電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)業(yè)內(nèi)可靠消息稱，近日美光Micron中國區(qū)進行了業(yè)務(wù)調(diào)整。但并非網(wǎng)傳的“波及上海、深圳等地，以及嵌入式研發(fā)骨干、測試工程師及FAE/AE等關(guān)鍵技術(shù)部門”。不過，業(yè)界認為，此次業(yè)務(wù)調(diào)整或為美光在華業(yè)務(wù)持續(xù)收縮的重要信號。

針對“美光近日中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)表示：

鑒于移動NAND產(chǎn)品在市場持續(xù)疲軟的財務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機會增長放緩，我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動NAND產(chǎn)品的開發(fā)，包括終止UFS5的開發(fā)。

此項決策僅影響全球移動NAND產(chǎn)品的開發(fā)工作，美光將繼續(xù)開發(fā)并支持其他 NAND 解決方案，如SSD和面向汽車及其他終端市場的NAND解決方案。美光還將繼續(xù)在全球范圍內(nèi)開發(fā)和支持移動 DRAM 市場，并提供業(yè)界領(lǐng)先的 DRAM 產(chǎn)品組合。

移動端業(yè)務(wù)表現(xiàn)

美光公布的FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)業(yè)績顯示，該季營收93億美元，環(huán)比增長15%，同比增長37%；Non-GAAP下，營業(yè)利潤24.9億美元，營業(yè)利潤率由上季度的24.9%回升至26.8%；凈利潤21.81億美元，環(huán)比增長22.3%，同比增長210.7%。

FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)美光營收創(chuàng)歷史新高，這得益于DRAM業(yè)務(wù)營收創(chuàng)歷史新高，其中HBM 營收環(huán)比增長近 50%；數(shù)據(jù)中心營收同比增長逾一倍，創(chuàng)季度新高；面向消費者的終端市場也實現(xiàn)了強勁的環(huán)比增長。美光表示，2025財年有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的營收。

DRAM收入70.71億美元，占總收入的76%，環(huán)比增長15.5%。DRAM Bit出貨量環(huán)比增長超20%，DRAM ASP環(huán)比下降低個位數(shù)百分比（1%-3%）。NAND收入21.55億美元，占總收入的23%，環(huán)比增長16.2%。NAND Bit出貨量環(huán)比增長約25%，NAND ASP環(huán)比下降高個位數(shù)百分比（7%-9%）。

美光Mobile（MBU）營收15.51億美元，環(huán)比增長45%；源于客戶庫存水平下降以及DRAM單機容量提升帶來的強勁需求。

美光預(yù)計2025年，智能手機出貨量將保持低個位數(shù)增長。人工智能的普及仍然是智能手機DRAM容量增長的關(guān)鍵驅(qū)動力，預(yù)計將有更多智能手機搭載12GB或更大的容量，而目前普通智能手機的容量僅為8GB。

美光專注于為高端智能手機市場提供解決方案，在LPDDR5X DRAM產(chǎn)品中采用領(lǐng)先的1-beta和1-gamma技術(shù)節(jié)點，以及利用G8和G9技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)的UFS4 NAND產(chǎn)品。美光贏得了關(guān)鍵客戶的設(shè)計訂單，并實現(xiàn)了基于G9的UFS4產(chǎn)品的量產(chǎn)。

從財務(wù)數(shù)據(jù)來看，美光2024財年在中國大陸（不含香港）的收入占比已降至12.1%。此前，美光表示，“中國是美光全球業(yè)務(wù)的重要組成部分。我們深知，中國不僅是全球最大的市場之一，更是創(chuàng)新和技術(shù)發(fā)展的重要引擎。在投資中國的20多年，美光從研發(fā)、設(shè)計、制造和技術(shù)支持方面全鏈條服務(wù)中國，助力中國建設(shè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。”

美光用于移動端推出UFS4.1

美光在今年宣布推出全球首款用于行動裝置的基于G9 NAND的UFS 4.1 和 UFS 3.1。作為 NAND 技術(shù)的最新創(chuàng)新，G9 節(jié)點旨在為所有儲存解決方案帶來峰值效能和容量優(yōu)勢。



美光G9 NAND行動 UFS 4.1 解決方案具有領(lǐng)先的效能和創(chuàng)新性，可為旗艦智能型手機帶來更快、反應(yīng)更靈敏的體驗。 其循序讀取和寫入速度超過 4100MBps。G9 UFS 4.1 與其前代產(chǎn)品 G8 UFS 4.0 相比，性能提升顯著。



由大型語言模型（LLM）驅(qū)動的AI應(yīng)用，例如虛擬助理理解用戶意思、實時圖片編輯、語言翻譯等，最終都需要強大的多模態(tài)AI來實現(xiàn)。那么智能型手機需要快速存取大型資料集，實現(xiàn)更低的延遲、更快的反應(yīng)時間，以及更流暢的終端使用者整體體驗。

美光G9工藝 UFS4.1/3.1 存儲芯片已經(jīng)開始出貨，專為智能手機設(shè)計，支持 AI 功能并提供256GB-1TB的容量。

眼下UFS4.0、4.1逐漸應(yīng)用于智能手機，三星電子、鎧俠也紛紛發(fā)力。其中，三星于早前發(fā)布的UFS 4.0產(chǎn)品，速度高達每通道 23.2 千兆比特每秒 (Gbps)，相當(dāng)于上一代UFS 解決方案 (UFS 3.1) 的兩倍。UFS 4.0 可輕松支持需要執(zhí)行大量數(shù)據(jù)處理（例如，高分辨率圖像和大容量移動游戲）的5G智能手機，以及車載和 AR/VR 應(yīng)用。

三星UFS 4.0 采用三星第 7 代 V-NAND 和專有控制器，將實現(xiàn) 4,200 兆字節(jié)每秒 (MB/s) 的順序讀取速度和 2,800 MB/s 的順序?qū)懭胨俣?，分別是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。三星UFS 4.0 每毫安 (mA) 電力可提供高達 6.0 MB/s 的順序讀取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同電池容量下讓智能手機獲得更長續(xù)航時間。

三星在 2023 年推出了其首個 QLC UFS 產(chǎn)品，通過加入全新的寫入加速技術(shù)(TW)和 HID 技術(shù)并且從縱向發(fā)力，不斷優(yōu)化主機系統(tǒng)，提升用戶應(yīng)用水平使 QLC 產(chǎn)品在實際工作中表現(xiàn)穩(wěn)定，給用戶帶來優(yōu)異的性能。



三星也在研發(fā)一款新產(chǎn)品，使用 UFS 4.0 技術(shù)，但將通道數(shù)量從目前的 2 路提升到 4 路。同時，積極參與 UFS 5.0 標準的討論。與移動客戶、AP 公司共同促進 UFS 4.0 4 通道和 UFS 5.0 的合作。計劃在2025 年量產(chǎn)一款UFS 4通道產(chǎn)品，將兩個UFS 控制器封裝在一起。



三星表示，我們將通過概念驗證共同界定相關(guān)用例、開發(fā)新技術(shù)、以及實施三方協(xié)作模式，將盡早完成 UFS 5.0 標準的制定工作。




鎧俠表示，UFS4.0/4.1為下一代智能手機和移動應(yīng)用提供閃電般快速的存儲傳輸速度，使它們能夠充分利用5G移動網(wǎng)絡(luò)的高速率及AI。UFS4.0/4.1采用MIPI M-PHY 5.0 High-Speed Gear 5和UniPro2.0技術(shù)，支持每條通道高達23.2Gbps或每個設(shè)備高達46.4Gbps的理論接口速度。UFS4.0/4.1能夠兼容UFS 3.1，這意味著現(xiàn)有平臺可以使用UFS4.0/4.1的最新一代閃存存儲技術(shù)，同時還能保留UFS 3.1的所有功能。與UFS 3.1相比，UFS 4.0/4.1具有更快的接口、更高的讀寫性能。





相較于上一代產(chǎn)品，UFS 4.0/4.1產(chǎn)品的順序讀寫性能分別提高了約100%和135/150%。為提高下載速度、高清視頻錄制存儲速度以及移動游戲的運行速度，UFS產(chǎn)品采用了WriteBooster技術(shù)來提升順序?qū)懭胨俣取?br />
此外，為了更好地滿足不斷變化的需求，鎧俠計劃明年發(fā)布下一代 UFS5.0 產(chǎn)品。

小結(jié)：

受益于HBM的強勁增長和份額提升，以及美光行業(yè)領(lǐng)先的高容量DIMM和低功耗服務(wù)器DRAM產(chǎn)品組合的強勁表現(xiàn)，美光第三財季數(shù)據(jù)中心DRAM收入連續(xù)第四個季度創(chuàng)下新高。美光預(yù)計，2025年行業(yè)DRAM bit需求增長率將約達17-19%，而行業(yè)NAND bit需求增長率約達11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供應(yīng)增長率將低于行業(yè)bit需求增長率。

隨著此次業(yè)務(wù)調(diào)整，美光在移動NAND產(chǎn)品的開發(fā)，包括終止UFS5的開發(fā)，專注于其他 NAND 解決方案，對后續(xù)行業(yè)競爭格局帶來哪些影響，我們將持續(xù)關(guān)注。