TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6005（200V 額定值）、TPS7H6015（60V 額定值）和 TPS7H6025（22V 額定值）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，提供 QMLP 和航天增強型塑料 （SEP） 等級。驅(qū)動器具有可調(diào)死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè) LDO，無論電源電壓如何，它們都能確保 5V 的驅(qū)動電壓。TPS7H60x5 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
*附件：tps7h6025-sep.pdf

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號，用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當(dāng)兩個輸入同時打開時，輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強度 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子瞬態(tài) （SET）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時間的分離輸出
• 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配
• 根據(jù) ASTM E595 進行塑料包裝脫氣測試
• 適用于軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH5-SEP
• ?類型?：輻射硬化保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器
• ?應(yīng)用?：高頻、高效、高電流應(yīng)用，適用于空間環(huán)境

二、主要特性

• ?電壓等級?：V驅(qū)動能力
• ?封裝?：6引腳HTSSOP塑料封裝，QMLP和SEP器件等級
• ?驅(qū)動性能?：
  • 傳播延遲：ns（典型值）
  • 高側(cè)與低側(cè)延遲匹配：5.5ns（典型值）
  • 峰值源電流：.A
  • 峰值沉電流：.A
• ?控制模式?：
  • 獨立輸入模式（IIM）：兩個獨立輸入控制高側(cè)和低側(cè)輸出
  • PWM模式：單個PWM輸入生成互補輸出信號
• ?保護功能?：
  • 輸入互鎖保護（可選）
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護
  • 電源良好（PGOOD）指示

三、電氣特性

• ?供電電壓?：VIN范圍V至V
• ?輸出電壓?：內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)5V線性調(diào)節(jié)器（BPH和BPL）
• ?靜態(tài)電流?：
  • 低側(cè)靜態(tài)電流（IQLS）：5mA至0mA（取決于操作模式和頻率）
  • 高側(cè)靜態(tài)電流（IQHS）：4mA至3mA（取決于操作模式和頻率）
• ?輸出特性?：
  • 高電平輸出電壓（VOH）：.3V至.V
  • 低電平輸出電壓（VOL）：0.V至0.V
  • 峰值源/沉電流：.A/2.5A至.A

四、功能描述

• ?輸入電壓?：VIN作為低側(cè)線性調(diào)節(jié)器的輸入，并用于高側(cè)自舉電容的充電
• ?自舉電路?：支持多種自舉電容充電方式，包括通過內(nèi)部自舉開關(guān)或直接從VIN充電
• ?死區(qū)時間?：在PWM模式下，通過外部電阻設(shè)置死區(qū)時間
• ?輸入互鎖保護?：在IIM模式下可選，防止高側(cè)和低側(cè)同時導(dǎo)通
• ?UVLO和PGOOD?：監(jiān)控內(nèi)部調(diào)節(jié)器和VIN電壓，確保可靠工作

五、應(yīng)用與實現(xiàn)

• ?設(shè)計考慮?：
  • 適用于半橋配置，如同步降壓或全橋拓撲
  • 需要外部自舉二極管和電容
• ?布局指南?：
  • 將GaN FET盡可能靠近柵極驅(qū)動器放置，以減少環(huán)路電感
  • 最小化自舉充電路徑的環(huán)路面積
• ?典型應(yīng)用?：
  • 提供了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中的設(shè)計示例，包括組件選擇和配置