Texas Instruments LMQ644A2QEVM評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估帶有集成功率MOSFET的LMQ644A2-Q1雙路降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器。該評(píng)估板是一款單輸出、雙相、同步降壓轉(zhuǎn)換器板，可提供 12A的輸出電流。輸出電壓可以單獨(dú)編程為3.3V和5V固定電壓，也可以使用外部反饋電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。 LMQ644A2QEVM板支持高達(dá)36V的輸入浪涌電壓和低至3V的驟降電壓。該器件的開關(guān)頻率可通過(guò)RT引腳從100kHz調(diào)整到2.2MHz，也可與外部時(shí)鐘同步，以消除跳頻。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments LMQ644A2QEVM 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

12A輸出雙相交錯(cuò)同步降壓轉(zhuǎn)換器
寬工作電壓范圍：6 V至36 V
輸出電壓：3.3 V和5 V
2.1MHz默認(rèn)開關(guān)頻率
每個(gè)通道的額定功率為6A
負(fù)載電流范圍廣，效率高
輸入EMI濾波器，帶用于并聯(lián)阻尼的電解電容（輸入濾波器可處理高達(dá)8A的輸入電流）
時(shí)鐘同步和FPWM模式可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)提供恒定的開關(guān)頻率
集成輸入電容器可實(shí)現(xiàn)低噪聲開關(guān)性能
引腳可選擴(kuò)頻
帶外部環(huán)路補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏髂Ｊ娇刂萍軜?gòu)
帶斷續(xù)模式過(guò)流保護(hù)的峰值電流限制功能
帶遲滯的熱關(guān)斷保護(hù)
PGOOD指示器
可編程輸入U(xiǎn)VLO
6層2盎司PC板設(shè)計(jì)

EVM測(cè)試設(shè)置

LMQ644A2QEVM評(píng)估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、評(píng)估板概述

LMQ644A2QEVM-S2100是針對(duì)LMQ644A2-Q1雙路降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的評(píng)估模塊，該器件屬于TI的LM(Q)644xx(-Q1)系列降壓轉(zhuǎn)換器家族。該評(píng)估板采用雙相交錯(cuò)配置，提供單路12A輸出，主要特性包括：

?寬輸入電壓范圍?：3V至36V（支持36V浪涌電壓）
?輸出配置?：默認(rèn)3.3V輸出（可調(diào)至5V或通過(guò)外部電阻設(shè)置）
?高頻開關(guān)?：默認(rèn)2.1MHz開關(guān)頻率（可調(diào)范圍100kHz-2.2MHz）
?工作模式?：支持FPWM強(qiáng)制PWM和AUTO自動(dòng)模式切換
?EMI優(yōu)化設(shè)計(jì)?：集成輸入旁路電容、擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)

二、核心器件特性

1. LMQ644A2-Q1主要參數(shù)

?輸出電流?：6A/通道（雙相合計(jì)12A）
?封裝?：增強(qiáng)型QFN-25（5.0mm×4.0mm）
?控制架構(gòu)?：峰值電流模式控制，支持外部環(huán)路補(bǔ)償
?保護(hù)功能?：
- 打嗝模式過(guò)流保護(hù)
- 帶滯回的熱關(guān)斷保護(hù)
- 可編程輸入欠壓鎖定(UVLO)

2. 電氣性能指標(biāo)

參數(shù)	測(cè)試條件	典型值
輸入電壓范圍	工作范圍	3-36V
輸出電流	最大持續(xù)輸出	12A
全載效率	VIN=12V, IOUT=12A	87%
開關(guān)頻率	默認(rèn)設(shè)置	2.1MHz
輸出電壓精度	3.3V輸出	±3%

三、評(píng)估板硬件設(shè)計(jì)

1. 電源架構(gòu)

?輸入濾波?：兩級(jí)LC濾波設(shè)計(jì)（1μH電感+2.2μF陶瓷電容）
?功率級(jí)?：雙相交錯(cuò)拓?fù)?，集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器
?輸出濾波?：多相陶瓷電容陣列（22μF×4 + 47μF×2）

2. 關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)

?時(shí)鐘同步?：支持外部時(shí)鐘同步消除拍頻噪聲
?擴(kuò)頻調(diào)制?：通過(guò)跳線選擇啟用/禁用
?模式選擇?：
- FPWM模式：輕載時(shí)保持固定頻率
- AUTO模式：輕載時(shí)自動(dòng)切換為脈沖跳躍

3. PCB布局特點(diǎn)

?6層板設(shè)計(jì)?：2oz銅厚所有層
?熱管理?：
- 大面積銅皮散熱
- 關(guān)鍵元件布局考慮熱對(duì)稱性
?信號(hào)完整性?：
- 獨(dú)立電源層和地平面
- 敏感模擬走線屏蔽保護(hù)

四、測(cè)試數(shù)據(jù)與性能曲線

1. 效率測(cè)試結(jié)果

?FPWM模式?：
- VIN=12V時(shí)峰值效率87%
- 10mA輕載效率>50%
?AUTO模式?：
- 1A負(fù)載效率較FPWM提升5-8%
- 待機(jī)功耗優(yōu)化顯著

2. 熱性能表現(xiàn)

測(cè)試條件	最高溫度點(diǎn)
VIN=12V, IOUT=12A	88°C（電感）
VIN=24V, IOUT=10A	92°C（MOSFET）
85°C環(huán)境溫度	芯片結(jié)溫<110°C

3. EMI測(cè)試結(jié)果

?傳導(dǎo)發(fā)射?：滿足CISPR 25 Class 5限值
?輻射發(fā)射?：
- 30-200MHz頻段余量>6dB
- 開關(guān)諧波通過(guò)擴(kuò)頻技術(shù)有效抑制

五、典型應(yīng)用場(chǎng)景

?汽車電子系統(tǒng)?：
- 信息娛樂(lè)系統(tǒng)電源
- ADAS模塊供電
?工業(yè)設(shè)備?：
- PLC模塊電源
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)輔助電源
?通信基礎(chǔ)設(shè)施?：
- 基站射頻單元供電
- 網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備電源

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