【導讀】：中興事件后，半導體產(chǎn)業(yè)受到了前所有未的關(guān)注。日前，分析公司報告2018年全球半導體支出將超千億美元，三星占兩成，掌握核心技術(shù)不得不服韓國企業(yè)。

市場調(diào)查機構(gòu) IC insight 調(diào)查報告指出，2018 年全球半導體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。

報告中表示，之前在 2018 年 3 月份，IC insight 曾經(jīng)預期 2018 年全年半導體的資本支出將成長 8%。如今，才不到一季的時間，IC insigh 就把預估值由原本的 8% 上調(diào)至 14%。這樣看來，2018 年全年的半導體支出將首次破千億美元大關(guān)，而且金額將比 2016 年足足成長 53%。

報告中進一步指出，近兩年來始終位居半導體資本支出龍頭的韓國三星，雖然 2018 年還未公布全年的資本支出金額，但是一般相信，將不會超出 2017 年 242 億美元的數(shù)字。不過，就目前的觀察，三星仍在上緊發(fā)條不放松。

事實上，三星在 2018 年第 1 季的半導體資本支出達到 67.2 億美元，較之前 3 季水平略高。但是，若相較 2016 年同期，則已經(jīng)成長近 4 倍的規(guī)模。累計過去 4 季以來，三星半導體部門的資本支出已經(jīng)達到 266 億美元的金額。

IC insight 預期，2018 年三星半導體的資本支出將在 200 億元上下，略低于 2017 年 242 億美元。不過，因為 2018 年首季就有較之前略高的成長。因此，最后的結(jié)果很 可能將比預期的 200 億美元來的高。

另外，因為 NAND Flash 及 DRAM 的市場需求強勁，韓國存儲器大廠 SK 海力士預期也將在 2018 年增加資本支出至 115 億美元，較 2017 年的 81 億美元成長 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的資本支出，將主用于在韓國清州兩家大型存儲器工廠的建置工作上。另外，還要擴大中國無錫的 DRAM 工廠。清州工廠在 2018 年年底前將開始興建，而中國無錫 DRAM 廠的擴建，也計劃在2018年年底前動工，這時間將比原計劃的 2019 年初開工要早幾個月。

我國半導體行業(yè)的支出相對于國際大廠還有差距，不過經(jīng)過中興事件后，或許會有很大的改善，如果中國多幾家華為這樣的公司，那么將來也許不怕被別人卡住喉嚨了。