中芯國(guó)際、華力微、長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將紛紛啟動(dòng)進(jìn)入1X奈米以下工藝技術(shù)的“深水區(qū)”，中芯國(guó)際明年上半年14納米FinFET將風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并推進(jìn)7 納米研發(fā)進(jìn)程；上海華力Fab6未來(lái)也將成為14納米量產(chǎn)重要基地；長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年首顆國(guó)內(nèi)自主研發(fā)閃存芯片也將邁入量產(chǎn)，未來(lái)數(shù)月將進(jìn)入密集裝機(jī)期。

據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自ASML，價(jià)值近1.2億美元。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備，全球僅一家荷蘭設(shè)備商ASML供應(yīng)。

EUV是未來(lái)1X納米繼續(xù)走向1X納米以下的關(guān)鍵光刻機(jī)，前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在爭(zhēng)搶購(gòu)買(mǎi)該設(shè)備。設(shè)備供應(yīng)商ASML曾表示，一臺(tái)EUV從下單到正式交貨約長(zhǎng)達(dá)22個(gè)月，若以中芯目前訂購(gòu)來(lái)看，按正常交期也要2020年年初左右才能到貨。

中芯7納米面臨較長(zhǎng)更新?lián)Q代周期

按照中芯國(guó)際的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃，2019年上半年肩負(fù)14納米FinFET將風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)任務(wù)，若2020年順利取得EUV，將可進(jìn)一步向前推進(jìn)至7納米。而目前研發(fā)團(tuán)隊(duì)最高負(fù)責(zé)人、中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松則扮演先進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃的推手。

盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，但此舉已經(jīng)突顯了中芯在研發(fā)團(tuán)隊(duì)重整旗鼓之后的雄心，此時(shí)下單EUV也屬正當(dāng)其時(shí)。

不過(guò)下單歸下單，未來(lái)技術(shù)挑戰(zhàn)仍擁有幾大內(nèi)外變數(shù)考驗(yàn)，一是先進(jìn)高端設(shè)備的進(jìn)口能否順利進(jìn)入中國(guó)；二是設(shè)備啟動(dòng)的上海能否給予充足的電力供給；三是順利裝機(jī)之后設(shè)備的調(diào)試與良率，畢竟從浸潤(rùn)式光刻機(jī)，改成EUV系統(tǒng)，不是一個(gè)世代的跨越這么簡(jiǎn)單，而對(duì)中芯國(guó)際研發(fā)先期量產(chǎn)團(tuán)隊(duì)來(lái)說(shuō)全然陌生，涉及到光刻膠、掩膜、pellicle、檢測(cè)等全環(huán)節(jié)的良率提升，相對(duì)來(lái)說(shuō)，更新?lián)Q代的學(xué)習(xí)周期會(huì)較長(zhǎng)。

半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家莫大康則分析認(rèn)為，中芯有錢(qián)提前布局7nm是件好事，對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，要從人員培訓(xùn)開(kāi)始，未來(lái)要待中芯能做7nm可能至少還需5年以上時(shí)間，仍有很多挑戰(zhàn)需要克服。

日前，中芯國(guó)際財(cái)報(bào)顯示，今年將全年資本支出從19億美元上調(diào)至23億美元，用于先進(jìn)制程的研發(fā)、設(shè)備開(kāi)支以及擴(kuò)充產(chǎn)能。顯示未來(lái)將加強(qiáng)先進(jìn)工藝技術(shù)的布局。

上海華力Fab6進(jìn)入密集裝機(jī)期

值得注意的是，同樣也在緊追1X奈米工藝技術(shù)的華力上海Fab6也正式搬入的首臺(tái)ASML NXT 1980Di光刻機(jī)。這臺(tái)光刻機(jī)是目前中國(guó)集成電路生產(chǎn)線(xiàn)上最先進(jìn)的浸沒(méi)式光刻機(jī)。

華力表示，F(xiàn)ab6主廠房完成凈化裝修，相關(guān)配套機(jī)電設(shè)備準(zhǔn)備就緒，具備了工藝設(shè)備搬入條件，較原計(jì)劃進(jìn)度提前1個(gè)半月，僅約16個(gè)半月。

根據(jù)華虹集團(tuán)的規(guī)劃，F(xiàn)ab6總投資387億元人民幣，建成后月產(chǎn)能將達(dá)4萬(wàn)片12吋晶圓，工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。項(xiàng)目計(jì)劃于2022年底建成達(dá)產(chǎn)，主要投入邏輯芯片量產(chǎn)。

在接下來(lái)的五個(gè)月內(nèi)，華虹Fab6工藝設(shè)備將集中搬入，并完成安裝調(diào)試，年底前完成生產(chǎn)線(xiàn)串線(xiàn)并實(shí)現(xiàn)試流片。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主閃存芯片進(jìn)入量產(chǎn)考驗(yàn)

無(wú)獨(dú)有偶，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)也已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬(wàn)美元用于14nm~20nm工藝，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要攻關(guān)3D NAND閃存芯片工藝量產(chǎn)，計(jì)劃共建三座3D-NAND Flash廠房?？偼顿Y240億美元，其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)，計(jì)劃2018年投產(chǎn)，2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的規(guī)模。

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展3D NAND閃存的歷程：2014年與中科院微電子所啟動(dòng)雙方3D NAND合作項(xiàng)目；2015年，完成了9層結(jié)構(gòu)的3D NAND測(cè)試芯片，實(shí)現(xiàn)了電學(xué)性能驗(yàn)證；2016年，實(shí)現(xiàn)了32層測(cè)試芯片研發(fā)及驗(yàn)證，注資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地；2017年，測(cè)試芯片良率大幅提升，并實(shí)現(xiàn)了首款芯片的流片；2018年，即將開(kāi)始了3D NAND存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線(xiàn)試產(chǎn)。

日前紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全更是透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單。明年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)力爭(zhēng)64層堆疊3D閃存實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi)。