新品
采用ThinTOLL 8x8封裝的
CoolSiC 650V G2 SiC MOSFET
新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL 8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號(hào),將導(dǎo)通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴(kuò)展至20mΩ到60mΩ,提供更精細(xì)的選型梯度。
ThinTOLL封裝是標(biāo)準(zhǔn)8x8尺寸下發(fā)揮CoolSiC G2芯片性能的最佳方案。該封裝技術(shù)突破了8x8尺寸的熱循環(huán)極限,并通過優(yōu)化.XT互連結(jié)構(gòu)顯著降低熱阻,在保持8x8mm超小尺寸的同時(shí),充分發(fā)揮了碳化硅材料的性能優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了功率密度的革命性突破。
產(chǎn)品型號(hào):
■IMTA65R026M2H
■IMTA65R033M2H
框圖


產(chǎn)品特點(diǎn)
卓越的品質(zhì)因數(shù)(FOMs)
同類最優(yōu)導(dǎo)通電阻(RDS(on))
高可靠性、高品質(zhì)
靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍
支持單極驅(qū)動(dòng)(VGS(off)=0)
先進(jìn)的.XT擴(kuò)散焊封裝互連技術(shù)
全系列8x8封裝FET引腳兼容
熱循環(huán)可靠性TCoB提升4倍
應(yīng)用價(jià)值
BOM成本優(yōu)化
單位成本最優(yōu)系統(tǒng)性能
最高可靠性,延長(zhǎng)使用壽命
頂尖能效與功率密度
緊湊尺寸,更高功率密度
高度集成的子卡設(shè)計(jì)
應(yīng)用領(lǐng)域
智能電視系統(tǒng)解決方案
暖通空調(diào)
家用電器
微型逆變器解決方案
電能轉(zhuǎn)換
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9661瀏覽量
233484 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3720瀏覽量
69386
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號(hào)
新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2
瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗(yàn)證試驗(yàn)
CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能碳化硅MOSFET的卓越之選
探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合
東芝推出三款最新650V SiC MOSFET
新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊(cè)
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品 | 采用CoolSiC? MOSFET的7.5kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品
評(píng)論