CSD96371Q5M NexFET 功率級采用優(yōu)化設計，可用于高功率高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了柵極驅(qū)動器IC和功率MOSFET，以完成功率級開關功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm 外形封裝中產(chǎn)生高電流、高效率和高速開關能力。此外，PCB封裝也經(jīng)過優(yōu)化，有助于縮短設計時間并簡化整個系統(tǒng)設計的完成。
*附件：csd96371q5m.pdf

特性

• 30A 時系統(tǒng)效率為 92%
• 高頻工作（高達 2MHz）
• 高密度 – SON 5 毫米× 6 毫米封裝
• 30A 時低功耗 3.4W
• 超低電感封裝
• 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號
• 3 態(tài) PWM 輸入
• 集成自舉二極管
• 偏置前啟動保護
• 射穿保護
• 符合 RoHS 標準 – 無鉛端子電鍍無鹵素

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
CSD96371Q5M是德州儀器（TI）推出的高密度同步降壓功率級解決方案，集成柵極驅(qū)動IC與功率MOSFET，采用5mm×6mm SON封裝。主要特點包括：

• ?高效能?：92%系統(tǒng)效率（30A負載）
• ?高頻操作?：支持高達2MHz開關頻率
• ?低損耗?：30A時僅3.4W功率損耗
• ?集成保護?：預偏置啟動保護、擊穿保護、集成自舉二極管

?2. 關鍵參數(shù)?

• ?電氣特性?：
  • 輸入電壓范圍：3.3V~13.2V
  • 連續(xù)輸出電流：50A（峰值75A）
  • 工作溫度：-40°C~125°C
• ?熱性能?：
  • 結(jié)到外殼熱阻（RθJC）：20°C/W
  • 結(jié)到電路板熱阻（RθJB）：2°C/W

?3. 功能模塊?

• ?柵極驅(qū)動?：支持4A峰值驅(qū)動電流，內(nèi)置自適應擊穿保護
• ? 使能控制（ENABLE） ?：TTL兼容，100kΩ內(nèi)部下拉電阻
• ?PWM輸入?：支持3.3V/5V邏輯，3態(tài)功能（懸空時關閉MOSFET）
• ?自舉電路?：集成二極管，需外接0.1μF電容

?4. 典型應用?

• 多相同步降壓轉(zhuǎn)換器
• 負載點（POL）DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 顯卡/內(nèi)存供電
• 服務器VR11.x/VR12核心電壓調(diào)節(jié)

?5. 設計支持?

• ?PCB布局建議?：
  • 輸入電容緊靠VIN/PGND引腳
  • 優(yōu)化開關節(jié)點（VSW）走線以降低損耗
• ?熱管理?：通過GND平面散熱，推薦使用熱過孔陣列

?6. 性能曲線?

• 提供功率損耗、效率、安全工作區(qū)（SOA）等圖表，支持用戶根據(jù)實際條件（頻率、電感值等）調(diào)整設計參數(shù)。

?7. 封裝與訂購?

• 22引腳SON-CLIP封裝（5mm×6mm）
• 卷帶包裝（2500片/卷），型號后綴.B為無鉛版本

該器件通過系統(tǒng)級優(yōu)化，顯著簡化高功率密度電源設計流程，適用于對空間和效率要求嚴苛的應用場景。