隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將足以擊穿芯片，這無(wú)疑對(duì)電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。

集成Boost供電電路

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8726AHE集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boost電路啟動(dòng)工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10.1V)，當(dāng)輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時(shí)，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。

管腳定義

氮化鎵電源ic U8726AHE封裝形式ESOP-7，腳位如下：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

最高工作頻率設(shè)定

氮化鎵電源ic U8726AHE復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8726AHE通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟動(dòng)都伴隨一次判定。推薦的RSEL電阻值與最大工作頻率的關(guān)系見(jiàn)表。

銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、分配、監(jiān)控以及整體電能管理，確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效電能利用，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景！