UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。

輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離，支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命，并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21732-q1.pdf

UCC21732-Q1 包括最先進(jìn)的保護(hù)功能，例如快速過流和短路檢測、分流電流傳感支持、故障報(bào)告、有源米勒鉗位、輸入和輸出側(cè)電源 UVLO，以優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。隔離式模擬轉(zhuǎn) PWM 傳感器可用于更輕松地進(jìn)行溫度或電壓傳感，進(jìn)一步提高驅(qū)動器的多功能性，并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)工作量、尺寸和成本。

特性

• 5.7kVRMS 單通道隔離柵極驅(qū)動器
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級 3A
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C3
• 高達(dá) 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大輸出驅(qū)動電壓 （VDD-VEE）
• ±10A 驅(qū)動強(qiáng)度和分離輸出
• 最小 CMTI 為 150V/ns
• 270ns 響應(yīng)時(shí)間快速過流保護(hù)
• 外部主動米勒夾具
• 發(fā)生故障時(shí)內(nèi)部 2 級關(guān)斷
• 帶 PWM 輸出的隔離模擬傳感器，用于
  • 使用 NTC、PTC 或熱敏二極管進(jìn)行溫度傳感
  • 高壓 DC-Link 或相電壓
• FLT 過流報(bào)警，并從 RST/EN 復(fù)位
• RST/EN 上的快速啟用/禁用響應(yīng)
• 抑制輸入引腳上的 <40ns 噪聲瞬態(tài)和脈沖
• 12V VDD UVLO，RDY 上電源正常
• 具有過沖/下沖瞬態(tài)電壓的輸入/輸出抗擾度高達(dá) 5V
• 130ns（最大）傳播延遲和 30ns（最大）脈沖/部件偏移
• SOIC-16 DW 封裝，爬電距離和間隙距離> 8mm
• 工作結(jié)溫 –40°C 至 150°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC-Q是一款專為SiC MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)的A源/漏極增強(qiáng)型隔離單通道門驅(qū)動器，具有主動保護(hù)功能、隔離模擬傳感和高共模瞬態(tài)免疫能力（CMTI）。該產(chǎn)品符合AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用，支持高達(dá)V pk的操作電壓，并具備V的最大輸出驅(qū)動電壓。

二、主要特性

• ?電氣隔離?：采用SiO電容隔離技術(shù)，實(shí)現(xiàn).kV RMS的單通道隔離，支持.kV PK浪涌免疫。
• ?驅(qū)動能力?：±A的峰值源/漏極電流，適用于驅(qū)動高功率SiC MOSFET和IGBT。
• ?保護(hù)功能?：包括快速過流保護(hù)、短路檢測、分流電流傳感支持、故障報(bào)告、主動米勒鉗位、輸入/輸出側(cè)電源欠壓鎖定（UVLO）等。
• ?模擬傳感?：隔離模擬至PWM傳感器，可用于溫度或電壓傳感。
• ?高CMTI?：V/ns的最小CMTI，確保高速開關(guān)下的系統(tǒng)可靠性。
• ?快速響應(yīng)?：ns的過流保護(hù)響應(yīng)時(shí)間。
• ?安全認(rèn)證?：符合DIN EN IEC -（VDE -）和UL標(biāo)準(zhǔn)，具有V PK V IOTM和V PK V IORM的增強(qiáng)隔離認(rèn)證。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 電動汽車（EV）牽引逆變器
• 車載充電器和充電樁
• 混合動力電動汽車（HEV）/EV的DC/DC轉(zhuǎn)換器

四、功能描述

• ?驅(qū)動階段?：采用混合拉高結(jié)構(gòu)，結(jié)合P溝道MOSFET和N溝道MOSFET，提供強(qiáng)大的源電流能力。拉低結(jié)構(gòu)由N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)，確?？焖訇P(guān)斷。
• ?UVLO保護(hù)?：輸入側(cè)（VCC）和輸出側(cè)（VDD）均具備UVLO保護(hù)，防止低電壓條件下的誤操作。
• ?主動米勒鉗位?：內(nèi)部和外部米勒鉗位功能，防止高速開關(guān)過程中的假開通。
• ?過流保護(hù)?：具有快速過流和短路檢測功能，支持SenseFET、去飽和電路和分流電阻等多種檢測方式。
• ?模擬至PWM傳感?：通過隔離的AIN至APWM信號，實(shí)現(xiàn)溫度或電壓的遠(yuǎn)程監(jiān)測。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC-Q在半橋配置中的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求、詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟、外部組件選擇和布局指南。

六、電源推薦

• ?VCC供電?：推薦范圍為V至.V，需使用至少μF的旁路電容。
• ?VDD和VEE供電?：推薦范圍為V至V，需使用至少μF的旁路電容。

七、布局指南

• ?組件放置?：驅(qū)動器和功率半導(dǎo)體應(yīng)盡可能靠近放置，以減小寄生電感。旁路電容應(yīng)盡可能靠近供電引腳。
• ?接地考慮?：使用地平面屏蔽輸入信號，避免輸出側(cè)的高頻噪聲干擾。對于低側(cè)開關(guān)，使用輸出側(cè)地平面屏蔽輸出信號；對于高側(cè)開關(guān)，則不推薦使用地平面。
• ?高壓隔離?：確保隔離屏障下方?jīng)]有PCB走線或銅層，避免噪聲耦合。