全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今日宣布，已開(kāi)始提供全新的通用閃存存儲(chǔ)(2)(UFS) 4.1版本嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備樣品，進(jìn)一步鞏固其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這些新設(shè)備專(zhuān)為滿足下一代移動(dòng)應(yīng)用程序的需求而設(shè)計(jì)，包括搭載設(shè)備端AI的高級(jí)智能手機(jī)，它在小型BGA封裝中實(shí)現(xiàn)了性能提升與更高的能效(3)。

Kioxia的UFS 4.1版本設(shè)備在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝中集成了公司創(chuàng)新的BiCS FLASH? 3D閃存和控制器。這些全新UFS設(shè)備采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)打造。該代產(chǎn)品引入了CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術(shù)——這一架構(gòu)創(chuàng)新標(biāo)志著閃存設(shè)計(jì)的重大飛躍。通過(guò)將CMOS電路直接鍵合至存儲(chǔ)陣列，CBA技術(shù)大幅提升了能效、性能和存儲(chǔ)密度。

Kioxia的UFS 4.1版本設(shè)備兼具高速與低功耗特性，旨在提升用戶體驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)更快的下載速度和更流暢的應(yīng)用程序運(yùn)行表現(xiàn)。

核心特性包括：

提供256 GB、512 GB和1 TB三種容量選擇

性能較上一代產(chǎn)品提升(3)：

隨機(jī)寫(xiě)入：512 GB / 1 TB版本提升約30%

隨機(jī)讀?。?12 GB版本提升約45%，1 TB版本提升約35%

能效較上一代產(chǎn)品提升(3)：

讀?。?12 GB / 1 TB版本提升約15%

寫(xiě)入：512 GB / 1 TB版本提升約20%

支持主機(jī)發(fā)起的碎片整理功能，可延遲垃圾回收，確保關(guān)鍵場(chǎng)景下的持續(xù)高速性能

寫(xiě)入加速(WriteBooster)緩沖區(qū)可調(diào)整大小，為優(yōu)化性能提供更高靈活性

符合UFS 4.1版本標(biāo)準(zhǔn)

1 TB型號(hào)的封裝高度較上一代產(chǎn)品有所降低(4)

采用Kioxia第8代BiCS FLASH? 3D閃存(1)

注：
(1) 僅適用于512 GB / 1 TB型號(hào)。
(2) 通用閃存存儲(chǔ)(UFS)是一類(lèi)符合JEDEC UFS標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。憑借串行接口，UFS支持全雙工模式，可實(shí)現(xiàn)主機(jī)處理器與UFS設(shè)備之間的并發(fā)讀寫(xiě)。
(3) 分別與上一代512 GB設(shè)備“THGJFMT2E46BATV”和1 TB設(shè)備“THGJFMT3E86BATZ”相比（僅適用于512 GB / 1 TB型號(hào)）。
(4) 上一代1 TB設(shè)備型號(hào)為“THGJFMT3E86BATZ”。

*在每次提及Kioxia產(chǎn)品時(shí)：產(chǎn)品密度是根據(jù)產(chǎn)品內(nèi)部存儲(chǔ)芯片的密度確定的，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的內(nèi)存容量。由于存在冗余數(shù)據(jù)區(qū)、格式化、壞塊及其他限制，消費(fèi)者可使用的容量會(huì)更少，且可能因主機(jī)設(shè)備和應(yīng)用程序的不同而有所差異。詳情請(qǐng)參考相關(guān)產(chǎn)品規(guī)格。1 KB定義為2^10字節(jié)=1,024字節(jié)。1 Gb定義為2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定義為2^30字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字節(jié)=1,099,511,627,776字節(jié)。

*讀寫(xiě)速度為Kioxia Corporation在特定測(cè)試環(huán)境下獲得的最佳值，Kioxia Corporation不對(duì)單個(gè)設(shè)備的讀寫(xiě)速度作出保證。實(shí)際讀寫(xiě)速度可能因所用設(shè)備及讀寫(xiě)文件大小而有所不同。

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能第三方公司的商標(biāo)。

審核編輯 黃宇