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蘭州大學(xué):研究團(tuán)隊在溫度傳感用發(fā)光材料領(lǐng)域取得新進(jìn)展

傳感器專家網(wǎng) ? 來源:蘭州大學(xué) ? 作者:蘭州大學(xué) ? 2025-04-25 15:23 ? 次閱讀
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近日,蘭州大學(xué)材料與能源學(xué)院王育華教授課題組在溫度傳感用發(fā)光材料領(lǐng)域取得了新進(jìn)展。相關(guān)研究成果以“Luminescence Thermometry via MultiParameter Sensing in YV1-xPxO4:Eu3+, Er3+”為題于2025年4月4日發(fā)表在《Journal of the American Chemical Society》。蘭州大學(xué)材料與能源學(xué)院博士生馬一璇為論文第一作者,王育華教授和荷蘭皇家科學(xué)院院士、蘭州大學(xué)兼職教授Andries Meijerink為通訊作者。該項研究工作得到了國家自然科學(xué)基金資助。

發(fā)光測溫是一種通過利用溫度依賴性發(fā)光特性實現(xiàn)遠(yuǎn)程溫度傳感的技術(shù)?;趦蓚€熱耦合發(fā)射能級的鑭系摻雜發(fā)光材料,其發(fā)光強(qiáng)度比(LIR)隨溫度變化的特性已被成功用于設(shè)計高靈敏度發(fā)光溫度計。然而,鑭系元素4fn→4fn禁戒躍遷的低吸收強(qiáng)度限制了材料亮度,且此類玻爾茲曼型溫度計僅在有限溫區(qū)對溫度敏感。為解決上述問題,該團(tuán)隊設(shè)計了一種新型發(fā)光溫度探針:YV1-xPxO4:Eu3+, Er3+。該體系通過釩酸鹽的強(qiáng)寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收敏化鑭系離子發(fā)光,并利用磷酸鹽/釩酸鹽取代(x的變化)調(diào)控Eu3+發(fā)光的熱猝滅溫度,成功實現(xiàn)可調(diào)的寬范圍最佳測溫區(qū)間。通過多參數(shù)傳感策略,該材料在室溫至873K寬溫域內(nèi)展現(xiàn)出0.5%/K至超過5%/K的可調(diào)相對靈敏度。為驗證實際應(yīng)用價值,研究團(tuán)隊將其用于芯片原位溫度檢測,測溫精度優(yōu)于1K,充分證明其在精確溫度領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

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多參數(shù)傳感發(fā)光探針YV??xPx0?:Eu3+,Er3+概述圖

溫度傳感在各領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且廣泛的應(yīng)用價值,從監(jiān)測人體體溫異常等日常應(yīng)用,到工業(yè)設(shè)備中的化學(xué)反應(yīng)調(diào)控、電子設(shè)備熱管理等專業(yè)領(lǐng)域均有涉及。近年來,基于鑭系離子溫度依賴性發(fā)光特性的遠(yuǎn)程光學(xué)測溫技術(shù)發(fā)展迅速,對其靈敏度和測溫精度提出了更高要求。隨著催化反應(yīng)監(jiān)測、微流控芯片熱管理及高功率器件熱分析等領(lǐng)域的發(fā)展,開發(fā)適用于高溫環(huán)境(T400 K)的新型溫度探針以實現(xiàn)高分辨率遠(yuǎn)程溫度傳感,已成為當(dāng)前研究熱點。

實現(xiàn)寬溫域穩(wěn)定且靈敏的溫度檢測至關(guān)重要。基于兩個熱耦合能級發(fā)光強(qiáng)度比(LIR)的測溫方法因其具有高相對靈敏度Sr、自校準(zhǔn)特性,以及對局部環(huán)境變化不(非完全)敏感等優(yōu)勢備受關(guān)注。然而,這類探針的高Sr溫度范圍有限,且在高溫區(qū)靈敏度急劇下降,嚴(yán)重制約其在寬溫域過程監(jiān)測中的應(yīng)用。此外,多數(shù)鑭系玻爾茲曼溫度探針的激發(fā)過程涉及宇稱禁阻的4fn→4fn躍遷,其弱吸收特性導(dǎo)致納米探針亮度受限。特別是在需要短采集時間(如高分辨率溫度成像)、低激發(fā)強(qiáng)度或弱發(fā)射收集效率的應(yīng)用場景中,高亮度納米探針對獲得理想溫度精度至關(guān)重要。

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圖 (a-c) 芯片原位溫度檢測示意圖。(d) 使用 YVO4:2%Er3+,1%Eu3+納米發(fā)光溫度計涂覆于芯片表面在310nm激發(fā)下隨溫度變化的發(fā)射光譜。(e) 實時監(jiān)測的實際溫度 (TR) 曲線、變溫裝置的設(shè)定溫度 (TS) 曲線,以及根據(jù) Er3+ 2H11/2-4S3/2 LIR玻爾茲曼測溫法計算的芯片溫度(TC-B)。(f) 不同溫度下TC-B與TR之間的誤差。(g) 表面涂覆納米發(fā)光溫度計的芯片的變溫發(fā)射光譜。(h) TR 曲線、TS 曲線以及根據(jù) Er3+/Eu3+ LIR測溫法計算出的芯片溫度(TC-M)。 (i) 不同溫度下 TC-M 與 TR 之間的誤差。

為解決上述關(guān)鍵科學(xué)問題,王育華教授課題組開發(fā)了一種新型YV1-xPxO4:Eu3+,Er3+發(fā)光溫度探針。該體系通過釩酸鹽的強(qiáng)寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收敏化鑭系離子發(fā)光,并利用磷酸鹽/釩酸鹽取代(x的變化)調(diào)控Eu3+發(fā)光的熱猝滅溫度,成功實現(xiàn)可調(diào)的寬范圍最佳測溫區(qū)間。此外,該材料具有多種溫度依賴發(fā)光特性:Er3+的2H11/2/4S3/2發(fā)光強(qiáng)度比、Er3+與Eu3+積分發(fā)光強(qiáng)度比、以及Eu3+熒光壽命。基于多參數(shù)傳感策略,微/納米晶溫度探針在室溫至873K寬溫域內(nèi)展現(xiàn)出0.5%/K至超過5%/K的可調(diào)相對靈敏度。研究團(tuán)隊將其用于芯片原位溫度檢測,測溫精度優(yōu)于1K,充分證明這種新型發(fā)光溫度計在精密測溫領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

原文鏈接:https://doi.org/10.1021/jacs.5c02306

審核編輯 黃宇

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