引言

在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液

配方設(shè)計(jì)

低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶劑、堿性活性物質(zhì)、銅緩蝕劑和表面活性劑。有機(jī)溶劑（如二甲基亞砜）可高效溶解光刻膠；堿性活性物質(zhì)（如四甲基氫氧化銨）加速光刻膠分解；銅緩蝕劑（如苯并三氮唑及其衍生物）能在銅表面形成致密保護(hù)膜，抑制銅的腐蝕反應(yīng)；表面活性劑可降低表面張力，增強(qiáng)剝離液對光刻膠的滲透能力 。

制備方法

在潔凈的反應(yīng)容器中，先加入定量的有機(jī)溶劑，開啟攪拌裝置。緩慢加入堿性活性物質(zhì)，充分混合均勻。接著，依次添加銅緩蝕劑和表面活性劑，持續(xù)攪拌 40 - 60 分鐘，確保各成分充分溶解且分散均勻。制備過程需嚴(yán)格控制溫度在 25 - 35℃，防止因溫度過高影響緩蝕劑等成分的性能。

低銅腐蝕光刻膠剝離液的應(yīng)用

在 ARRAY 制程工藝中，該剝離液可有效去除光刻膠。以 TFT - LCD 面板制造為例，在銅布線光刻膠剝離過程中，低銅腐蝕光刻膠剝離液能快速溶解光刻膠，同時(shí)對銅布線的腐蝕速率極低，有效保障銅布線的完整性和導(dǎo)電性，避免因銅腐蝕導(dǎo)致的線路短路、斷路等問題，提高顯示面板的良品率和穩(wěn)定性。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理，通過比較參考光束與樣品表面反射光束的光程差，將光強(qiáng)分布轉(zhuǎn)化為樣品表面高度信息，實(shí)現(xiàn)對光刻圖形形貌的高精度測量。其測量精度可達(dá)納米級，能夠滿足 ARRAY 制程工藝中微小光刻圖形結(jié)構(gòu)的檢測需求。

測量過程

將 ARRAY 制程工藝后的待測光刻樣品放置于白光干涉儀載物臺(tái)上，利用儀器自帶顯微鏡初步定位測量區(qū)域。精確調(diào)節(jié)干涉儀的光路參數(shù)，獲取清晰的干涉條紋圖像。通過專業(yè)軟件對干涉圖像進(jìn)行處理，運(yùn)用相位解包裹等算法，精確計(jì)算出光刻圖形的深度、寬度、側(cè)壁角度等關(guān)鍵參數(shù)，為 ARRAY 制程工藝的優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

優(yōu)勢

白光干涉儀采用非接觸式測量，避免了對光刻圖形的物理損傷，適合 ARRAY 制程工藝中脆弱光刻結(jié)構(gòu)的檢測；測量速度快，可實(shí)現(xiàn)對光刻圖形的快速批量檢測，滿足生產(chǎn)線上高效檢測需求；其三維表面形貌可視化功能，能直觀呈現(xiàn)光刻圖形的質(zhì)量狀況，便于工程師及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決工藝問題 。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù)，Z向測量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復(fù)雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測量。

實(shí)際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇