圖1. B = 14 T 時 CNP 附近測得的聲表面波相移和經(jīng)度電阻的比較

◆ 突破性研究中的核心挑戰(zhàn)

研究團隊在1.8 K極低溫和14T強磁場環(huán)境下，通過聲表面波技術(shù)探測轉(zhuǎn)角雙層石墨烯(TBG)的量子物態(tài)。由于聲波信號在穿透樣品時產(chǎn)生的電壓響應極其微弱(微伏級)，且強磁場環(huán)境會引入嚴重電磁干擾，傳統(tǒng)測量設備難以實現(xiàn)高精度信號提取。這一難題直接關系到能否解析出朗道能級、陳絕緣態(tài)等關鍵量子態(tài)的特征信號。

◆ OE2052鎖相放大器的核心技術(shù)貢獻

在該研究中，OE2052鎖相放大器通過兩大核心技術(shù)優(yōu)勢助力突破：

1.強磁場抗干擾能力

在14T超導磁體產(chǎn)生的極端電磁噪聲中，OE2052成功實現(xiàn)了對259.75MHz高頻聲波信號的相位偏移(Δθ)和振幅衰減(「 )的納米級精度測量，信噪比提升超百倍。

2.量子態(tài)探測靈敏度突破

憑借亞微伏級電壓分辨率，OE2052幫助團隊首次觀測到傳統(tǒng)電輸運無法捕捉的v_L = -1朗道能級(圖1)以及陳絕緣體在強磁場下的持續(xù)存在(圖2)。這些發(fā)現(xiàn)直接揭示了摩爾系統(tǒng)的高頻電導率特性，為理解關聯(lián)電子態(tài)的動力學行為開辟新途徑。

圖2. 通過聲表面波傳輸?shù)碾妷旱臍w一化相位與摩爾填充因子和垂直磁場的函數(shù)關系

◆ 推動量子材料研究的未來應用

該研究證實聲表面波技術(shù)是探測絕緣態(tài)、拓撲態(tài)等脆弱量子相的有效手段，而OE2052鎖相放大器在此類非接觸式測量中展現(xiàn)出獨特價值：

- 解決納米器件電接觸難題：避免傳統(tǒng)電極制備對摩爾樣品的損傷

- 高頻電導率解析：實現(xiàn)MHz級電導率測量(圖3)，揭示關聯(lián)絕緣態(tài)的頻散特性

- 為新材料研究提供通用平臺：特別適用于二維半導體、過渡金屬硫化物等低電導率體系

圖3. 通過聲表面波計算的高頻電導率

(a) 縱向傳輸電阻率 ρxx(黑色)和聲表面波重建電阻率 ρω，頻率為 fc = 259.75 MHz(紅色)，由聲表面波相移計算得出，是零磁場下摩爾填充因子v的函數(shù)

(b) 磁場下 v = +2 時的縱向電導率 σxx 和聲表面波重構(gòu)電導率 σω

(c) 在零磁場下，v = +2 和 +4 時，ρxx 和 ρω 作為聲功率 P 的函數(shù)的比較

(d) 電子在 Enk 和 Emk 之間轉(zhuǎn)變所產(chǎn)生的直流帶間電導率

(e) Enk和Emk±ΔEω之間電子轉(zhuǎn)變所產(chǎn)生的交流帶間電導率;與 nF(Emk)相比，半填充時的小平帶色散導致 nF(Emk±ΔEω)顯著降低，從而抑制了高頻電導率

(f) 由于頻帶色散較大，交流電導率沒有受到影響。

◆ 國產(chǎn)高靈敏度鎖相放大器突破封鎖 助力國家科研事業(yè)穩(wěn)步向前

論文致謝部分特別指出(Page 6)：

"We thank Prof. Zixin Wang from Sun Yat-Sen University and Huihui Meng from Guangzhou Sine Scientific Instrument Co., Ltd., for providing a high-sensitivity lock-in amplifier (Model OE2052) for this research."

我司技術(shù)負責人表示：“OE2052的設計創(chuàng)新使用了雙ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)化器)結(jié)構(gòu)，低頻段采用24位的ADC實現(xiàn)高精度測量，高頻段采用高速14位的ADC實現(xiàn)超高帶寬測量，實現(xiàn)高精度與超高帶寬的完美結(jié)合。其設計目標之一就是為極端條件物性測量提供‘電子顯微鏡級’的信號解析能力，此次在摩爾量子態(tài)研究中的成功應用，驗證了國產(chǎn)高端儀器支撐前沿基礎科學的能力?！?/p>

此項突破性研究不僅開辟了聲波探測摩爾量子相的新范式，更標志著中國自主研制的科研儀器在凝聚態(tài)物理前沿領域達到國際先進水平。隨著摩爾電子學、量子聲學等新興領域的發(fā)展，OE2052系列高靈敏測量設備將為揭示量子材料的本征物性提供強大技術(shù)引擎。

審核編輯 黃宇