LM74810-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，用于反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。3.8mA 的強(qiáng)電荷泵具有 60mA 峰值 GATE 源電流驅(qū)動(dòng)級和短導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時(shí)間，可確?？焖偎矐B(tài)響應(yīng)，確保在 ISO16750 或 LV124 等汽車測試期間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健高效的 MOSFET 開關(guān)性能，其中 ECU 會受到輸入短時(shí)中斷和高達(dá) 200KHz 頻率的交流疊加輸入信號的影響。該器件在電源路徑中具有第二個(gè) MOSFET，允許使用 HGATE 控制進(jìn)行負(fù)載斷開（ON/OFF 控制）和過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護(hù)功能，用于負(fù)載突降保護(hù)。
*附件：lm7481-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 3V 至 65V 輸入范圍
• 低至 –65 V 的反向輸入保護(hù)
• 驅(qū)動(dòng)外部背靠背 N 溝道 MOSFET
• 具有 9.1mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
• 低反向檢測閾值 （–4 mV），具有快速響應(yīng) （0.5 μs）
• 高達(dá) 200KHz 的有源整流
• 60mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 集成 3.8mA 電荷泵
• 可調(diào)過壓保護(hù)
• 2.87 μA 低關(guān)斷電流 （EN/UVLO=低）
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LM7481-Q1 Ideal Diode Controller
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：主要用于汽車應(yīng)用，如電池保護(hù)、ADAS域控制器、頭單元和高級音頻系統(tǒng)等。
• ?特點(diǎn)?：AEC-Q100認(rèn)證、寬輸入電壓范圍（3V至65V）、反向輸入保護(hù)、理想二極管操作、低反向檢測閾值、快速響應(yīng)、主動(dòng)整流、過壓保護(hù)等。

2. 功能描述

• ?理想二極管控制?：通過驅(qū)動(dòng)外部背靠背N溝道MOSFET來模擬理想二極管整流器，實(shí)現(xiàn)電源路徑的ON/OFF控制和過壓保護(hù)。
• ?電荷泵?：集成3.8mA電荷泵，提供驅(qū)動(dòng)外部MOSFET所需的電壓。
• ?雙門控?：具有DGATE和HGATE兩個(gè)獨(dú)立的門控輸出，分別用于控制理想二極管階段和負(fù)載斷開開關(guān)階段。
• ?過壓保護(hù)?：通過調(diào)整過壓閾值實(shí)現(xiàn)負(fù)載保護(hù)，防止過壓損壞。

3. 技術(shù)規(guī)格

• ?輸入電壓范圍?：3V至65V
• ?工作溫度范圍?：-40°C至+125°C
• ?最大漏電流?：在反向電壓下，漏電流為19μA（典型值）
• ?電荷泵電流?：3.8mA（典型值）
• ?DGATE峰值源電流?：60mA
• ?HGATE峰值漏電流?：260mA

4. 應(yīng)用電路

• ?典型應(yīng)用?：包括12V反向電池保護(hù)、冗余電源ORing、過壓保護(hù)和電源路徑ON/OFF控制等。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：如MOSFET選擇、電荷泵電容計(jì)算、輸入輸出電容、保持電容、過壓保護(hù)和電池監(jiān)測電阻計(jì)算等。

5. 布局指導(dǎo)

• ?布局建議?：理想二極管階段的A、DGATE和C引腳應(yīng)靠近MOSFET的源極、柵極和漏極引腳；負(fù)載斷開階段的HGATE和OUT引腳應(yīng)靠近MOSFET的柵極和源極引腳；高電流路徑應(yīng)使用短而粗的走線以最小化電阻損失。

6. 封裝信息

• ?封裝類型?：12引腳WSON封裝，尺寸為3.0mm x 3.0mm。
• ?環(huán)境信息?：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，峰值回流溫度為260°C。

7. 文檔支持

• ?文檔更新通知?：用戶可以通過TI的官方網(wǎng)站訂閱更新通知，以獲取最新的產(chǎn)品文檔。
• ?支持資源?：TI提供E2E支持論壇，用戶可以在其中搜索現(xiàn)有答案或提出自己的問題。

8. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電（ESD）警告?：處理集成電路時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)念A(yù)防措施，以防止ESD損壞。
• ?布局禁忌?：不要將裸露的熱墊（RTN）連接到GND平面，否則將禁用反向極性保護(hù)功能。

9. 安全與合規(guī)

• ?安全信息?：用戶應(yīng)負(fù)責(zé)選擇合適的TI產(chǎn)品，設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和測試其應(yīng)用，并確保其應(yīng)用符合適用的標(biāo)準(zhǔn)和其他安全、監(jiān)管要求。
• ?責(zé)任聲明?：TI對其提供的技術(shù)和可靠性數(shù)據(jù)、設(shè)計(jì)資源等不承擔(dān)任何明示或暗示的保證，包括適銷性、特定用途適用性或非侵權(quán)性的暗示保證。

這份文件詳細(xì)描述了LM7481-Q1理想二極管控制器的功能、技術(shù)規(guī)格、應(yīng)用電路、布局指導(dǎo)、封裝信息、文檔支持、注意事項(xiàng)以及安全與合規(guī)要求，為用戶提供了全面的產(chǎn)品信息和設(shè)計(jì)指導(dǎo)。