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UCC5871-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車類 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-16 14:02 ? 次閱讀
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UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護(hù),例如基于分流電阻器的過(guò)流、基于 NTC 的過(guò)熱和 DESAT 檢測(cè),包括在這些故障期間可選的軟關(guān)斷或兩級(jí)關(guān)斷。為了進(jìn)一步減小應(yīng)用尺寸,UCC5871-Q1 在開(kāi)關(guān)期間集成了一個(gè) 4A 有源米勒箝位,在驅(qū)動(dòng)器未通電時(shí)集成了一個(gè)有源柵極下拉。集成的 10 位 ADC 可監(jiān)控多達(dá) 6 個(gè)模擬輸入和柵極驅(qū)動(dòng)器溫度,以增強(qiáng)系統(tǒng)管理。集成了診斷和檢測(cè)功能,以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這些功能的參數(shù)和閾值可通過(guò) SPI 接口進(jìn)行配置,這使得該器件幾乎可以與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一起使用。
*附件:ucc5871-q1.pdf

特性

  • 分離式輸出驅(qū)動(dòng)器提供 30A 峰值拉電流和 30A 峰值灌電流
  • 具有 150ns(最大)傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護(hù)
  • 初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)有源短路 (ASC) 支持
  • 可配置的功率晶體管保護(hù)
    • 基于 DESAT 的短路保護(hù)
    • 基于分流電阻器的過(guò)流和短路保護(hù)
    • 基于 NTC 的過(guò)熱保護(hù)
    • 功率晶體管故障期間的可編程軟關(guān)斷 (STO) 和兩級(jí)關(guān)斷 (2LTOFF)
  • 符合功能安全標(biāo)準(zhǔn)
  • 集成診斷:
    • 用于保護(hù)比較器的內(nèi)置自檢 (BIST)
    • IN+ 到晶體管柵極路徑完整性
    • 功率晶體管閾值監(jiān)控
    • 內(nèi)部時(shí)鐘監(jiān)控
    • 故障警報(bào) (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 輸出
  • 集成 4A 有源米勒鉗位或用于米勒鉗位晶體管的可選外部驅(qū)動(dòng)器
  • 先進(jìn)的高壓箝位控制
  • 內(nèi)部和外部電源欠壓和過(guò)壓保護(hù)
  • 有源輸出下拉和默認(rèn)低電平輸出,具有低電源或浮動(dòng)輸入
  • 驅(qū)動(dòng)器芯片溫度感應(yīng)和過(guò)熱保護(hù)
  • V 時(shí)最小共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 為 100kV/μs 厘米 = 1000 伏
  • 基于 SPI 的器件重配置、驗(yàn)證、監(jiān)控和診斷
  • 集成 10 位 ADC,用于功率晶體管溫度、電壓和電流監(jiān)控

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

UCC-Q是一款專為汽車電子應(yīng)用設(shè)計(jì)的A隔離IGBT/SiC MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器,集成了高級(jí)保護(hù)特性和高度可配置功能,適用于混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)的牽引逆變器功率模塊。

二、主要特性

  • ?高電流驅(qū)動(dòng)能力?:提供A峰值源和A峰值沉電流。
  • ?互鎖與直通保護(hù)?:具有ns(最大)傳播延遲和可編程最小脈沖抑制。
  • ?高級(jí)保護(hù)功能?:包括DESAT基短路保護(hù)、NTC基過(guò)溫保護(hù)、可編程軟關(guān)斷(STO)和兩級(jí)關(guān)斷(LTOFF)。
  • ?功能安全合規(guī)?:符合功能安全應(yīng)用要求,文檔支持ISO 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
  • ?集成診斷功能?:內(nèi)置自檢(BIST)、內(nèi)部時(shí)鐘監(jiān)控、故障報(bào)警(nFLT)和警告(nFLT)輸出。
  • ? 高共模瞬態(tài)抑制能力(CMTI) ?:最小kV/μs。
  • ?可配置性?:通過(guò)SPI接口實(shí)現(xiàn)參數(shù)和閾值配置,支持廣泛的SiC MOSFET和IGBT。
  • ?集成ADC?:位ADC用于監(jiān)控功率晶體管溫度、電壓和電流。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

  • HEV和EV牽引逆變器
  • HEV和EV功率模塊

四、功能描述

. 驅(qū)動(dòng)與保護(hù)

  • ?分裂輸出驅(qū)動(dòng)?:提供高電流源和沉能力,支持SiC MOSFET和IGBT的高效切換。
  • ?互鎖與直通保護(hù)?:防止上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通,避免短路。
  • ?高級(jí)保護(hù)?:包括短路、過(guò)流、過(guò)溫和DESAT檢測(cè),支持快速響應(yīng)和軟關(guān)斷。

. 配置與診斷

  • ?SPI接口?:支持設(shè)備重配置、驗(yàn)證、監(jiān)控和診斷。
  • ?集成ADC?:實(shí)現(xiàn)多通道模擬輸入監(jiān)控,增強(qiáng)系統(tǒng)管理能力。
  • ?診斷功能?:通過(guò)BIST、時(shí)鐘監(jiān)控和故障輸出,提供全面的系統(tǒng)健康監(jiān)控。

. 隔離與傳感

  • ?高隔離電壓?:支持高電壓應(yīng)用中的可靠隔離。
  • ?隔離模擬傳感?:支持隔離的模擬信號(hào)輸入,用于溫度或電壓感測(cè)。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC-Q在半橋電路中的典型應(yīng)用電路,包括布局指南、設(shè)計(jì)要求和詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟,如電源設(shè)計(jì)、輸入濾波、SPI接口配置、模擬信號(hào)監(jiān)控等。

六、電源推薦

  • ? 初級(jí)側(cè)電源(VCC) ?:推薦V至.V。
  • ? 次級(jí)側(cè)電源(VCC) ?:推薦V至V。
  • ? 次級(jí)側(cè)負(fù)電源(VEE) ?:推薦-V至V。
  • ?電源旁路?:建議在電源引腳附近放置低ESR/ESL的旁路電容,以穩(wěn)定電源電壓。

七、布局指南

  • ?最小化寄生電感?:驅(qū)動(dòng)器應(yīng)盡可能靠近被驅(qū)動(dòng)的功率器件。
  • ?電源旁路?:電源旁路電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳放置。
  • ?信號(hào)完整性?:保持輸入信號(hào)的完整性,避免長(zhǎng)距離傳輸和干擾。
  • ?熱管理?:考慮PCB布局以優(yōu)化熱傳導(dǎo),減小熱阻。
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