InGaAs，即銦鎵砷，是砷化鎵和砷化銦的合金。從更廣義上講，它屬于 InGaAsP 四元系，由砷化銦 (InAs)、砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 和磷化鎵 (GaP) 的合金組成。由于鎵和銦屬于元素周期表的 III 族，而砷和磷屬于 V 族，因此這些二元材料及其合金都是 III-V 化合物半導體。

在很大程度上，半導體的電學和光學特性取決于其能帶隙以及能帶隙是“直接”還是“間接”。 InGaAsP 四元系統的 4 個二元成員的能帶隙范圍從 0.33 eV(InAs)到 2.25 eV(GaP)，其中 InP(1.29 eV)和 GaAs(1.43 eV)介于兩者之間。在 SUI，我們強調光電探測器，因此我們關心半導體的光學特性。半導體只能檢測光子能量大于能帶隙的光，或者換句話說，波長短于與能帶隙相關的截止波長的光。對于 InAs，這種“長波長截止”為 3.75 μm，對于 GaP，為 0.55 μm，其中 InP 為 0.96 μm，GaAs 為 0.87 μm。

通過混合兩種或多種二元化合物，可以將所得三元和四元半導體的性質調整到中間值。挑戰(zhàn)在于，不僅能帶隙取決于合金成分，而且所得晶格常數也取決于此。對于我們的四個朋友，晶格常數范圍從 5.4505 ? (GaP) 到 6.0585 ? (InAs)，其中 GaAs 為 5.6534 ?，InP 為 5.8688 ?。圖 1 顯示了 InGaAsP 家族中 4 種三元合金的晶格常數與長波長截止之間的關系。

讓我們回到 InGaAs

InAs/GaAs 合金稱為 InxGa1-xAs，其中 x 是 InAs 的比例，1-x 是 GaAs 的比例。這些合金的晶格常數和長波長截止值在圖 1 中用紅線表示。挑戰(zhàn)在于，雖然可以通過多種技術制造 InxGa1-xAs 薄膜，但需要基板來支撐薄膜。如果薄膜和基板不具有相同的晶格常數，則薄膜的性能將嚴重下降。

出于多種原因，InxGa1-xAs方便的基板是 InP?？商峁┲睆礁哌_ 100 毫米的高質量 InP 基板。含有 53% InAs 的 InxGa1-xAs 通常被稱為“標準 InGaAs”，無需注意“x”或“1-x”的值，因為它具有與 InP 相同的晶格常數，因此這種組合可產生非常高質量的薄膜。

標準 InGaAs 的截止波長較長，為 1.68 μm。這意味著，它對信號散射最少且在玻璃光纖中傳輸距離最遠的光波長敏感(1.3 μm 和 1.55 μm)，因此可以檢測“人眼安全”激光(波長長于 1.4 μm)。這是檢測夜空自然光的最佳波長帶。SUI 的核心產品線基于由標準 InGaAs 制成的 PIN 和雪崩光電二極管以及光電二極管陣列?；c時間瀏覽網站的其余部分，了解 SUI 的眾多產品，包括區(qū)域和線掃描相機、一維和二維焦平面陣列以及高速光電二極管和接收器。

什么是“擴展波長”InGaAs?為什么要這樣做?

標準 InGaAs 的截止波長為 1.68 μm。許多應用需要檢測波長更長的光。一個重要的例子是通過測量 1.9 μm 處的吸水率來測量農產品中的水分含量。另一個例子是“LIDAR”(光檢測和測距)，用于飛機檢測晴空湍流。LIDAR 系統通常使用發(fā)射波長為 2.05 μm 的光的激光器。具有更長截止波長的 InxGa1-xAs 稱為“擴展波長 InGaAs”。

似乎只需在混合物中添加一點 InAs 即可，但這并不容易。這會增加薄膜的晶格常數，導致與基板不匹配，從而降低薄膜的質量。SUI 投入了大量精力來學習如何生產高質量的擴展波長 InGaAs，這反映在我們的產品中。圖 2 總結了我們的努力成果。圖 2 顯示了標準 InGaAs 的量子效率(藍色)以及兩種擴展波長合金的量子效率，X=0.74(綠色)和 X=0.82(紅色)。圖中還顯示了硅的光譜響應。正如我們常說的，“InxGa1-xAs 從硅停止的地方開始?！?br />
審核編輯 黃宇