隨著2016年NB-IOT的R3核心標(biāo)準(zhǔn)凍結(jié)，迎來(lái)了一波物聯(lián)網(wǎng)的熱，這一輪NB-IOT持續(xù)了一年多，很快就會(huì)進(jìn)入下一個(gè)階段，在NB-IOT之后，物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域哪些技術(shù)會(huì)有大機(jī)會(huì)?

當(dāng)然物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)、邊緣計(jì)算一定都是未來(lái)的機(jī)會(huì)，這個(gè)稍微有點(diǎn)常識(shí)的都會(huì)知道這兩個(gè)是未來(lái)的機(jī)會(huì)，我就不在這里說(shuō)了!根據(jù)NB-IOT特點(diǎn)尋找.

看一下NB-IOT包括五個(gè)特點(diǎn)：

• 低功耗：10年電池壽命

• 低成本：極低的模組成本

• 廣覆蓋：20dB+增強(qiáng)，10公里覆蓋

• 大容量：沒(méi)消去5萬(wàn)終端。
  

抓住NB-IOT里兩個(gè)重要特點(diǎn)：低功耗，低成本。

未來(lái)設(shè)備通訊方式要求低功耗，低成本。他們未來(lái)的產(chǎn)品上低功耗，低成本都會(huì)是未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的主要特點(diǎn)。
看下物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展瓶頸.

從時(shí)間軸上看物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展：首先遇到的瓶頸是連接的瓶頸

• 第一步是解決連接問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)大量設(shè)備的連接。

• 第二步會(huì)遇到感知的瓶頸，第二步會(huì)有更多物的狀態(tài)的感知，形成大數(shù)據(jù)。

• 第三步會(huì)遇到智能的瓶頸，初始智能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，未來(lái)自學(xué)習(xí)，雙向聯(lián)動(dòng)智能化更為重要。
  
  

NB-IOT解決的是低功耗，低成本設(shè)備的連接問(wèn)題，而低功耗，低成本設(shè)備的感知問(wèn)題用什么解決?抓住三個(gè)關(guān)鍵詞：低功耗、低成本、感知，我認(rèn)為MEMS會(huì)是下一輪爆發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。

什么是MEMS

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)是特征尺度跨越微米和納米兩個(gè)鄰微小領(lǐng)域的高新技術(shù)，是武器裝備信息化的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括：MEMS靜電馬達(dá)，硅微型傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，MEMS智能微塵，硅微陀螺，芯片原子鐘。
隨著技術(shù)的發(fā)展，過(guò)去20年中一直遵循Moor定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。

隨著IC行業(yè)的發(fā)展，摩爾定律事否會(huì)失效?但超越摩爾定律，會(huì)有2個(gè)發(fā)展方向：

• 特征尺寸繼續(xù)等比例縮小并立體化;

• 集成電路(IC)將發(fā)展成為芯片系統(tǒng)(SoC);

微電子技術(shù)與其他領(lǐng)域相結(jié)合將產(chǎn)生新的產(chǎn)業(yè)和新的學(xué)科，MEMS為代表的微系統(tǒng)技術(shù)就是重要顛覆技術(shù)之一。MEMS與IC的區(qū)別是：MEMS具有可動(dòng)結(jié)構(gòu)，利用微納技術(shù)同時(shí)加工出機(jī)械結(jié)構(gòu)和電路系統(tǒng)。

MEMS特點(diǎn)

• 微型化、低成本、低功耗，高可靠。

• 高精度。

• 高集成度。

• 高性能。

其他特點(diǎn)不虛多講，低成本、低功耗、高集成度，這三個(gè)特點(diǎn)值得關(guān)注。

在NB-IOT通訊完善之后，必然激發(fā)對(duì)低功耗、低成本、體積小的傳感器的需求。MEMS技術(shù)已經(jīng)發(fā)展很多年，廣泛存在，現(xiàn)在手機(jī)上已經(jīng)有很多MEMS傳感器。而物聯(lián)網(wǎng)的普及必然激發(fā)MEMS傳感器的需求。