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基于62mm碳化硅(SiC)模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-08-25 18:09 ? 次閱讀
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傾佳電子代理的基本半導體62mm碳化硅(SiC)模塊,可以設(shè)計一個大功率雙向DC-DC隔離電源。這兩種模塊都屬于半橋模塊,非常適合用于雙向DC-DC變換器,特別是針對高頻開關(guān)應用和高功率密度設(shè)計。

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

設(shè)計方案

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該設(shè)計方案采用雙有源橋(Dual Active Bridge, DAB)拓撲結(jié)構(gòu),此結(jié)構(gòu)在大功率雙向DC-DC應用中具有高效率和高功率密度的優(yōu)勢。

1. 核心器件選型

根據(jù)您的需求,我們有兩種SiC MOSFET模塊可供選擇:

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BMF360R12KA3:這是一個1200V、360A的半橋模塊,典型導通電阻R_DS(on)為3.7mΩ(@V_GS = 18V)。該模塊的功率耗散為1143W(T_vj = 175°C, T_C = 25°C)。

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BMF540R12KA3:這是一個1200V、540A的半橋模塊,典型導通電阻R_DS(on)為2.5mΩ(@V_GS = 18V)。該模塊的功率耗散為1714W(T_vj = 175°C, T_C = 25°C)。

兩種模塊的最高工作結(jié)溫均為175°C ,并且都具有低導通電阻、低開關(guān)損耗和高可靠性的特點 。

2. 系統(tǒng)拓撲與控制策略

雙有源橋(DAB)拓撲:該拓撲結(jié)構(gòu)由原邊和副邊的兩個全橋組成,中間通過高頻變壓器實現(xiàn)電氣隔離。每個全橋由兩個半橋模塊構(gòu)成,因此可以選擇兩個BMF360R12KA3或BMF540R12KA3模塊來構(gòu)建一個DAB變換器。

移相控制(Phase-Shift Control):DAB變換器主要采用移相控制策略。通過調(diào)整原邊和副邊全橋PWM波形之間的相位差,可以實現(xiàn)功率的平滑雙向傳輸。SiC MOSFET具有快速開關(guān)特性,有助于提高開關(guān)頻率,從而減小高頻變壓器和濾波電感/電容的體積,進一步提升功率密度。

3. 關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計

額定電壓:兩種模塊的漏-源電壓(V_DSS)額定值為1200V ,這使得它們適用于高壓應用。

開關(guān)頻率:SiC模塊具有極低的開關(guān)損耗,這允許設(shè)計者將開關(guān)頻率提高至100kHz甚至更高。高開關(guān)頻率可以顯著減小無源元件的尺寸,從而提高功率密度。

功率傳輸

BMF360R12KA3:持續(xù)電流能力為360A 。理論上,使用兩個這樣的模塊構(gòu)建的DAB變換器可以處理高達432kW的功率(P_out ≈ V_in * I_D = 1200V * 360A)。

BMF540R12KA3:持續(xù)電流能力為540A 。使用兩個這樣的模塊構(gòu)建的DAB變換器可以處理高達648kW的功率(P_out ≈ 1200V * 540A)。

熱管理:為了確保模塊在175°C的最高結(jié)溫下可靠工作,必須設(shè)計有效的散熱系統(tǒng)。兩個模塊均采用銅底板設(shè)計,可優(yōu)化熱量擴散 。您需要根據(jù)實際工作電流和開關(guān)頻率下的損耗,計算所需的散熱器熱阻。BMF360R12KA3的結(jié)-殼熱阻(R_th(j-c))為0.11K/W ,BMF540R12KA3的結(jié)-殼熱阻為0.07K/W ,后者具有更好的散熱性能。

4. 驅(qū)動與保護電路

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柵極驅(qū)動:為了充分利用SiC MOSFET的性能,需要一個專門的柵極驅(qū)動電路。建議的柵極電壓為+18V(開通)和-4V(關(guān)斷)。驅(qū)動電路應具備低寄生電感、高抗干擾能力、快速開關(guān)速度以及強大的驅(qū)動/吸收電流能力。

過流保護:設(shè)計需要包含快速的過流保護機制,以防止在短路或過載情況下?lián)p壞模塊。

過壓保護:變壓器漏感和寄生參數(shù)可能在開關(guān)時產(chǎn)生電壓尖峰,需要設(shè)計RC緩沖電路或無源鉗位電路來吸收這些尖峰,保護器件。

總結(jié)

這兩種SiC模塊都非常適合用于大功率雙向DC-DC隔離電源。BMF360R12KA3適用于300kW至400kW范圍內(nèi)的應用,而BMF540R12KA3則可用于500kW以上更高功率密度的應用。在設(shè)計時,除了考慮核心功率回路,還需要特別關(guān)注高頻磁性元件設(shè)計、高效的熱管理系統(tǒng)和可靠的柵極驅(qū)動及保護電路。

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:

傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:

新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;

交通電動化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機)及高壓平臺升級;

數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應用。

審核編輯 黃宇

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