源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免了對(duì)準(zhǔn)誤差，從而可以提高器件集成度。由于自對(duì)準(zhǔn)硅化物直接在源漏區(qū)和柵極上形成，CMOS 器件的微縮對(duì)自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝有深遠(yuǎn)的影響。

工業(yè)界最初采用TiSi2作為標(biāo)準(zhǔn)的硅化物材料，主要應(yīng)用于0.35μm 和0.25μm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在TiSi2工藝中，由高電阻的C49相形成低電阻的C54相的過(guò)程與線寬有關(guān)。更短的柵使得從C49晶粒相到C54相是一種一維生長(zhǎng)模式，這種相變需要更高的溫度，因此可能導(dǎo)致結(jié)塊并會(huì)增加窄線的RS。由于窄線條效應(yīng)限制，在0.18μm 技術(shù)代 Salicide 工藝使用CoSi2取代TiSi2。

如圖 2.5所示，當(dāng)線條物理寬度小于40nm 時(shí)，CoSi2在多晶硅上的薄層電阻迅速變高，而 NiSi即使到30nm以下，其電阻率仍保持在較低水平。另外，NiSi工藝中退火溫度更低，因此具有熱預(yù)算方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)NiSi的硅消耗相比 CoSi2，工藝降低35%左右。這對(duì)于超淺結(jié)技術(shù)來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常重要的優(yōu)點(diǎn)。綜上所述，在90nm 和 65nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，NiSi 工藝取代CoSi2，工藝。

需要注意的是，NiSi 的熱穩(wěn)定性相對(duì)較差，在高于600°C時(shí)，低阻態(tài)的NiSi會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)的NiSi2相，這一點(diǎn)，在工藝整合中非常關(guān)鍵。同時(shí)，NiSi需要采用新的RTP 工藝技術(shù)，如尖峰退火技術(shù)(spikeanneal)或者毫秒級(jí)退火技術(shù)(MSA)，在有效地形成硅化物的基礎(chǔ)上，避免Ni在界面上的擴(kuò)散，從而降低漏電流。