GB/s,與HBM內存相比還有所差距。

AMD在2015年發(fā)布的Fury系列顯卡上,首次商用了第一代HBM技術,超高的帶寬以及極低的占用面積徹底改變了當時的顯卡設計,隨后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技術。

總體來說,相比于DDR內存,HBM內存的帶寬優(yōu)勢更為明顯,在一些需要高帶寬的場合中,HBM無疑是更好的選擇,比如HPC高性能計算機行業(yè)就非常需要HBM支持。

兩種內存將長期共存

但目前而言,HBM在短時間內還無法大面積進入市場當中,其中有兩個重要原因,一個是目前在桌面端主流的內存依然還是DDR,即便由于HBM在帶寬上更具優(yōu)勢,但是由于DDR內存在容量上的極大優(yōu)勢,在短時間內還無法取代;另一個則是成本問題了,這也是最主要的原因,成本的居高不下,讓HBM內存還無法快速融入市場。

如同機械硬盤與固態(tài)硬盤一樣,雖然固態(tài)硬盤不論在讀寫速度還是啟動速度等,都遠勝于機械硬盤,但是容量以及價格,便制約了其發(fā)展?,F(xiàn)如今,幾乎大多數電腦都還有機械硬盤的存在,固態(tài)硬盤在無法在短時間取而代之,換而言之,DDR內存與HBM內存之間的關系也是如此。

并且如今掌握HBM技術的廠家相對更少,比較知名的只有三星與SK海力士,鎂光由于HMC技術,因此對于HBM技術并不熱衷,因此在可以預見的未來,HBM降低成本的過程將是非常緩慢的。

再一個,全球價值720億美元的DRAM市場上,僅三星一家就占有了46%的市場份額,SK海力士大約在29%,鎂光在收購為其代工內存芯片的華亞科之后,市場份額也在21%,兩家韓國公司控制了全球75%的內存市場份額,這種高壟斷的形式,也讓國內的相關行業(yè)非常難受,處處受制。

但是反過來說,在這樣高壟斷的情況下,尤其是自己還掌握這HBM技術之下,更不會主動去砸自己的飯碗,更何況DDR內存的市場依然廣大,利潤也更高,除非是鎂光主動發(fā)力,要不然三星與海力士肯定是要賺足DDR的利潤之后,才會考慮推廣HBM。

艱難起步的國產內存

而中國在DRAM領域中卻沒有絲毫的存在感,眼看著如此大的市場卻被這些巨頭瓜分,但是自己卻無能為力。好在紫光公司已經在這個領域中入門,下半年將會繼續(xù)推出DDR4內存。但值得注意的是,雖然紫光已經正式推出了自己的內存,但是在價格上卻與國外的內存相差無幾。

這里面,除了紫光量產的DDR3內存太少,無法左右市場價格之外,還有一個原因便是其主要技術都是來自于奇夢達,而這家公司的技術已是十多年前的了,導致在DRAM制作工藝上落后,良品率極低,最后不得不在價格上進行妥協(xié)。

并且在晶圓上,大陸企業(yè)相較于國外也落后許多,可以這么說,在這條道路上,我國的企業(yè)基本都是從零開始。不同于其它行業(yè),可以依靠人力以及資金來解決問題,在這些領域中,唯有技術才是解決一切的關鍵。

而我們恰恰缺少的就是相關的技術,并且由于頭部公司在相關技術人員的把控上異常嚴格,在引進相關技術人才時,會導致許多的法律問題。前不久就有報道稱美光公司去年底選擇在美國加州提起訴訟,指控***聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權,竊取商業(yè)機密,這就是國內公司從***華亞科等公司搶人才所帶來的不利后果之一。

小結

總的來說,目前國內相關企業(yè)依然還有很長的一段路要走,不但要打破國外的技術壟斷,還要自己進行創(chuàng)新,紫光雖然已經能夠進行DDR3內存的量產,并且DDR4在下半年也有望推出,但是采用的依然是別人的技術,這樣也只能沿著別人的老路走,即使追上去,也智能跟在別人的后面。

擁有自己的創(chuàng)新技術,是企業(yè)在該行業(yè)中生存的制勝法寶,雖然在短期內HBM技術暫時不會取代DDR技術,但是長遠來看,國內的企業(yè)也可以在這方面進行探討,這樣才可能實現(xiàn)彎道超車。

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