TPS54200和TPS54201器件是1.5A同步降壓單色或IR驅(qū)動器，最大輸入電壓為28V。電流模式作提供快速瞬態(tài)響應(yīng)并簡化環(huán)路穩(wěn)定。

TPS54200和TPS54201可用于驅(qū)動單串或多串單色或紅外 （IR） LED 陣列，就像夜視攝像機一樣。
*附件：tps54201.pdf

通過集成 MOSFET 并采用 SOT-23-THIN 封裝，TPS54200 和 TPS54201 器件可提供高功率密度，并且只需要在 PCB 上占用很小的尺寸。

TPS54200和TPS54201器件通過改變與模擬調(diào)光模式下輸入的PWM信號占空比成比例的內(nèi)部基準電壓來實現(xiàn)模擬調(diào)光。該器件還支持 PWM 調(diào)光模式，在該模式下，內(nèi)部基準電壓減半至 100 mV，以提高效率。

高側(cè) MOSFET 中的逐周期電流限制可在過載條件下保護轉(zhuǎn)換器，并通過低側(cè) MOSFET 續(xù)流電流限制來防止電流失控。有一個低側(cè) MOSFET 灌電流限制，以防止過大的反向電流。為了安全和保護，TPS54200和TPS54201器件包括LED開路和短路保護、檢測電阻開路和短路保護以及器件熱保護。TPS54200器件實現(xiàn)關(guān)機和鎖存模式保護，而TPS54201器件采用自動重試模式保護。

特性

• 4.5V 至 28V 寬輸入范圍
• 集成150mΩ和70mΩ MOSFET，提供1.5A連續(xù)輸出電流
• 低關(guān)斷電流，2 μA
• 固定 600 kHz 頻率
• 帶內(nèi)部補償?shù)姆逯惦娏髂Ｊ?/li>
• 模擬和PWM調(diào)光模式下的200 mV和100 mV檢測電壓
• 通過PWM輸入實現(xiàn)精密模擬調(diào)光（ADIM）
• LED 開路和短路保護
• 檢測電阻開路和短路保護
• 關(guān)斷和鎖存模式保護 （TPS54200）
• 自動重試模式保護 （TPS54201）
• 熱關(guān)斷
• 6引腳SOT-23-THIN封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：TPS54200與TPS54201，均為4.5V至28V輸入、1.5A輸出的同步降壓LED驅(qū)動器，采用6引腳SOT-23-THIN封裝。
• ?關(guān)鍵特性?：
  • 集成150mΩ高邊和70mΩ低邊MOSFET，支持1.5A連續(xù)輸出電流。
  • 支持模擬調(diào)光（ADIM）和PWM調(diào)光模式，調(diào)光范圍1%-100%。
  • 內(nèi)置保護功能：LED開路/短路、檢測電阻開路/短路、熱關(guān)斷等。
  • TPS54200為鎖存保護模式，TPS54201為自動重試保護模式。

?2. 主要應(yīng)用?

• ?紅外LED驅(qū)動?：如網(wǎng)絡(luò)攝像頭、安防攝像頭、門鈴等夜視設(shè)備。
• ?單色LED照明?：冰箱、電子鎖、建筑照明等。

?3. 功能詳解?

• ?調(diào)光模式?：
  • ?模擬調(diào)光?：內(nèi)部參考電壓（200mV）隨PWM占空比線性變化，適合高精度調(diào)光（建議PWM頻率≥10kHz）。
  • ?PWM調(diào)光?：LED按PWM信號開關(guān)（參考電壓固定100mV），適合低頻應(yīng)用（建議PWM頻率≤1kHz）。
• ?保護機制?：
  • ?過流保護?：高邊MOSFET周期限流，低邊MOSFET防電流失控。
  • ?故障保護?：LED/檢測電阻異常時觸發(fā)鎖存（TPS54200）或自動重試（TPS54201）。
  • ?熱關(guān)斷?：結(jié)溫超過160°C時停止工作，冷卻至150°C后恢復(fù)。

?4. 設(shè)計要點?

• ?電感選擇?：需計算最小電感值（如10μH），確保電流紋波不超過低邊MOSFET的電流極限。
• ?輸入/輸出電容?：推薦10μF陶瓷電容（X7R/X5R），降低輸入浪涌和輸出紋波。
• ?FB引腳濾波?：RC濾波器（如910Ω+82nF）用于環(huán)路穩(wěn)定。
• ?檢測電阻?：根據(jù)目標LED電流選擇（如1.5A對應(yīng)133mΩ，功率需≥300mW）。

?5. 典型應(yīng)用電路?

• ?12V輸入驅(qū)動3顆IR LED?：支持50kHz模擬調(diào)光，效率達95%。
• ?24V輸入驅(qū)動4顆白光LED?：支持250Hz PWM調(diào)光，電流精度±4%。

?6. 布局與散熱?

• 優(yōu)先縮短SW和FB走線，避免噪聲干擾。
• 大面積GND平面和熱過孔優(yōu)化散熱（RθJA=89.2°C/W）。