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第三類存儲技術(shù)誕生,二維材料的新異質(zhì)結(jié)構(gòu)

SSDFans ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-16 10:00 ? 次閱讀
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曾經(jīng)不知道從哪聽到過一個笑話:據(jù)說“數(shù)據(jù)工程師最大的悲哀就是數(shù)據(jù)沒了,人還活著”?;蛟S沒那么夸張,卻也足以體現(xiàn)數(shù)據(jù)在互聯(lián)網(wǎng)時代的重要性,那么保存數(shù)據(jù)的手段——存儲的重要性自然也不容忽視。

目前的半導體電荷存儲技術(shù)主要有兩類,第一類是易失性存儲,如計算機內(nèi)存,可在幾納秒之內(nèi)寫入數(shù)據(jù),但是掉電之后數(shù)據(jù)會立即消失。不知道讀者有沒有過東西寫了一半,突然電腦死機,恢復之后發(fā)現(xiàn)寫的東西全都沒了的經(jīng)歷U盤,需要幾毫妙到幾十毫秒才能把數(shù)據(jù)保存下來,但是寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存十年,祈禱你的U盤不會丟,那你就可以在十年之內(nèi)高枕無憂了。

這兩種存儲方式各有優(yōu)缺點,人類的進化過程就是集合優(yōu)點的過程,我們自然希望能將二者的優(yōu)點集成起來,發(fā)明一種存儲速度快,又不易丟失的存儲方式。值得開心的是,科學家已經(jīng)做到了。

第三類存儲技術(shù)誕生

近日,復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬團隊制成具有顛覆性的二維半導體“準非易失存儲”原型器件,開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù),解決了國際半導體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。4.10日,相關(guān)工作以《用于準非易失應用的范德瓦爾斯結(jié)構(gòu)半浮柵存儲》為題在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》。

10納秒寫入和按需定制

第三類存儲技術(shù)寫入速度比目前的U盤快一萬倍,數(shù)據(jù)刷新時間是內(nèi)存技術(shù)的156倍,并且擁有卓越的調(diào)控性,可以實現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時間需求設計存儲器結(jié)構(gòu)。它既滿足了10納秒寫入速度,又實現(xiàn)了按需定制(10秒—10年)的可調(diào)控數(shù)據(jù)準非易失特性;既可以在高速存儲中極大降低存儲功耗,還可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失,為一些特殊應用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>

張教授表示,利用這項技術(shù),很可能實現(xiàn)移動存儲設備分享資料到期自動刪除,甚至可以實現(xiàn)存儲設備的無限容量。如果將這一技術(shù)應用到現(xiàn)有的電腦內(nèi)存,在較高存儲速度和較長保存時間的條件下,就無需高頻刷新,這對降低能耗具有至關(guān)重要的意義。

據(jù)周鵬介紹,“這項研究創(chuàng)新性地選擇了多重二維材料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管:二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿分別用于開關(guān)電荷輸運和儲存,氮化硼作為隧穿層,制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)?!彼硎?,選擇這幾種二維材料,將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性?!耙徊糠秩缤坏揽呻S手開關(guān)的門,電子易進難出;另一部分則像以面密不透風的墻,電子難以進出。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調(diào)控,就在于這兩部分的比例。”

二維材料的新異質(zhì)結(jié)構(gòu)

寫入速度比目前U盤快10000倍,數(shù)據(jù)刷新時間是內(nèi)存技術(shù)的156倍,并且擁有卓越的調(diào)控性,可以實現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時間需求設計存儲器結(jié)構(gòu)……經(jīng)過測試,研究人員發(fā)現(xiàn)這種基于全二維材料的新型異質(zhì)結(jié)能夠?qū)崿F(xiàn)全新的第三類存儲特性。2017年,團隊在Small上報道了利用二維半導體的豐富能帶結(jié)構(gòu)特性解決電荷存儲技術(shù)中的“過擦除”現(xiàn)象。后續(xù)在存儲器研究中,團隊發(fā)現(xiàn),當利用二維半導體實現(xiàn)新型結(jié)構(gòu)存儲后,會有更多“奇異新特性”。

據(jù)專家們介紹,二維材料發(fā)軔于石墨烯的發(fā)現(xiàn),在平面內(nèi)存在強有力的化學鍵鍵合,而層與層之間則依靠分子間作用力堆疊在一起。因此,二維材料可以獲得單層的具有完美界面特性的原子級別晶體。同時它是一個兼有導體、半導體和絕緣體的完整體系。這對集成電路器件進一步微縮并提高集成度、穩(wěn)定性以及開發(fā)新型存儲器都有著巨大潛力,是降低存儲器功耗和提高集成度的嶄新途徑。所以說,科學創(chuàng)新的重要一環(huán)在于原材料的選擇。

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原文標題:復旦開創(chuàng)第三類存儲技術(shù), “寫入速度”和“非易失性”將可兼得

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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