Texas Instruments REF54EVM評估模塊演示REF54高精度參考器件的性能。REF54系列在 260 μA 電流下提供 0.5ppm/ °C低溫漂移系數(shù)和 ± 0.02%高精度。該精密電壓基準(zhǔn)評估模塊在NR引腳處包含一個(gè)電容器，可使用0Ω 電阻器進(jìn)行配置，以優(yōu)化噪聲性能。REF54EVM模塊用于 半導(dǎo)體測試設(shè)備、X射線系統(tǒng)、PLC模擬I/O模塊、現(xiàn)場發(fā)射器、超聲波掃描儀、電源監(jiān)控和電池管理系統(tǒng)。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments REF54EVM 驅(qū)動(dòng)評估模塊用戶指南.pdf

特性

• 啟用和禁用輸出
• NR引腳處的電容器可通過0Ω電阻器進(jìn)行配置，以優(yōu)化噪聲性能
• 無源輸入、輸出和NR引腳電容器的多個(gè)封裝

REF54EVM設(shè)置

REF54EVM高精度電壓參考評估模塊技術(shù)解析

一、核心特性與系統(tǒng)架構(gòu)

1. ?超精密電壓基準(zhǔn)源?
   • 采用REF54250CDR芯片，關(guān)鍵參數(shù)：| 參數(shù) | 規(guī)格 |
     | ------------ | -------------------- |
     | 初始精度 | ±0.02% |
     | 溫度漂移 | 0.5 ppm/°C |
     | 長期穩(wěn)定性 | 30 ppm（1000小時(shí)） |
     | 輸出噪聲 | 0.16 ppm p-p |
     | 靜態(tài)電流 | 260 μA |
2. ?模塊化設(shè)計(jì)優(yōu)勢?
   • 支持EN引腳硬件關(guān)斷（待機(jī)電流＜1μA）
   • 可配置噪聲抑制電路（NR引腳外接100μF電容）
   • 輸入電壓范圍：4.5-40V（推薦工作電壓5-36V）

二、硬件配置詳解

2.1 接口與跳線配置

• ?電源接口?：
  • VIN1/GND1：主電源輸入端子（支持40V耐壓）
  • EN1跳線：| 連接方式 | 功能狀態(tài) |
    | ------------- | -------------- |
    | 引腳2-3短接 | 基準(zhǔn)源使能 |
    | 引腳2-1短接 | 基準(zhǔn)源關(guān)斷 |
    | 懸空 | 默認(rèn)使能狀態(tài) |
• ?輸出監(jiān)測?：
  • VOUT1：基準(zhǔn)電壓輸出（2.5V默認(rèn)）
  • GND_S：低噪聲接地參考點(diǎn)

2.2 噪聲優(yōu)化設(shè)計(jì)

1. ?兩級濾波架構(gòu)?：
   • 輸入級：10μF X7R陶瓷電容（C1/C5）
   • 輸出級：100μF聚合物鉭電容（C6/C8）
2. ?PCB布局規(guī)范?：
   • 采用星型接地拓?fù)洌℅ND_F與GND_S分離）
   • 關(guān)鍵信號(hào)線寬≥0.3mm（VOUT路徑）

三、評估測試流程

3.1 基礎(chǔ)性能測試

1. ?測試連接?：
   • 電源接VIN1/GND1（建議使用低噪聲線性電源）
   • 高精度DMM接VOUT1/GND_S
2. **關(guān)鍵測試項(xiàng)：
   • 線性調(diào)整率（4.5-40V輸入變化時(shí)輸出波動(dòng)＜±0.005%）
   • 負(fù)載調(diào)整率（0-10mA負(fù)載變化時(shí)輸出波動(dòng)＜±0.01%）

四、典型應(yīng)用方案

1. ?醫(yī)療影像設(shè)備?
   • 推薦配置：
     • 輸入：±15V隔離電源
     • NR引腳：并聯(lián)100μF+1nF組合電容
   • 布局要點(diǎn)：
     • 遠(yuǎn)離數(shù)字信號(hào)線（間距＞5mm）
     • 采用屏蔽電纜傳輸基準(zhǔn)信號(hào)
2. ?工業(yè)PLC模塊?
   • 多模塊同步方案：
     • 主基準(zhǔn)輸出接緩沖放大器（如OPA2182）
     • 分布式架構(gòu)需注意接地環(huán)路隔離