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客戶改了一個(gè)電阻就炸機(jī)?原因并沒(méi)有那么簡(jiǎn)單

思睿達(dá)工業(yè)通信芯方案 ? 2025-05-08 09:59 ? 次閱讀
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客戶改了一個(gè)電阻就炸機(jī)?原因并沒(méi)有那么簡(jiǎn)單

【樣機(jī)芯片介紹】

本次調(diào)試的樣機(jī)主控IC為思睿達(dá)主推的成都啟臣微的CR6853B,該IC為副邊控制IC,該IC是一款高集成度,低功耗的電流模 PWM 控制芯片,該芯片適用于離線式 AC-DC 反激拓?fù)涞男」β?a target="_blank">電源模塊。芯片可以通過(guò)外接電阻改變工作頻率,具有低 EMI 技術(shù)、低啟動(dòng)及工作電流、輕載工作無(wú)音頻噪音、頻率可調(diào)等特點(diǎn)

【應(yīng)用】智能寵物烘干機(jī)

【樣機(jī)圖片】

12314004-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

【輸出規(guī)格】24V3A

【問(wèn)題點(diǎn)】通電測(cè)試3000臺(tái)有48臺(tái)炸機(jī)

【調(diào)試過(guò)程】

該機(jī)型我從客戶處了解到這個(gè)機(jī)型一開(kāi)始只需要高壓工作即可,后來(lái)客戶想低壓110V也工作,測(cè)試后發(fā)現(xiàn)110V帶載會(huì)重啟,于是CS電阻從0.3R減小到了0.15R,測(cè)試110V能正常工作了,但是出現(xiàn)了炸機(jī)現(xiàn)象,隨后便找到了我們。

測(cè)試后發(fā)現(xiàn)CS電阻用0.15R的情況下,高壓過(guò)流點(diǎn)高達(dá)6A,低壓110V也有5.2A,一般過(guò)流點(diǎn)我們會(huì)放在正常負(fù)載的1.2-1.3倍左右,這個(gè)過(guò)流點(diǎn)已經(jīng)是兩倍了,過(guò)流點(diǎn)放太大就會(huì)導(dǎo)致MOS啟機(jī)波形有尖刺,果然在測(cè)試該機(jī)子帶3A負(fù)載,264V啟機(jī)的MOS波形后發(fā)現(xiàn)應(yīng)力已經(jīng)超出:

1249ac0c-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

于是我在確保用戶樣機(jī)在低壓也能正常工作的前提下將過(guò)流點(diǎn)減小至正常范圍,測(cè)試264V啟機(jī)波形如下:

1271f810-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

可以看到啟機(jī)尖峰已經(jīng)沒(méi)有了,沒(méi)有尖刺之后是556V,除此之外我在測(cè)試其他波形時(shí)發(fā)現(xiàn)在任意輸入電壓,2-3A負(fù)載時(shí)會(huì)有較嚴(yán)重大小波,輕載或半載則正常,如下圖所示:

127ccb0a-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

220VAC@ 3ALoad MOS波形

該原因也是造成炸機(jī)的罪魁禍?zhǔn)?,我首先覺(jué)得可能是環(huán)路不穩(wěn)造成的,但是試了一圈環(huán)路,將許多參數(shù)都調(diào)整了一遍都沒(méi)有解決,只有輕微改善。

在deepseek查詢相關(guān)問(wèn)題后給出的回答如下:

開(kāi)關(guān)電源在重載時(shí)出現(xiàn)MOS管波形大小波(波形異常)的可能原因及分析如下:

1. 控制環(huán)路不穩(wěn)定

- 原因:反饋環(huán)路(如電壓/電流模式控制)的相位裕度或增益裕度不足,導(dǎo)致環(huán)路振蕩。

- 排查點(diǎn):

-檢查補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)(如補(bǔ)償電容、電阻)是否合理。

-用示波器觀察誤差放大器輸出波形是否振蕩。

-重載時(shí)環(huán)路帶寬可能降低,需重新調(diào)整補(bǔ)償參數(shù)。

2. 電流模式控制的斜率補(bǔ)償不足

- 原因:在電流模式控制中,當(dāng)占空比超過(guò)50%時(shí),若無(wú)足夠斜率補(bǔ)償,會(huì)引發(fā)次諧波振蕩。

- 排查點(diǎn):

-確認(rèn)電流檢測(cè)信號(hào)的斜率補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)是否合理。

-增大斜率補(bǔ)償量(如調(diào)整補(bǔ)償電容或電阻)。

3. 輸入電壓?jiǎn)栴}

- 原因:輸入電壓過(guò)低或輸入電容容量不足,導(dǎo)致輸入電壓跌落,引發(fā)占空比異常波動(dòng)。

- 排查點(diǎn):

-檢查輸入電容的容量和ESR是否滿足重載需求。

-輸入電壓是否在規(guī)格范圍內(nèi),避免電源進(jìn)入非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)。

4. MOS管驅(qū)動(dòng)異常

- 原因:驅(qū)動(dòng)信號(hào)存在振鈴、延遲或驅(qū)動(dòng)能力不足,導(dǎo)致MOS管開(kāi)關(guān)不完全。

- 排查點(diǎn):

-檢查驅(qū)動(dòng)電阻是否匹配(過(guò)大導(dǎo)致延遲,過(guò)小導(dǎo)致振鈴)。

-確認(rèn)驅(qū)動(dòng)芯片供電電壓是否穩(wěn)定,避免因電壓跌落導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)能力下降。

-檢查驅(qū)動(dòng)回路寄生電感是否過(guò)大(如PCB走線過(guò)長(zhǎng))。

5. 功率回路寄生參數(shù)影響

- 原因:功率回路中的寄生電感(如MOS管漏極走線、變壓器漏感)或電容引起高頻振蕩。

- 排查點(diǎn):

-優(yōu)化PCB布局,縮短高頻功率回路路徑。

-增加RC吸收電路(Snubber)抑制尖峰和振蕩。

6. 磁性元件飽和

- 原因:變壓器或電感在重載時(shí)因電流過(guò)大導(dǎo)致磁芯飽和,電感量驟降,電流波形畸變。

-排查點(diǎn):

-確認(rèn)電感量和磁芯材料是否適合重載工況。

-用電流探頭觀察電感電流波形是否出現(xiàn)“尖峰”或“平臺(tái)”。

7. PCB布局問(wèn)題

- 原因:高頻開(kāi)關(guān)回路布局不合理(如地線分割、長(zhǎng)走線),引入噪聲干擾。

- 排查點(diǎn):

-確保功率回路與信號(hào)回路分離,地平面設(shè)計(jì)合理。

-檢查關(guān)鍵信號(hào)(如驅(qū)動(dòng)、電流檢測(cè))是否受開(kāi)關(guān)噪聲干擾。

在經(jīng)過(guò)逐步排查后我發(fā)現(xiàn)該機(jī)型初級(jí)散熱片并沒(méi)有與地線相連,很有可能時(shí)散熱片沒(méi)有與地線連接對(duì)環(huán)路造成了干擾,于是我將MOS管的散熱片與大電容地連起來(lái)后發(fā)現(xiàn)波形果然恢復(fù)正常了!以下為前后對(duì)比波形:

散熱片接地前220VAC@ 3ALoad MOS波形:

127ccb0a-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

散熱片接地后220VAC@ 3ALoad MOS波形:

12985f28-2bb0-11f0-9434-92fbcf53809c.png

這也與deepseek回答的最后一條基本吻合,為地線設(shè)計(jì)問(wèn)題導(dǎo)致的干擾,客戶一開(kāi)始就沒(méi)有將散熱片接地很有可能一開(kāi)始就存在這個(gè)問(wèn)題,只是客戶并沒(méi)有發(fā)現(xiàn),將過(guò)流點(diǎn)放大之后對(duì)環(huán)路造成的干擾就更大了,所以此樣機(jī)除了過(guò)流點(diǎn)過(guò)大導(dǎo)致的MOS啟機(jī)尖峰外,還有環(huán)路不穩(wěn)造成炸機(jī),再全面測(cè)試一遍未發(fā)現(xiàn)問(wèn)題后便把相關(guān)修改參數(shù)發(fā)給了客戶,并告知需重新改板將MOS散熱片接地。

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